NSRL 800MeV电子储存环束流发射度测量装置的研制

在同步辐射加速器中，储存环的电子束团截面尺寸小，要测量出束团截面的电荷分布、截面尺寸和束流发射度是相当困难的工作，本测量装置可以实现。     

NSRL800 MeV电子储存环束流发射度测量装置的研制

在同步辐射加速器中，储存环的电子束团截面尺寸非常小，要测量出来团截面的电荷分布、截面尺寸和束流发射度是相当困难的工作，本测量装置可以实现。     

Tek实时频谱仪在"高能加速器"测试方面的应用

0.引言 加速器即带电粒子加速器是人类探索微观世界的重要设备和手段,随着加速器理论以及和加速器相关的科学技术的飞速发展,目前加速器已变成许多学科都必不可少的实验装置,像医学、材料学、化学、生物学等等.加速器的种类很多,根据应用划分,目前的高能加速器主要应用于粒子对撞和同步辐射.另外,还可以根据其加速的内容和方式,对加速器进行分类.北京正负电子对撞机(BEPC)即是我国自行建造的第一台高能加速器,它有电子直线加速器(Linac)、正负电子输运线(Transport line)以及储存环(StorageRing)组成.储存环可以提供正、负电子对撞束流,用于高能物理实验和兼容模式的同步辐射研究,或者提供电子束流专门用于同步辐射研究.通常在高能加速器中,电子枪发出的电子束通过直线加速器加速到预先确定的能量,然后通过输运线或增强(Booster)环注入到储存环.储存环有许多用于带电粒子束偏转的电磁铁以及用于加速和聚束电荷粒子的高频腔.每次在粒子束通过高频腔时,粒子束将被聚束和加速,获得更多的能量.电磁铁则用来调节粒子束的闭轨,这样可以使得粒子束在理论设计的磁聚焦结构(Lattice)中保持沿平衡轨道作圆周运动.     

通用技术与设备

0103475双束流激发的纵向尾场与纵向不稳定性的研究[刊]/王兰法//强激光与粒子柬.—2000,12(4).—512～516(D)用解析的方法研究了同向和反向运动束流激发的纵向尾场,并且给出了线性近似下束团沿环不均匀分布情形下的双束流多束团纵向不稳定性的计算公式,得出了双束流不稳定性与高频腔(或其它类腔结构)在环上位置及模的对称性有关的结论。参7     

X波段同轴多注相对论速调管放大器模拟研究

 设计了工作在X波段的同轴多注相对论速调管放大器,建立了带输入、输出波导结构的三维整管模型,采用三维电磁粒子模拟软件对其高频特性进行了优化设计,对电子束经过输入腔后的束流调制、注入微波吸收情况、中间腔对束流的调制以及输出腔的微波提取情况进行了模拟研究.在输入微波功率为70kW,电子束束压为600kV,束流为5kA,轴向引导磁感应强度为0.6T的条件下,输出微波功率达到了1.3GW,效率为43%,增益为42dB,在较低的输入微波功率和较小的轴向引导磁感应强度的情况下,模拟实现了X波段RKAGW级的微波功率输出.     

卫星地球站高功率放大器末级管的调测

在地球站的日常维护工作中，高功率放大器的维护工作是必不可少的，我区卫星地球站采用的高功率放大器是美国MCL公司的产品，工作在C波段，速调管放大带宽为45MHz。输出功率为3.35KW。是可调的12讯道速调管高功率放大器。其末级管采用的是THOMSON公司的TH2450速调管。1 速调管的工作原理五腔速调管放大器的放大物理过程是在第一腔输入高频电压，使电子束产生速度调制，经过第一间隙漂移腔形成群聚，电子束有了一定的密度调制，在穿过第二间隙时，它对第二腔的感应电流使间隙建立起高频电压，在这一电压的作用下，又使电子受到第二次…     

C波段多注速调管高频系统的模拟研究

采用电磁仿真软件对C波段多注速调管的输入腔、输出腔及中间腔的高频特性进行了冷腔分析。采用CHIPIC软件对高频互作用区进行了整体建模。为得到稳定且较高的输出功率,对电子束,输入功率及输出耦合结构等参数进行研究分析。通过对结果的分析,模拟整个高频结构的工作情况,在电子束电压28 kV,总电流为14.96 A的条件下,得到了功率为225 kW的峰值功率,效率为50%。     

