100V半桥栅极驱动器

与标准金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）相比,由于具有较低的导通电阻（Rdson）、栅极电荷（Qg）以及超小的体积,增强型GaNFET可以实现更高的效率和功率密度,但是要可靠地驱动这类器件也面临着新的重大挑战。LM5113驱动集成电路化解了这些挑战,使电源设计人员能够在各种流行的电源拓扑结构中发挥GaNFET的优势。     

200V增强型氮化镓（eGaN）功率晶体管

EPC2010是第二代eGaN场效应晶体管（FET）系列产品中的新成员,它具有更高的性能,不仅环保、不含铅,而且符合RoHS（有害物质限制）指令。EPC2010功率晶体管是一款200VDS器件,最大RDs（ON）值为25mΩ,栅极施加电压是5V。这种eGaN FET与第一代EPC1010 eGaN器件相比具有明显的性能优势。     

高可靠性、高效率的半桥栅极驱动器

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出两种新型高性能半桥栅极驱动器IC。FAN7380和FAN7382采用共模dv／dt噪声消除电路，可提供优异的抗噪性能。这些器件具备先进的电平转换电路，允许工作于波动高达-9V(@VBS=15V)的负VS范围，同时具有业界最低的静态电流(FAN7380：IQBS=40μA(typ)，IQCC=60μA(typ)；FAN7382：     

研诺推出同类中阻抗最低的半桥MOSFET驱动器

研诺逻辑科技最新推出的AAT4910支持电压高达28V，其半桥双金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）驱动器可提供业界同类多相DC—DC转换器中的最低阻抗。     

功率MOSFET的研究与进展

器件设计工艺、封装、宽禁带半导体材料和计算机辅助设计4大技术的发展进步使得功率MOSFET的性能指标不断达到新的高度。超级结技术使得高压功率MOSFET的导通电阻大大降低,降低栅极电荷和极间电容的改进沟槽工艺和横向扩散工艺技术进一步提高了低压功率MOSFET的优值因子,中小功率MOSFET继续朝着单片集成智能功率电子发展。功率MOSFET封装呈现出集成模块化、增强散热性和高可靠性的特点。基于宽禁带半导体材料SiC和GaN的功率MOSFET具有高温、高频和低功耗等优异性能,计算机辅助设计工具引领功率MOSFET在工艺设计、制造和电路系统应用方面快速发展。     

安森美半导体推出能降低损耗的低压功率MOSFET新系列，以达到业界更高能效的需求

推动高能效创新的安森美半导体（ONSemiconductor）推出新系列的6款N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）,它们经过设计及优化,提供领先业界能效,优于市场现有器件。     

安森美推出500V和600V的高压MOSFET

安森美半导体扩充公司市场领先的功率开关产品阵容,推出包括500V和600V器件的高压功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）系列。这些新方案的设计适合功率因数校正和脉宽调制段等高压、节能应用的强固要求,在这些应用中,加快导通时间及降低动态功率损耗至关重要。具体而言,这些方案非常适合用于游戏机、打印机和笔记本电源适配器,及应用于ATX电源、液晶显示器面板电源和工业照明镇流器。     

安森美推出NCP1230和NCP1231PWM控制器系列

安森美半导体目前宣布推出整装同步整流器NIS6111，此集成方案解决设计人员需采用分立元件以达到高功率密度的难题。N1S6111为高速、高效的混合整流器，可将高速比较器和MOSFET驱动器与功率MOSFET耦合在一起，相当于一个与MOSFET具有相同正向压降特性的二极管。NIS6111的低正向压降和快速转换功能提高了效率且无需使用庞大的散热器。它们通过降低反激或谐振拓扑结构开关电源中的次级整流结温实现此目的。