正电子湮没技术与形状记忆合金

本文简述了最近几年正电子湮没技术在形状记忆合金研究中的应用。     

正电子湮没技术在研究合金形状记忆性能中的应用

本文用正电子湮没技术测试了Cu-Zn-Al形状记忆合金100℃母相时效过程中空位的变化。结果发现,随着时效时间的延长,空位浓度不断降低,空位尺寸不断增大。这一结果很好地解释了记忆合金马氏体逆转变温度As的变化规律,从而证明过饱和空位是Cu-Zn-Al形状记忆合金马氏体稳定化的一个主要原因。     

正电子湮没谱学与应用（连载1）

正电子湮没谱学以它可以提供独特的信息和简便的实验过程为缘，目前已经成为各种学科，特别是材料科学基础和应用研究的重要工具。本文介绍了正电子湮没谱学及其应用。     

正电子寿命谱仪探测器的输出影响因素和选择

本文研究了正电子湮没寿命谱仪探测器的输出影响因素。两个最重要的影响因素是光电倍增管和ＢａＦ２晶体之间的光学耦合以及光电倍增管上所加的高压，我所正电子湮没寿命谱仪探测器所使用的高压选择为２．４５ｋＶ，２．５７ｋＶ，两个探测器的输出电压是１．８Ｖ。     

关于纳米晶材料微结构的正电子湮没研究

概述了正电子湮没技术，特别是正电子湮没寿命谱仪在纳米晶材料微研究中的应用。     

Cu—Zn—Al合金中转变的正电子湮没研究

本文用正电子湮没Doppler展宽能谱和其它相关技术分析Cu-23 at％Zn-10 at％Al形状记忆合金不同温度淬火后的试样表明,该合金除了于700～600℃有α相变外,在550～500℃和300～250℃还有两个转变,前者可能是无序β相向有序B_2相的转变,后者可能是有序B_2相向有序DO_3相的转变。正电子湮没Doppler展宽能谱对。相变不敏感,但对有序转变敏感。     

新型超微晶软磁合金FePCCuMoSi微观结构缺陷的正电子湮没研究

用正电子湮没方法研究了新型超微晶软磁合金的微观结构缺陷，样品选用的是在不同温度下退火的Ｆｅ８１Ｐ１２Ｃ３Ｃｕ１Ｍｏ０．５Ｓｉ２．５合金，结果表明，合金的微观结构构陷大小，密度随退火温度有规律地变化，这种现象可能与非晶的晶化过程有关。     

掺杂Y2O3的ZnO导电陶瓷正电子寿命谱研究

用正电子湮没技术,结合X射线衍射结构分析,对掺杂Y2O3的ZnO导电陶瓷烧结过程进行了研究,给出了掺杂含量、烧结温度和烧结时间对材料结构的影响特征,研究发现:Y2O3掺杂量增加,ZnO导电陶瓷材料完整性变差;烧结温度升高,ZnO陶瓷产生微空洞为主的缺陷;烧结时间增加,微空洞缺陷数目明显增加。同时对正电子湮没机制与ZnO陶瓷导电特性的关联进行了研究。     

掺杂Y2O3的ZnO导电陶瓷正电子寿命谱研究

用正电子湮没技术,结合X射线衍射结构分析,对掺杂Y2O3的ZnO导电陶瓷烧结过程进行了研究,给出了掺杂含量、烧结温度和烧结时间对材料结构的影响特征,研究发现Y2O3掺杂量增加,ZnO导电陶瓷材料完整性变差;烧结温度升高,ZnO陶瓷产生微空洞为主的缺陷;烧结时间增加,微空洞缺陷数目明显增加.同时对正电子湮没机制与ZnO陶瓷导电特性的关联进行了研究.     

e／a不同的Cu—Zn—AL合金的正电子湮没研究

测量了电子/原子比 e/a 不同的 Cu-Zn-Al 合金的正电子湮没 Doppler 展宽能谱 S 线形参数,表明在 Cu-Zn-Al 合金中电子/原子比 e/a 越大,保留的淬火空位浓度越高。     

CuZnAl合金空位的正电子湮没研究

本文用正电子湮没Ｄｐｐｌｅｒ展宽能谱技术，并结合正电子湮没寿命谱仪研究了Ｃｕ２３ａｔ．％Ｚｎ－１０ａｔ．％Ａｌ形状记忆合金的空位，给出了该合金的表面空位形成能及不同温度淬火所保留的非平衡空位浓度。     

TiNi合金可逆记忆效应的正电子湮没研究

用正电子漂没Ｄｏｐｐｌｅｒ展宽能谱仪测量了若干具朋可逆形状记忆效应的Ｔｉ－５１．０ａｔ．％Ｎｉ合金试样。发现：凡可逆形状记忆效应好的试样都含有结构缺陷，这一点与文献报道的一致；但是；并不是所有包含结构缺陷的试样都能给出好的可逆形状记忆效应；要获得好的可逆形状记忆效应，试样中的结构缺陷在密度上必须适量，不多不少，数量太多或太少的试样都不能产生好的记忆性能。