IR高压栅级驱动IC采用PQFN4x4封装减少高达85％占位面积

国际整流器公司（International Rectifier．简称IR）扩展其封装系列,推出PQFN4mm×4mm封装。IR最新的高压栅级驱动IC采用该封装,为家用电器、工业自动化、电动工具和替代能源等一系列应用提供了超紧凑．高密度和高效率的解决方案。     

IR新款超小型PQFN2x2功率MOSFET为低功率应用扩展封装组合

全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）扩展其封装系列，推出新款的PQFN 2mmx2mm封装。新的封装采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技术，为一系列的低功耗应用，包括智能手机、平板电脑、摄像机、数码相机、笔记本电脑、服务器和网络通讯设备，提供超小型、高密度和高效率的解决方案。     

采用PQFN4×4封装的高压栅级驱动IC

PQFN4×4封装的厚度不到1mm，与现有的表面贴装技术相兼容，达到二级潮湿敏感度（MSL2）业界标准，也符合电子产品有害物质管制规定（RoHS）。国际整流器公司的HVIC技术在一个智能驱动器IC中集成了N通道和P通道LDMOS电路。这些IC接收低电压输入，并为高压功率调节应用提供栅级驱动和保护功能。     

具备恒定导通时间（COT）调制器的集成负载点（POL）稳压器

IR347x系列支持高达27V的输入电压，并提供4mm×5mm和5mm×6mm PQFN封装，广泛覆盖6～15A负载，使其易于扩展来满足最优价格和效能需求。新器件IR347x和IR386x适用于节能计算和消费应用，具备恒定导通时间（COT）调制器及白适应死区时间（Dead—time）控制功能，能够实现突出的轻载和满载效率。     

IR推出创新的电源模块组件为DC-DC同步降压应用提供行业领先的功率密度

国际整流器公司(International Rectifier,IR)近日推出首套创新的电源模块组件系列产品—IRFH4251D和IRFH4253D,适用于DC-DC同步降压应用,包括先进的电信和网络通讯设备、服务器、显卡、台式电脑、超极本(Ultrabook)和笔记本电脑等。新款25 V IRFH4251D和IRFH4253D采用IR的新一代硅技术和崭新的5×6mm PQFN封装,提供功率密度的新标准。全     

IR高压栅级驱动IC采用POFN4x4封装减少高达85％占位面积

国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）扩展其封装系列，推出PQFN4mmx4ram封装。IR最新的高压栅级驱动IC采用该封装，为家用电器、工业自动化、电动工具和替代能源等一系列应用提供了超紧凑、高密度和高效率的解决方案。     

紧凑型集成MOSFET解决方案

FDMF6708N是经全面优化的紧凑型集成MOSFET解决方案加驱动器功率级解决方案,用干大电流、高频率同步降压DC／DC应用。其集成了一个驱动器IC、两个功率MOSFET和一个自举肖特基二极管,采用热性能增强型6mm×6mm PQFN Intel DrMOS v4．0标准封装。     

采用小型2mm×2mm DFN封装的独立型750mA线性锂离子电池充电器

LTC4065/A是一款用于单节锂离子电池的完整独立型750mA恒定电流、恒定电压线性充电器。该器件高度集成的功能,特性、小型化扁平(高度仅0．75mm) 2mm×2mm DFN封装以及很少的外部元件使其成为空间受限的便携式应用的上佳之选。它是专为在USB电源规范内工作而设计。     

非对称双MOSFET器件

FDMS36xxS系列器件在PQFN封装中结合了控制和同步MOSFET,以及一个肖特基体二极管。这些器件的开关节点已获内部连接,能够轻易进行同步降琏转换器的布局和走线。     

IR3847：稳压器

IR推出IR3847大电流负载点（POL）稳压器,该产品可将采用纤巧的5mm×6mm封装的IR第三代SupIRBuck系列的额定电流扩大至25A。     

采用PowerPAK12128封装的新型功率MOSFET

Vishay公司推出17款新型功率MOSFET,这些器件采用小型Power PAK1218封装,具有低至3.7mΩ的超低导通电阻值。主要面向用于数据通信系统的负载点(POL)转换器及高密度DC DC变换器中的同步整流、同步降压及中间开关应用。这些TrenchFET第二代器件的尺寸仅为3.3mm×3.3mm×1mm,仅是S     

