Ku波段8W GaAs内匹配微波功率FET

Ｋｕ波段８ＷＧａＡｓ内匹配微波功率ＦＥＴ李祖华（南京电子器件研究所，２１００１６）Ｋｕ－Ｂａｎｄ８ＷＧａＡｓＩｎｔｅｒｎａｌｌｙＭａｔｃｈｅｄＭｉｃｒｏｗａｖｅＰｏｗｅｒＧａＡｓＦＥＴ￥ＬｉＺｕｈｕａ（ＮａｎｊｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＤｅｖｉｃｅｓ...     

Combined tunable optical filter with supre-high finesse

Ｃｏｍｂｉｎｅｄｔｕｎａｂｌｅｏｐｔｉｃａｌｆｉｌｔｅｒｗｉｔｈｓｕｐｒｅ－ｈｉｇｈｆｉｎｅｓｓｅ￥／／ＫａｉｄｅＺｈａＩｎｄｅｘｉｎｇｔｅｒｍｓ：ｏｐｔｉｃａｌｆｉｌｔｅｒ，Ｆ－Ｐｃａｖｉｔｙ，ｏｐｔｉｃａｌｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎＩｎｔｈｉｓｐ...     

5.5瓦AC适配器

具有通用输入（８５－２６５Ｖ ＡＣ）的 ５．５Ｗ（９Ｖ,０．６Ａ） ＡＣ：适配器电路示于图１。此适配器的关键元件是ＴＮＹ２５６（ＴｉｎｙＳｗｉｔｃｈ）控制器,它把高电压功率ＭＯＳＦＥＴ（７００Ｖ）开关与电源控制器组合在一个器件中。它不像通常的ＰＷＭ（脉宽调制）控制器那样,采用简单的ＯＮ／ＯＦＦ（开／关）控制来调整输出电压。ＴＮＹ２５６控制器由一个振荡器、使能（感测和逻辑）电路、５．８Ｖ稳压器、旁路端欠压电路、过温保护、限流电路、前沿消隐和一个７００Ｖ功率ＭＯＳＦＥＴ组成。ＴＮＹ２５６包括用于线路欠…     

科研成果介绍

科研成果介绍砷化镓功率场效应晶体管系列ＧａＡｓＰｏｗｅｒＭＥＳＦＥＴｓＳｅｒｉｅｓ南京电子器件研究所已研制成ＧａＡｓ功率场效应晶体管系列，具有以下特点：。用途广：卫星通讯，移动通讯，微波系统，微波数字通讯，相控阵雷达等设备中的振荡与功放。。高可靠：微...     

WZB 0812、WZB 1218 Digital Tuned Oscillator

ＮＥＤＩｈａｓｄｅｖｅｌｏｐｅｄＷＺＢ０８１２、ＷＺＢ１２１８ＤｉｇｉｔａｌＴｕｎｅｄＯｓｃｉｌｌａｔｏｒ．Ｔｈｅｓｐｅｃｉｆｉｃａｔｉｏｎｓａｒｅａｓｆｏｌｌｏｗｓ：ＰａｒａｍｅｔｅｒＷＺＢ０８１２ＷＺＢ１２１８Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙｒａｎｇｅ,ｍｉｎ．／ＧＨｚ８～１２１２～１８Ｄｉｇｉｔａｌｔｕｎｉｎｇｗｏｒｄ／ｂｉｔ１２ＲＦｐｏｗｅｒ　　Ｏｕｔｐｕｔ,ｍｉｎ．／ｄＢｍ１３　　Ｖａｒｉａｔｉｏｎ／ｔｅｍｐ．ｃｏｅｆｆ．ｍａｘ．／ｄＢ·Ｃ－１０．０２Ａｕｘ．ｏｕｔｐｕｔ,ｍｉｎ．／ｄＢｍ０Ｍｏｄｕ…     

微波场效应功率放大器的CAD技术

微波场效应晶体管功率放大器的计算机辅助设计与分析技术关键是微波非线性电路的分析方法和功率场效应管器件模型的建立。本文在概述微波ＧａＡｓ ＦＥＴ ＣＡＤ、ＣＡＡ基本原理基础上，着重阐述了分析微波非线性电路的频域谐波平衡法，接着介绍了一个直接从ＧａＡｓＦＥＴ小信号Ｓ参数建立其大信号模型的新方法，上述技术可望在微波功率场效应放大器的批量研制中得到应用。     

