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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
运用回归技术并结合 SEM的测试结果,对影响 ZnO- Al 2O 3系陶瓷电阻及电阻温度特性的线性化机制进行了探讨。研究表明, Al 2O 3、 MgO的掺杂及烧成工艺均对材料的电阻率和电阻温度系数有较为明显的影响,镁掺杂对材料的电子激活能有较大的影响。当材料的电子激活能值较低时,通过回归发现其阻温特性具有较好的线性,符合麦克劳林公式近似。  相似文献   

2.
采用无压烧结制备ZTA复相陶瓷,探究Cr2O3的添加对ZTA复相陶瓷显微组织和力学性能的影响.结果表明:Cr2O3会促进Al2O3晶粒的生长,并出现长条状Al2O3晶粒;随着Cr2O3的增加,复相陶瓷的密度、硬度、断裂韧性均呈现先增大后减小趋势.在Cr2O3添加量为0.6%时具有最佳性能,但过多的Cr2O3会使陶瓷内部...  相似文献   

3.
以溶胶–凝胶法制备的钛酸铝前驱体和固相合成法制备的纳米Fe2O3为原料,在不同温度煅烧保温2h制备出钛酸铝固溶体[Al2(1–x)Fe2xTiO5]。通过X射线衍射、电子探针分析并计算晶格常数和热分解率,研究了纳米Fe2O3含量以及烧成温度对烧后试样热分解性能的影响。结果表明:纳米Fe2O3很容易与Al2TiO5反应,形成固溶体,抑制钛酸铝陶瓷的热分解;随着纳米Fe2O3加入量的增加,Al2(1–x)Fe2xTiO5的晶格常数变大,热分解率降低,但当加入量超过10%时,Al2(1–x)Fe2xTiO5的晶格常数不变甚至减小,热分解率反而会增大;纳米Fe2O3作为添加剂可改善钛酸铝陶瓷的热分解性能。煅烧温度对钛酸铝的热分解率有很大影响,随着温度升高,热分解率降低,当温度大于1350℃时,钛酸铝陶瓷晶格常数保持不变,钛酸铝陶瓷的热分解率变化不大。  相似文献   

4.
凝胶注模成型碳化硅陶瓷的烧结和性能   总被引:2,自引:1,他引:2  
研究了用La2O3:Y2O3=4:1作SiC陶瓷的烧结助剂,同时添加Al2O3改变液相的性质,研究发现;该添加剂系统能有效地降低碳化硅陶瓷的烧结温度,Al2O3的引入提高了液相与碳化硅颗粒的反应性,增加了液相对碳化硅颗粒的润湿性,从而对促进碳化硅的烧结十分有利,烧结温度为1850℃,Al2O3:La2O3:Y2O3=4:4.8:1.2(摩尔)时烧结的碳化硅陶瓷具有最佳性能。  相似文献   

5.
阐述了BaTiO3基陶瓷电容器系统中通过添加不同添加剂(ZnO、Y2O3、MgO、V2O5、Bi2O3、Fe2O3、Co2O3、Nb2O5、Dy2O3等)对陶瓷温度特性、介电常数、介质损耗及击穿场强的影响,并对具有高介高稳定性的介电材料进行综述及展望。  相似文献   

6.
Gd_2O_3掺杂对BaTiO_3陶瓷电性能的影响   总被引:2,自引:0,他引:2  
郝素娥  韦永德  况冲 《精细化工》2002,19(12):717-719
采用溶胶-凝胶法制备了掺杂不同量Gd2O3(分别为0 001、0 002、0 003、0 005、0 007mol mol)的BaTiO3陶瓷,并对其电性能进行了研究。结果表明:Gd2O3掺杂使BaTiO3陶瓷的电阻率明显下降,当添加量为0 002mol mol时,电阻率最小,为1 27×105Ω·m;晶粒电阻随着温度的变化,呈现NTC效应,而晶界电阻随着温度的变化,呈现PTC效应,而且晶界电阻远远大于晶粒电阻,说明Gd2O3掺杂BaTiO3陶瓷的PTC效应是一种晶界效应;Gd2O3掺杂使BaTiO3陶瓷的介电常数和介电损耗在低频时明显增大,在高频时又明显降低。  相似文献   

7.
采用放电等离子烧结技术(SPS)制备了掺Sb2O3的SnO2基陶瓷.研究了烧结温度及Sb2O3的含量对SnO2基陶瓷的密度、物相、结构和电学性能的影响.研究袭明:随着烧结温度的提高,SnO2基陶瓷的相对密度逐渐增大,室温电阻率璧先减小后增大的趋势;随着Sb2O3掺杂量的增加,样品的相对密度呈先增加后减小的趋势,室温电阻...  相似文献   