L波段相对论速调管束流实验研究

介绍在Ｌ波段强流相对论速调管研究中，强流相对论短脉冲空心电子束的产生，传输、束流调制及其诊断等方面的初步实验研究情况，在直线感应加速器上，利用φ６６ｍｍ，壁厚３ｍｍ的石墨空心阴极，加上约５ｋＧｓ的准直线引导磁、引出了约５００ｋＶ、４．５ｋＡ、脉宽１００ｍｓ、φ５４．５ｍｍ、厚度４．５ｍｍ的空心电子束，注入５００ｋＷ的微波调制，束流经过输入腔后，得到了约６％的最大基波电流调制深度，经过中间腔后，得到     

电磁场与微波技术

04499020678合肥同步辐射光源储存环真空系统改造段的设计/蒋迪奎,殷立新(中国科技大学合肥国家同步辐射实验室)11真空科学与技术学报.一1 998,18(5)一359一363合肥同步辐射光源(HLS)安装了一台6T超导扭摆磁铁.原储存环寡空系统的1/s必须由改造段更换.改造段设计中遇到了新问题,如超导扭摆磁铁发出的同步辐射光的光通路和电子束流通道的确定,吸收同步辐射光的吸收器的设计,同步辐射光的光电解吸气载的计算,改造段真空室截面的平滑过渡的实现和超导扭摆磁铁7 7K低温束流管道的特殊问题等.图2参4(许)044,TN011 99020679用支割线积分法计算…     

电子束曝光机束斑的自动测控系统

根据亚微米电子束曝光机束斑直径、束流大小与各磁透镜电流之间的关系以及刀口法测试束斑的原理，设计了一套总线式的束斑自动测控系统。该系统以ＩＢＭ—ＰＣ／ＡＴ作为主控机，系统包括用于总线扩展的总线驱动板、电子束扫描控制板和束流信号数据采集板。     

CRT用非轴对称电子枪的电子束分析

装有非轴对称电子枪的显象管的电子束模拟器已开发出来，该模拟器已考虑到了电荷效应，电子热扩散和偏转散焦效应，模拟器中，电子束被分成各个高斯束流，每个高斯束流都具有主轨道和旁轴轨道。为计算主透镜的静电场，对于复杂的电极需采用极场展开法与表面电荷法相结合的办法来减少ＣＰＵ时间，简化数据输入，动态象散校正依靠主透镜上旋转一四极透镜的方法来完成，象散的消除采用电子束形成区域用狭缝和方孔的方法来完成，这些都已     

e型电子束蒸发源的原理及维修

电子束蒸发由于其显著的优点应用日趋广泛,成为工业镀膜工艺中最主要的技术之一。基于真空镀膜技术,首先对电子束蒸发的定义进行了阐述,介绍了电子束蒸发源的特点及优势,详细说明了e型电子束蒸发源的结构及工作原理。重点分析了电子枪灯丝与聚束极的相对位置对束斑及束流大小的影响。结合维修经验对e型电子束蒸发源的日常维护进行了总结,对更换电子枪灯丝步骤及注意事项进行了细致说明,着重提出了腔室及蒸发源的洁净度对工艺质量的影响。最后对于蒸发过程中常见故障现象及解决方法进行说明。     

使用区域中值滤波算法降低同步辐射红外线站由Top-Up模式引入的噪声

为了提高同步辐射红外光源的光子通量和亮度以及改善光学元件的热稳定性,同步辐射光源现多采用恒流注束(Top-Up)模式,以保持储存环内部束流的稳定.在增强器向储存环注束时,储存环电流的瞬时起伏及电子束团位置的变动等会使同步辐射红外线站所用红外傅立叶变换(FTIR)光谱仪所采的干涉图上出现较大的波动,形成噪声;本文根据该噪声的特点,以及全域中值滤波算法处理该类型的噪声的不足,提出使用区域中值滤波算法对红外谱学线站使用的FTIR光谱仪所采的干涉图进行预处理,以消除由Top-Up模式引入的噪声的影响;并根据该型噪声的特点和区域中值滤波算法的处理过程,设计了一套去除由Top-Up模式引入的同步辐射红外谱学噪声的流程,使该区域中值滤波算法的处理过程无需人工干预;使用该区域中值滤波算法对具有该型噪声的干涉图进行了降噪处理,计算结果表明:使用该滤波算法可消除由Top-Up模式引入噪声的影响,提升Top-Up模式下所采光谱的信噪比.     