钨在SF_6／O_2射频等离子中的反应离子刻蚀动力学研究

钨在ＳＦ＿６／Ｏ＿２射频等离子中的反应离子刻蚀动力学研究＝ＡｋｉｎｅｔｉｃｓｔｕｄｙｏｆｒｅａｃｔｉｖｅｉｏｎｅｔｃｈｉｎｇｏｆｔｕｎｇｓｔｅｎｉｎＳＦ＿６／Ｏ＿２ＲＦｐｌａｓｍａｓ［刊，英］／Ｐｅｉｇｎｏｍ，Ｍ．Ｃ．…／／Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ...     

铝—RIE刻蚀工艺

干法刻铝中,ＢＣｌ３添加Ｃｌ２、ＣＨＣｌ３和Ｎ２,可改变Ａｌ的刻蚀速率、Ａｌ对ＳｉＯ２和胶的选择性、线宽和胶膜质量,其中Ｃｌ２流量影响最大。此外,本文还给出了ＲＦ功率和气压的影响。采用适当的气体组合、不太高的功率和不态低的气压（ＢＣｌ３：Ｃｌ２：ＣＨＣｌ３：Ｎ２＝７０ｓｃｃｍ：１５ｓｃｃｍ：１０ｓｃｃｍ：０￣５０ｓｃｃｍ,２００ｍＴｏｒｒ,２００Ｗ）可以实现细线条（０．６μｍ）Ａｌ的刻蚀。     

扩频多址系统

介绍多载波频率分集扩频多址系统（ＦＤ／ＳＳＭＡ）及其主要特点：ＦＤ／ＳＳＭＡ系统具有低功率谱密度、多址、抗干扰及抗多径能力，ＦＤ／ＳＳＭＡ系统的发送均可用离散傅立叶变换实现，ＦＤ／ＳＳＭＡ系统具有灵活性；ＦＤ／ＳＳＭＡ系统的同步不用考虑伪码的同步。     

微波电路产品介绍──之二

微波电路产品介绍──之二ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎｏｆＭｉｃｒｏｗａｖｅＣｏｍｐｏｎｅｎｔｓ（２）￥／／南京电子器件研究所微波电路部拥有我国首批通过专用质量管理论证的微波电路生产线，具有完善的质量保证体系和全套引进微波电路生产技术，配备全套ＨＰ公司微波...     

C波段双频切换低相噪介质稳频振荡器的设计

文章介绍了一种双频切换，低相噪介质稳频振荡器（ＤＲＯ）的设计方法。运用微波ＣＡＤ设计的Ｃ波段ＤＲＯ，其相位噪声可达到－７２～－７５ｄＢｃ／１Ｈｚ／１ｋＨｚ，最佳为－８０ｄＢｃ／１Ｈｚ／１ｋＨｚ；输出功率大于２０ｍＷ；推频系数小于１００ｋＨｚ／Ｖ；可在－２０℃～＋５５℃工作。     

低压GaAs功率FET

低压ＧａＡｓ功率ＦＥＴ据《ＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＷｏｒｌｄ》１９９３年第１５期报道，日本松下电器工业公司已制成３．５Ｖ低压（与以前电源电压４．７Ｖ相比）工作的ＧａＡｓ功率ＦＥＴ。新产品的特点：（１）开发了ＧａＡｓ衬底表面缺陷较少的新工艺，上升电压...     

最新的通信IC

以下介绍的通信ＩＣ都是各公司１９９６年的最新产品，其品种涉及到ＰＣＳ手机、无绳电话、无线通信、卫星电视、调制解调器、ＦａｓｔＥｔｈｅｒｎｅｔ和ＡＴＭ等。＋３ＶＤＣＰＣＳ手机用分立器件和ＩＣＯｋｉ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ公司开发了一系列８００～１９００ＭＨｚＰＣＳ手机用＋３ＶＤＣ分立器件和ＩＣ。这些器件是用ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ技术和硅ＣＭＯＳ技术制作的。ＧａＡｓ器件包括ＫＧＦ１６０６分立ＧａＡｓ场效应管（ＦＥＴ）、ＫＧＦ１６０８分立ＧａＡｓ　ＦＥＴ和ＫＧＦ１２６２中功率ＧａＡｓ单片微波集成电路…     

