ZnO压敏陶瓷晶界缺陷的正电子寿命谱研究

用正电子寿命谱（ＰＡＳ）研究了ＺｎＯ压敏陶瓷的晶界缺陷，用简单捕获模型解释ＰＡＳ结果并估算正电子捕获速率，主要的正电子陷阱是晶粒边界带负电的Ｚｎ空位。详细分析了材料制备过程中降温快慢对晶界特性的影响。     

ZnO压敏陶瓷的晶界结构

用ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＴＥＭ研究了低压ＺｎＯ压敏陶瓷的相结构与晶界结构，证实了晶界相的不连续性，发现低压ＺｎＯ－Ｂｉ２Ｏ３－ＴｉＯ２系中ＺｎＯ－ＺｎＯ晶粒直接接触区晶界宽度约为４５ｎｍ，以及烧结过程中晶界上ＺｎＯ纳米级单晶的迁移行为并计算出ＺｎＯ晶界移动激活能Ｑｍ。     

稀土聚乙炔的正电子湮没寿命谱的研究EI

本文对高顺式的稀土聚乙炔保存在空气中和保存在真空中,对高反式的稀土聚乙炔保存在真空中的的三种样品,在室温条件下,在制备后不同的时间里测定它们的正电子湮没寿命谱参量。根据寿命值和强度提出了正电子在稀土聚乙炔中的湮没模型。根据模型计算了它们的密度和结晶度。例如反式聚乙炔的密度为1.08g/cm^3,结晶度为0.67。最后用此模型解释了由实验测得的三种样品在不同存放时间的寿命谱参量随存放时间变化的关系曲线。     

ZnO压敏陶瓷的一价离子掺杂

本文研究了一价金属离子掺杂对ＺｎＯ压敏陶瓷电性能的影响。根据晶界的Ｓｃｈｏｔｋｙ势垒模型分析计算了ＺｎＯ晶粒表层１５ｎｍ浅范围的正电荷中心浓度ＮＤ对ＺｎＯ压敏陶瓷小电流区非线性特性的影响。结果表明ＮＤ减小，非线性增强，如果掺入ＺｎＯ压敏陶瓷中的一价金属离子进入了ＺｎＯ晶粒体内对正电中心进行补偿，则会使大电流区的非线性变差。     

PZT多元系固溶体压电陶瓷中的正电子湮没研究

测量了不同组成的ＰＺＴ多元系固溶体瓷中的正电子寿命谱,根据测得的寿命谱参数,得到反映该压电陶瓷完整体性质的自由态湮没寿命Ｔｆ值,并了影响Ｔｆ的因素。     

ZnO籽晶对ZnO压敏陶瓷微观结构和电性能的影响

本文研究了ＺｎＯ籽晶的制备，探讨了昌对ＺｎＯ压敏陶瓷材料微观结构及压敏电压。通流容量。非线性一系民性能的影响。结果表明，通过掺加ＺｎＯ籽晶，可有效地控制材料中ＺｎＯ昌粒生长入材料微观结构。达到降低材料压敏电压和提高通流容量的目的。     

ZnO压敏陶瓷的高温热释电现象

发现具有相变的Ｂｉ２Ｏ３系和不具有相变的Ｐｒ２Ｏ３系ＺｎＯ压敏陶瓷能从４００℃附近起产生热释电电流，这是在高温热过程中ＺｎＯ压敏陶瓷内有电荷迁移的直接证据，研究了升温速度和热循环次数对Ｂｉ２Ｏ３系和Ｐｒ２Ｏ３系ＺｎＯ压敏陶瓷热释电规律的影响．结果表明，在一定升温速度范围内高温热释电电流Ｉ－Ｔ曲线与升温无关；热历史对Ｐｒ２Ｏ３系ＺｎＯ压敏陶瓷的Ｉ－Ｔ曲线几乎没有影响，但对Ｂｉ２Ｏ３系的Ｉ－Ｔ曲线的影     

MgAl2O4透明陶瓷的正电子湮没寿命谱研究

采用正电子湮没寿命谱的方法研究了Mg-Al尖晶石透明陶瓷被电子,质子辐照后的缺陷情况,以及在γ射线辐照下,缺陷情况随γ射线剂量的变化规律,并研究了其退火特性。     

掺杂TiO2的ZnO压敏电阻正电子寿命谱研究

利用正电子湮灭技术(PAS)和扫描电子显微镜(SEM),分析了掺杂TiO2的ZnO压敏电阻的晶界缺陷,以及不同降温速率对晶界特性的影响.实验结果表明,向样品中掺杂TiO2或者快速冷却样品,都能使得样品晶界处Zn空位团尺寸变大,浓度减小.     