一种高精度微电流测量放大器的研制

介绍了用于电子束曝光机束斑和束流测量的高精度电流/电压转换放大器。根据束流极其微弱这一特定情况,为了得到超低漂移、超低噪声和强抗干扰的高精度性能指标要求,采用了对称补偿电路设计方案,合理选用高精度集成电路作为电路的核心器件。为了加强抗干扰能力,对关键技术进行了针对性的有效处理。通过实际工作运行,证明效果良好工作可靠,满足了电子束曝光机束斑和束流的高精度测量要求。     

一种高精度测量束斑电流的新方法

提出了一种高精度测量电子束曝光机束流的新方法。并给出测量电路，该电路在未加屏蔽的情况下，可达９０ｄＢ的共模抑制比。     

相对论电子束激励的准分子激光器

我们建立了一台相对论电子束发生器,电子束能为1.2兆电子伏,束流千安,束宽25毫微秒,上升前沿<10毫微秒。用这台电子束装置横向激励准分子激光器,激光盒腔长150毫米,输出口径φ16毫米。采用镀介质膜的平凹腔。输出腔片在351毫微米处透过率T(?)12％,全反镜R=1米。在气压比为NF_3:Xe:Ar=2.5托:19托:2.8大气压,充电电压为25千伏时,成功地实现了XeF准分子激光器B(~2∑_(1/2))→X(~2∑(1/2))态跃迁,获得波长为351毫微米和353毫微米的激光发射。输出能量约为5毫焦耳,用2米光栅光谱仪摄得这二条强激光谱线。     

L波段相对论速调管束流实验研究

介绍在L波段强流相对论速调管研究中,强流相对论短脉冲空心电子束的产生、传输、束流调制及其诊断等方面的初步实验研究情况。在直线感应加速器上,利用66mm、壁厚3mm的石墨空心阴极,加上约5kGs的准直流引导磁场,引出了约500kV、4.5kA、脉宽100ns、54.5mm、厚度4.5mm的空心电子束。注入500kW的微波调制,束流经过输入腔后,得到了约6％的最大基波电流调制深度,经过中间腔后,得到了约23％的基波电流调制深度。     

束流测量中的工频陷波器

提出了一种应用于电子束曝光机束流测量中的自动跟踪工频陷波器，给出电路结构，基于对其工作原理的分析，介绍了提高陷波器跟踪精度的设计要点及调试方法。     

氮化硅和氮氧化硅在俄歇电子谱分析中的电子束和离子束辐照效应

本文观察和测量了Si_3N_4和SiO_xN_y薄膜在俄歇电子谱(AES)分析中的电子束和离子束效应。结果表明在高束流密度电子束辐照下没有观察到任何损伤特征峰。延长辐照时间仅导致氧的解吸和Si、N讯号增加,最后达到一个稳定态。Si_3N_4和SiO_xN_y对离子辐照很容易造成损伤。但在高束流密度的电子束辐照下离子损伤的表面可以恢复。恢复程度与电子束流密度、束能、辐照时间和样品制备工艺有关。最后,本文对离子辐照损伤和恢复的机理进行了讨论。     

国外微细加工设备发展动态

1.荷兰Delft大学应用物理系目前正在研制一种新型电子束曝光机,它的主要技术指标是:图形最小线宽为0.5μm,分辨率为0.1μm,生产率为每小时可曝光4英寸圆片100片,这是目前已知的生产率最高的一种机型。 在一般电子束曝光机中,提高曝光速度必须增大束流,但束流增大以后,电子之间的相互斥力增大,又会影响图形分辩率。为了解决这个矛盾,Delft大学将从电子源引