硅微波功率DMOSFET发展现状

简要地评述了硅微波功率ＤＭＯＳＦＥＴ （ＬＤＭＯＳ, ＶＤＭＯＳ） 的发展概况, 叙述了硅微波功率ＤＭＯＳ的基本结构和一些重要的制造技术。对微波功率ＤＭＯＳ的性能、特点与ＢＪＴ进行了比较, 并对其应用、发展方向及前景进行了探讨。     

微波电视联网方案初探

微波电视联网方案初探淮南煤矿广播电视中心高泽祥近几年来，我国的有线电视（ＣＡＴＶ）发展极为迅速，各地纷纷进行联网。ＣＡＴＶ联网的常用方式有同轴电缆ＲＦ－Ｃｏａｘｉａｌ－Ｃａｂｌｅ、光纤光缆－Ｏｐｔｉｃａｌｆｉｂｅｒｃａｂｌｅ和微波Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ等...     

SIMOX材料注F+后的SIMS分析

实验中采用三种剂量注入ＳＩＭＯＸ材料中,注入剂量分别为５×１０＾１２Ｆ＾＋／ｃｍ＊＾２,５×１０＾１３Ｆ＾＋／ｃｍ＾２,１×１０＾５Ｆ＾＋／ｃｍ＾２,用ＳＩＭＳ技术了Ｆ在材料中的浓度分析,结果表明,随着注Ｆ＾＋能量和剂量的改变,Ｆ＾＋在材料中的深度分布也相应改变。     

结合D／A转换和FIR滤波的一种高速可编程CMOs接口系统

结合Ｄ／Ａ转换和ＦＩＲ滤波的一种高速可编程ＣＭＯｓ接口系统＝Ａｈｉｇｈ－ｓｐｅｅｄｐｒｏ－ｇｒａｍｍａｂｌｅＣＭＯＳｉｎｔｅｒｆａｃｅｓｙｓｔｅｍｃｏｍｂｉｎｉｎｇＤ／ＡｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎａｎｄＦＩＲｒｉｌｔｅｒｉｎｇ［刊，英］／Ｈｅｎｒｉｑｕｅｓ...     

一种新型微波手术设备

一种新型微波手术设备ＯｎａＮｏｖｅｌＭｉｃｒｏｗａｖｅＳｕｒｇｉｃａｌＯｐｅｒａｔｉｏｎａｌＩｎｓｔｒｕｍｅｎｔ￥／／刘健（西安理工大学自动化系，西安７１００４８）利用微波能的热效应实现外科手术止血的微波手术刀已经商品化，但微波泄瞩的防护问题没有满意...     

快速退火BF+注入非晶硅薄膜的显微分析

将具有能量９２ｋｅ Ｖ、剂量１×１０１５／ｃｍ ２ 的 Ｂ Ｆ＋ 注入由 Ｐ Ｅ Ｃ Ｖ Ｄ 方法制备的ａ Ｓｉ∶ Ｈ 薄膜中,然后用功率为 ６０ Ｗ 、束斑直径 ０２ｃｍ 的 Ｃ Ｗ Ｃ Ｏ２ 激光器进行 １０ｓ 快速退火。再用扫描电子显微镜（ Ｓ Ｅ Ｍ）进行显微形貌观察。分析结果指出：由于 Ｂ Ｆ＋ 的注入,使ａ Ｓｉ∶ Ｈ 薄膜中产生了多重结构缺陷,其表面轮廓是类似矩形和方形的图形;发现退火中的晶化是从这些缺陷的棱边开始。最后对晶化过程和机理进行了讨论。     

IR推出FlipFET(tm)功率MOSFET

国际整流公司（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎ Ｒｅｃｔｉｆｉｅｒ,简称ＩＲ）推出专用 ＦｌｉｐＦＥＴ（ｔｍ）功率ＭＯＳＦＥＴ器件,所有管脚均位于芯片的同一侧．开创了新一代芯片级封装超精巧功率结构。崭新的功率ＭＯＳＦＥＴ可实现１００％的硅／面积比,特别适合窝电话等空间有限的便反作用式应用系统。 如今,有许多蜂窝电话的智能锂电池组采用双ＳＯ－８ ＭＯＳＦＥＴ。 ＦｌｉｐＦＥＴ技术可大大减少路尺寸,因而能在相同体积的电池组中,将标准锂电池的３小时时通话时间延长半小时,相当于电池容量增加近２０％。 随着第三代因特网多…