8.
本文研究了分别掺杂微量Fe2O3杂质对ZnO压敏陶瓷的压敏特性的影响。研究结果表明:随Fe2O3掺杂量的增加,ZnO压敏陶瓷的压敏电压V1 mA和非线性系数先下降,后升高,最小值出现在Fe2O3摩尔掺杂量为1.00%;并从理论上详细地探讨了产生这些影响的原因。  相似文献   

9.
采用正交实验方法研究了MgO、P2O5、CaCO3、ZnO四种添加剂对陶瓷结合剂强度的影响,通过扫描电镜,分析了添加这四种添加剂的陶瓷结合剂的微观结构.结果表明:四种添加剂对陶瓷结合剂强度的影响从大到小依次是MgO≥ZnO> CaCO3≥P2O5;试样随着烧结温度的升高,气孔数量明显增加,形状规则,呈圆形,且气孔表面光滑,分布均匀.  相似文献   

10.
以煅烧α-Al2O3为原料,稀土氧化镧(La2O3)为添加剂,羧甲基纤维素为成型粘结剂,通过混料、困料、研磨、模压成型、高温烧结等工序制备了氧化铝多孔陶瓷,研究了烧结温度及La2O3添加量对氧化铝多孔陶瓷的线收缩率、体积密度、孔隙率、抗折强度和微观形貌的影响。结果表明:在相同烧结温度下,随稀土添加量的增加,多孔陶瓷的体积密度、线收缩率与抗折强度均降低,而孔隙率则逐渐增加。微观形貌与X衍射分析表明,稀土La2O3的加入,抑制了氧化铝颗粒间的烧结,并在高温下与氧化铝反应生成了片状晶体LaAl11O18,片状晶LaAl11O18阻碍了氧化铝晶粒的长大,进而抑制了坯体的收缩,最终使得氧化铝多孔陶瓷具有较高的孔隙率。  相似文献   

11.
采用流延法制备CBS/Al2O3复相陶瓷。运用FTIR、XRD、SEM和EDS等分析测试手段研究了Al2O3添加量对CBS/Al2O3复相陶瓷微观结构和介电性能的影响。结果表明:随着α-Al2O3添加量的增加,钙长石相的形成抑制了石英相和硅灰石相的生长,试样的烧结温度和致密度明显提高,烧结温度范围扩大。但Al2O3添加量大于48%时,玻璃液相不足以充分润湿陶瓷相,导致体系致密度下降。Al2O3添加量为48%的复相陶瓷850℃烧结,密度ρ=3.11 g·cm-3,10 MHz频率下,介电常数εr=7.95,介电损耗tanδ=1.1×10-3,能够与金浆低温共烧。  相似文献   

12.
千粉玲  谢志鹏  孙加林  王峰 《硅酸盐学报》2012,40(12):1708-1712
以液相混合的方式引入La2O3,在常压条件下于1 400℃保温2 h制备出Al2O3陶瓷,研究了单一添加剂La2O3对Al2O3陶瓷显微结构和微波介电性能的影响。结果表明:烧结过程中La2O3与Al2O3反应生成了位于晶界上的LaAl11O18,明显抑制了Al2O3陶瓷晶粒的生长。La2O3对Al2O3陶瓷介电常数影响较小,但对介电损耗有一定负面影响,这主要是由于烧结过程中生成介电损耗较大的LaAl11O18相所致。  相似文献   

13.
以Na2CO3、MgO、Ca(OH)2为固硫剂,Fe2O3、Al2O3、La2O3为添加剂,对高有机硫煤的燃烧进行固硫研究,探讨固硫剂类型及用量、添加剂类型及用量、煤样粒度、固硫温度等关键因素对固硫效果的影响。结果表明,以Ca(OH)2为固硫剂、La2O3为添加剂,在煤样粒度为0.25mm、Ca(OH)2的用量为固硫煤样质量的10%、La2O3的用量为固硫煤样质量的1.0%、固硫温度为800℃的优化工艺条件下,高有机硫煤燃烧的固硫率为81.67%。  相似文献   

