300mm时代拉开序幕

芯片制造厂商重新开始关注300mm晶圆片生产厂(Fab)的建设,委托加工(代工)厂也争相加入这场300mmFab建设的竞赛。 据估计,从200mm(8英寸)转到300mm(12英寸)晶圆片生产,蕊片成本平均降低近30％。 台湾的United Microelectronics Corp(UMC)公司最近宣布,他将与日立合资建立300mm晶圆片生产厂(参     

SUSS MicroTec推出用于CMOS图像传感器的新型生产用晶圆键合机

<正>全球领先的半导体设备供应商SUSS Mi- croTec于2008年9月9日至11日的Semicon台湾展上,展示新问世的XBC300生产用晶圆键合机,用于CMOS图像传感器(CIS)。参观者现场了解世界首台用于CMOS图像传感器(CIS)生产的晶圆键合机。XBC300专为300 mm晶圆键合设计,用于     

美国ISMI发表开发计划向450mm晶圆过渡以提高LSI生产效率

美国的半导体联盟International SEMATECH Manufacturing Initiative（ISMI）对外公布了旨在从300mm直径晶圆向450mm直径晶圆过渡的“300Prime／450mm”计划进展。目前该公司初步定于2008年年初向参与计划企业提供向450mm过渡的300mm晶圆生产效率改善计划“300Prime”的首个模犁。     

全球半导体设备的发展走势

设备加工晶圆大尺寸化我们知道,推动全球半导体产业不断向前发展的两个轮子中的一个轮子是不断地扩大的晶圆尺寸,已从100mm→125mm→150mm→200mm→300mm晶圆,计划向350到400mm晶圆过渡。扩大晶圆尺寸的最大好处是提高产量和降低成本,从而获取更大的利润。目前全球200mm晶圆生产线约有300条左右,1998年为252条;已建、在建和计划建设的300mm晶圆生产线约有40条左右,其中美国、我国台湾和其它国家及地区各有10余条。据Dataguest公司预测,2001年全球300mm晶圆生产设备销售额为全球晶圆设备总销售额的25％,2002年约占35-40％,2005年将占65％。另据Stmico公司预测,2002年300mm晶圆产量占晶圆总产量的5％,2006年将增至35％。     

2015年300mm晶圆生产还将翻番

自300mm晶圆投产迄今已逾10年,但日前市场调研公司IHS iSuppli发表的一份报告称,到2015年300mm晶圆生产还将翻番。据透露,2010年代工厂商和IDM(集成器件制造商)两者共生产300mm硅晶圆48亿平方英     

300mm时代拉开序幕

芯片制造厂商重新开始关注300mm晶圆片生产厂(Fab)的建设,委托加工(代工)厂也争相加入这场300mmFab建设的竞赛。 据估计,从200mm(8英寸)转到300mm(12英寸)晶圆片生产,蕊片成本平均降低近30％。 台湾的United Microelectronics Corp(UMC)公司最近宣布,他将与日立合资建立300mm晶圆片生产厂(参     

300mm晶圆给我们带来的思考

兴建300mm晶圆生产线是近几年全球半导体产业的一大热点，建300mm晶圆生产线的最大好处是提高量产，降低成本和获取更大的利润。中国一定要建立自己的300mm晶圆生产线。何时建?由谁来建?人们拭目以待。     

2011年半导体材料市场稳步增长

据SEMI报道,2010年半导体产业销售额与出货量均达到创纪录的水平,使半导体材料市场获得强劲的增长。2010年硅晶圆出货总量增长40%,各个尺寸的晶圆均获得了增长。由于半导体产业大范围回暖,因此150 mm和200 mm晶圆出货量的增长与300 mm晶圆相当。2010年,硅晶圆收入增长40%接近102     

2015年300mm（12英寸）晶圆产量将增长近1倍

据IHS iSuppli公司的研究,使用300 mm晶圆的半导体生产将进入新的时代,2010-2015年产量将增长近1倍。到2015年,代工厂商和集成设备制造商（IDM）将利用300 mm晶圆生产87.53亿平方英寸的硅片,而2010年是47.994亿,5年的复合年度增长率为12.8%。今年,IDM将利用300 mm晶...     

业要要闻

英特尔大连设厂尘埃落定英特尔公司(Intel)3月26日在北京宣布,公司将投资25亿美元在辽宁省大连市建立一座先进的300mm晶圆制造厂,用于生产计算机芯片组等产品。新工厂预计将于2010年落成,这是英特尔全球第八家300mm晶圆厂,也是英特尔15年来首次建设新的晶圆厂,该工厂计划今年年底动工,     

尔必达300mm晶圆项目落户园区

<正>日本尔必达(Elpida)存储器公司与苏州创投集团(SVG)签署了项目合作意向书,将在苏州工业园区建立合资公司生产300mm晶圆。该项目一期投资额将超过20亿美元,是目前园区引进的最大投资项目。据了解,日本尔必达公司是DRAM(计算动态随机存储器)集成电路方面的世界领先制造商,目前公司在日本和中国台湾地区拥有两家300mm晶圆制造工厂。公司负责人表示,合资公司将使尔必达的300mm晶圆总产量达到世界第一位,     

PLD巨头对于采用 300mm晶圆和新工艺制造FPGA 器件存在分歧

作为第一家采用300mm晶圆和90nm工艺技术制造FPGA产品的供应商,赛灵思公司(Xi1inx)的FPGA产品Spartan-ⅡE、Virtex-E、Virtex-Ⅱ和Virtex-Ⅱ Pro器件已经开始采用UMC(台联电)公司的300mm晶圆制造,据称已经累计销售出200多万片.     