Silicon Labs推出高灵敏和高效节能的接近传感器

Silicon Laboratories宣布推出面向人机界面(HI)应用的新一代红外线(IR)和环境光传感器。Silicon LabsQuickSense HI产品组合的最新成员Si114x系列产品,为高灵敏度、高效节能以及远感应距离的接近传感器。采用极小的2mm×2mm封装,Si114x传感器能够用于手机、电子阅读器、上网本、     

新型Gen2．1 SupIRBuck集成稳压器

国际整流器公司（IR）为高性能节能服务器、存储系统和网络通信应用扩展其SupIRBuck集成负载点（POL）稳压器系列。Gen2．1SupIRBuck系列采用了设计纤薄、温度性能更强的5mm×6mmPowerQFN封装,配有先进的控制IC、MOSFET和封装集成技术,输出电流高达12A。这款新型集成稳压器系列能够满足1．5—16V的宽输入电压,输出电压由0．7V调整到输入电压的90％,同时在整个负载范围都能达到最佳效率,峰值效率超过96％。     

紧凑型PowlRaudio模块

单通道IR4301M及双通道IR4302M有助于设计师在各种通道配置内灵活安装立体声放大器及进行多通道设计。这两个器件分别采用5mm×6mm×和7mm×7mmPQFN封装，有助干彰显使用较小D类拓扑的优势。这些器件的其他主要功能包括过流保护、热关断、内／外部关闭和浮动差分输入。IR4302M还具有削波检测功能。     

硬币型电容器XH311HG

XH311HG硬币型电容器系列符合RoHS规范,展现了在3.3～0V独有的大电流放电性质。采用3.8mm×1.1mm的封装,器件兼容无铅回流工艺。性能指标包括3.3V恒定充电、一个300Ω的     

Atmel公司发布2mm见方的小型MCU

近日,美国爱特梅尔（Atmel）公司发布了配备该公司8位RISC内核的微控制器“AVR”系列中封装最小的MCU。Atmel公司ATtiny4、ATtiny5、ATtiny9和ATtiny10AVR微控制器采用超小型8－padUDFN封装,大小仅为2mm×2mm×0．6mm,重量不到8mg,其尺寸只有目前市面上最小封装的55％。     

恩智浦发布两种拥有0．65mm的行业最低高度的新2×2mm无铅分立封装

恩智浦半导体宣布推出两种拥有0．65ram的行业最低高度新2mm×2mm小信号分立无铅封装。通过具有良好的热性能和导电性的无遮蔽散热片，塑料SMD（表面封装器件）封装的使用寿命得到了提高，并提供3引线（SOT1061）和6引线（SOT1118）两个版本。新产品包括26款FET-KY、双P通道MOSFET、低VCesat晶体管和肖特基整流器，最高功耗Ptot2．1W。该性能大致与行业标准封装SOT89（SC-62）相当，但是只占用一半的电路板空间。     

3×5.5×1mm的MEMS模块

正意法半导体(STMicroelectronics,简称ST),发布一款在3×5.5×1 mm微型封装内整合三轴线性加速度和角速度传感器的惯性传感器模块。这款新产品是6个自由度的iNEMO传感器模块,较意法半导体现有产品尺寸缩减近20%。为今天空间受限的消费电子应用(如智能手机、平板电脑等便携式电子设备)带     

电阻及电容

硬币型电容器XH311HG硬币型电容器系列符合RoHS规范,展现了在3.3～0V独有的大电流放电性质。采用3.8mm×1.1mm的封装,器件兼容无铅回流工艺。性能指标包括3.3V恒定     

一种用于地震检波器的新型MEMS加速度传感器北大核心

设计了一种新型的可用于地震检波器的三明治结构MEMS电容式加速度传感器,采用四层硅-硅键合技术获得双面梁-质量块结构与圆片级真空封装,其具有大电容、高分辨率的特点。传感器采用悬臂梁结构减少高温键合过程中热蠕变带来性能影响,并具有良好的抗冲击性。传感器芯片体积为6.3 mm×5.6 mm×2.2 mm,其中敏感质量块尺寸为3.3 mm×3.3 mm×1.0 mm。对封装后的传感器性能进行了初步测试,结果表明,制作的传感器灵敏度达24.4 pF/g,谐振频率为808 Hz,Q值为22,在2 000 g,0.5 ms加速度冲击后仍能正常工作。接入闭环电路进行重力场静态翻滚实验标定,传感器二阶非线性小于0.2%,交叉轴敏感度小于0.07%。