正电子湮没技术在涂料领域的应用

正电子湮没技术(PAS)作为一种新型的探测手段，近年在研究高分子材料的自由体积等方面获得了很大成功，在涂料领域γ射线多普勒增宽能谱被发现能够很好地研究涂料的老化机理，通过调节入射正电子的能量还可以得到不同深度涂层的自由体积变化和老化程度，综述了PAS技术在涂料中的应用。     

氧化锌压敏电阻的老化机理

研究了ZnO压敏电阻的老化现象,提出了一种新的老化机理-线性链理论。该理论认为,在外电场作用下,压敏电阻势垒高度降低;当降低到一定值时,晶界可变电阻转化为线性晶界电阻,从而压敏链转化为线性链。线性链是稳定的,因而压敏电阻老化到一定程度后其电性能将不能完全恢复。     

化学合成瓷料对ZnO压敏电阻的性能及微观结构影响

用化学法掺杂合成的粉料制成压敏电阻并作了电性能检测，发现其有高的电位梯度（２９０￣５００Ｖ／ｍｍ）；在进行８／２０μｓ模拟雷电冲击时发现其单位体积可承受较大的冲击能量，并有较小的Ｖ１ｍ４变化率；用电子探针观测了其微观结构，发现其有均匀细小的晶粒晶界结构。     

环氧树脂湿热老化机理的正电子湮没实验

采用热失重(TGA)、热机械分析(DMA)、正电子湮没技术(PAL)对环氧树脂618/DDS体系湿热老化前后的性能进行测试,测试了体系湿热老化前后的吸水率和介电性能,对环氧树脂618/DDS体系的吸水机理进行了研究。结果表明,环氧树脂618/DDS体系的吸水率为3.5%,湿热老化后对体系的热失重温度没有影响,湿热老化后环氧树脂618/DDS体系损耗模量降低了250MPa,玻璃化温度降低了大约50℃,损耗峰由湿热老化前的一个峰变为两个峰。吸水后介电常数增大,介电损耗值增大。湿热老化后自由体积尺寸减小,自由体积浓度增大,体系中的水分起着增塑剂的作用,导致基体中形成更多的微裂纹。     

利用原子力显微镜低频声学模式观察氧化锌压敏电阻

介绍在商用原子力显微镜上建立的低频声学成像模式,并利用其对氧化锌压敏电阻陶瓷晶界处进行了弹性性能成像.声学像中晶界处微晶的衬度反映了添加物的分布.而晶界处的衬度增强现象可能说明样品经热处理后发生富铋相的相变.结果显示低频声成像的分辨率达到了纳米量级,在功能材料的微区力学性能表征方面具有良好的应用前景.     

热释发光-正电子湮灭法研究SrAl2O4基磷光体长余辉发光机制

利用传统陶瓷制备方法合成了长余辉SrAl2O4：Eu，Dy发光粉材料，并利用热释发光—正电子湮灭法对该材料的发光性能及机理进行了研究。研究结果表明，掺杂的Eu在基质材料中主要充当发光中心，而Dy离子主要充当陷阱能级。正电子湮灭试验结果表明，Sr0.94Al2O4：Eu0.02和Sr0.94Al2O4：Eu0.02，Dy0.04存在带负电中心的缺陷，共掺杂的Dy^3 进到Sr^2 位，同时产生一定量的Sr空位，热释发光谱结果表明，单掺杂Eu离子的磷光体中缺陷陷阱深度较深，约为0．95eV，随着Dy的共掺杂，热释发光强度相应增加，陷阱深度降为0．51eV，对于长余辉发光机制，认为陷阱能级捕获的空穴与介稳态(Eu^1 )^*的复合，导致了长余辉现象的发生，并且由于陷阱深度的变化，导致余辉性能出现较大的差异。