14.
以Y2O3为原料、La2O3为烧结助剂,采用真空烧结法制备了(Y1-xLax)2O3透明陶瓷。研究了La2O3添加量对Y2O3陶瓷致密化行为的影响,确定La2O3的最佳添加量(摩尔分数)为10.0%。在此基础上制备了不同掺杂量(摩尔分数)的Eu:(Y0.9La0.1)2O3透明荧光陶瓷,研究了Eu3+掺杂浓度对陶瓷显微结构、光学性能及光谱特性的影响。结果表明:随着掺杂量的增加,Eu:(Y0.9La0.1)2O3陶瓷(1 765℃×50 h)的晶粒尺寸变化较小。其中,0.3%Eu:(Y0.9La0.1)2O3陶瓷的晶粒尺寸均匀(约为177.6μm),厚度为1 mm的陶瓷样品在800 nm处的直线透过率为62%。随着Eu3+掺杂浓度的增加,Eu:(Y0.9La0.1)2O3陶瓷的各个激发峰与发射峰强度变强。当激发波长为466 nm时,发射主峰位于红光波段611 nm处,属于Eu3+离子的5D0→7F2跃迁。研究表明Eu:(Y0.9La0.1)2O3透明陶瓷在白光发光二极管上具有潜在的应用价值。  相似文献   

15.
采用溶胶-凝胶法合成了Fe和La共掺杂BaTiO_3基陶瓷,并且用XRD与SEM对所合成的样品进行分析表征。考察了Fe和La掺杂量对BaTiO_3基陶瓷的相组成、表面形貌以及介电性能的影响。结果表明:BaTiO_3基陶瓷均呈现单一的钙钛矿结构;随着Fe和La的掺杂量的增加,BaTiO_3基陶瓷从四方相转变为立方相,陶瓷的晶粒尺寸呈现增大的趋势,室温介电常数先增大后减小,而室温介电损耗随着Fe和La的掺杂量的增大几乎没有影响。当Fe和La的掺杂量各为4mol%时,室温介电常数达到最大值6333,介电损耗较小约为0.016。  相似文献   

16.
氧化锌导电陶瓷钇掺杂效应的正电子寿命谱研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
用正电子湮没谱方法,研究了掺杂Y2O3的ZnO导电陶瓷在不同掺杂量,不同烧结温度和烧结时间对材料结构的影响。实验结果表明:Y2O3掺杂量增加,ZnO导电陶瓷材料完整性变差;烧结温度增加,ZnO陶瓷产生空洞为主的缺陷,烧结时间增加,微空洞缺陷数目明显增加,本研究对正电子湮没机制与氧化锌陶瓷导电特性的关联也进行了探讨。  相似文献   

17.
利用正电子湮没辐技术测试ZnO压敏陶瓷符合正电子湮没辐射Doppler展宽谱,研究了分别掺杂微量Fe2O3杂质对ZnO压敏陶瓷微结构的影响。研究结果表明:随Fe2O3掺杂量的增加,ZnO压敏陶瓷的漏电流和Doppler展宽的商谱谱峰先升高后降低,掺杂量为1.00%出现最大值。  相似文献   

18.
利用固相烧结法制备出基础配方为ZnO-Al_2O_3-MgO-Fe_2O_3-TiO_2-SiO_2的ZnO线性陶瓷电阻。研究了MgO掺杂量对ZnO线性陶瓷电阻微观结构、阻抗、阻温特性和阻频特性的影响。结果表明:在MgO掺杂量为5%(质量分数)时,ZnO线性陶瓷电阻的综合性能最好,其晶粒尺寸较为均匀,相对密度最高,电阻率为256 647Ω·cm,非线性系数为1.03,阻温系数为-5.45×10~(–3)/℃。  相似文献   

19.
以电熔镁砂为主要原料,研究了添加剂α-Al2O3和Cr2O3的加入量及加入形式对镁质材料高温蠕变性能的影响,还研究了在加入3%Cr2O3的基础上添加不同形式的Al2O3对镁质材料高温蠕变性能的影响。研究结果表明:随着Al2O3含量的增加,镁质材料的抗高温蠕变性能增强;添加3%Cr2O3的镁质材料其抗蠕变性能优于热风炉上使用的低蠕变高铝制品。  相似文献   

20.
研究了ZnO、La2O3,和Sm2O3,的加入对镁橄榄石-堇青石复相陶瓷的烧结和介电性能的影响,并对影响机理作了初步探讨.结果表明选择合适种类和数量的添加剂能够使复相陶瓷在1280~1360℃之间烧结.复合添加5%ZnO、2%La2O3和2%Sm2O3的复相陶瓷的介电性能较好,介电损耗在10-4数量级,介电常数约为7.0,其温度系数为124×10-6/℃,是一种性能良好的介质材料.  相似文献   

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