晶圆代工300 mm厂扩产延缓 设备采购态度保守

<正>台湾地区晶圆代工300 mm厂扩产动作出现急冷冻,由于半导体景气持续低迷,设备商明显感受到晶圆厂采购日趋谨慎,半导体设备业者指出:"目前联电南科12B厂设备仍处于闲置,台积电Fab12厂虽仍按计划建厂,但对设备采购态度非常保守,至于新加坡特许(Chartered)则已延缓300mm厂Fab7扩产计划,使得短期内既定300 mm晶圆代工新厂恐呈现"空有建物、没有内涵"景象。     

近年半导体生产仍将以300mm晶圆为主

自新世记之初开始采用300mm晶圆生产以来已有10余年之久,据市调公司IC Insights近日报告,若以200mm相当晶圆计算,2012年12月,世界300mm晶圆的生产能力占世界全体生产能力的56%,且近几年内还将继续保持扩张之势,预计到2017年12月将达70.4%,计共1941万片。300mm晶圆通常用于大量生产的DRAM和闪存,最近也用于图像传感器、电源管理器件、具有大尺寸芯的复杂逻辑器件和微芯片等。     

Xilinx采用90nm工艺制造FPGA器件

作为采用300mm晶圆和90nm制造技术制造FPGA产品的供应商，赛灵思公司（Xilinx）继续保持与竞争解决方案间的巨大成本优势。与目前的130nm技术相比，采用90nm工艺技术使芯片面积和芯片成本降低了50%-80%，结合300mm晶圆技术，每晶圆可生产的有效芯片数量是采用130nm技术在200mm晶圆上获得芯片数量的5倍。     

IBM以新工艺加入300mm晶圆阵营

尽管全球半导体业何时复苏仍未明朗，IBM还是在最近向外界宣布启用其耗资巨大的芯片制造工厂，厂房位于纽约北部，距曼哈顿区约60英里，占地14，000平方米，计划投入资金将超过25亿美元，是IBM有史以来最大的单项投资项目。该Foundry将首先用于300mm晶圆(wafer)的生产，预计将在明年达到量产。在此之前，intel和SamSung等已经生产300mm晶圆，采用0.13mm工艺，而IBM只是生产200mm晶圆。因此业界认为IBM此举是不甘落后，争取技术领先的重大举措。IBM新启动的工厂据认为是一家全自动化的Foundry，将首次采用0.1mm以下的先进工艺批量生…     

PLD巨头对于采用300mm晶圆和新工艺制造FPGA器件存在分歧

作为第一家采用300mm晶圆和90nm工艺技术制造FPGA产品的供应商．赛灵思公司(Xilinx)的FPGA产品Spartan-ⅡE．Virtex—E、Virtex-Ⅱ和Virtex—ⅡPro器件已经开始采用UMC(台联电)公司的300mm晶圆制造，据称已经累计销售出200多万片。同时，赛灵思公司正在积极推出其利用90nm和300mm制造技术的下一代FPGA产品。     

吉时利引进第三代品圆射频（RF）测量功能

吉时利仪器公司最近发布了用于半导体生产过程中参数测试的第三代晶圆射频(RF)测量功能。对于吉时利公司第三代射频(RF)参数测量系统方案(是一个选配件)，其独特的新内容是能提供连续、自动、实时的测试质量监控，在提供优等质量结果的同时，也获得了最高测量产能、最低运行成本，以及易于使用的特点。此外，吉时利公司的射频(RF)参数测量选项是目前唯一一个在全球范围内获得验证的，适合于200mm和300mm晶圆制造工厂的半导体参数射频(RF)测试系统，适用于包括高性能逻辑电路生产和高性能模拟集成电路生产。     

方兴未艾的全球兴建300mm晶圆线热潮

本文介绍了当前中国台湾地区．美国．日本和中国兴建300mm晶圆厂的概况和动态，并讨论了300mm晶圆制造技术的发展趋势。     

基于1066 nm光纤激光对裸硅晶圆与镀膜晶圆的标识工艺研究

针对SEMI标准对12寸(约300 mm)薄晶圆标识的要求，采用1 066 nm光纤激光晶圆标识系统对裸硅晶圆与镀膜晶圆进行激光标识工艺的研究。通过控制变量法改变激光器的功率百分比，分别在两种晶圆上标记Dot样式的SEMI字体，并对标识的质量和识读率进行评估。研究发现，裸硅晶圆标识从无到有，甚至到严重溅射对应的激光功率范围是11.77～19.25 W,镀膜后的硅晶圆对应的功率范围是4.40～11.77 W。在裸硅晶圆上标识的Dot形貌更符合SEMI标准要求。镀膜后的晶圆熔融阈值变小，但是工艺窗口变窄，标识字符和条码Dot圆度较差，飞溅不易控制。两种晶圆OCR的识读率差异不大。