用PECVD法制备SiO_2进行Zn在GaAs中掩蔽扩散研究

本文报导丁GaAs表面上淀积液态源PECVD-SiO_2膜掩蔽Zn扩散的规律,估算了Zn在SiO_2膜和GaAs中扩散系数的比值为(1.04～1.85)×10~(-3),在700℃下Zn在GaAs中的横向扩散为结深的3～7倍。这种方法制备的SiO_2膜已应用于GaAs电调变容二极管和LPE-Ga_(1-x)Al-xAs/GaAs DH激光器的研制。     

深扩Zn平面条形激光器作用层注入载流子空间分布的分析

本文分析了深扩Zn平面条形激光器作用层注入载流子的空间分布。从理论上阐明了深扩Zn平面条形激光器的注入电流在P-Al_xGa_(1-x)As限制层沿结平面方向的扩展可以忽略。因此,注入载流子在其作用层的空间分布比普通平面条形激光器窄得多,进而其增益波导也窄得多。从理论上证明的结论:轻掺杂或不掺杂作用层深扩Zn平面条形激光器的水平横模稳定的主要原因是其增益波导窄。     

电子束蒸发氮化硅薄膜及其特性研究

本文报导了用电子束蒸发的方法,在GaAs衬底上制备Si_3N_4掩蔽膜的实验结果。在250℃～280℃下,用Cr激活的GaAs——Si_3N_4薄膜,附着力显著增大,可掩蔽Zn进行较深的扩散。而且引入的痕量Cr小于1ppm。     

横向消失场分布反馈沟道衬底平面结构半导体激光器

使用一次液相外延制作出了具有横向消失场分布反馈的 GaAs—Al_xGa_(1-x)As沟道衬底平面结构激光器。在室温脉冲条件下,二极管能稳定地以单(基)横模和单纵模工作。     

室温连续工作的商台型GaAs—Al_x Ga_(1-x)As双异质结激光器的研制

介绍了室温连续工作的高台型 GaAs—Al_xGa_(1-x)As 双异质结激光器的设计考虑,研制过程和结果。在理论设计考虑方面谈到了降低阈值电流密度和模式控制,改善调制特性,控制激射的峰值波长以及提高输出功率和效率诸方面对于材料选择,外延片结构设计,激光器结构参数的选择方面应当遵循的基本原则。为了提高激光器的寿命,在工艺上采取了降低外延中 H_2中含 O_2量,进行充 N_2密封操作,使用新设计成功的挤压刮源式石墨舟,增加限制层 Al 含量及在有源区掺进少量 Al 等措施获得高质量外延片。在后部工艺,采用 P 面进行 P~ Zn 扩散,改善淀积的 PSG—SiO_2双重膜的质量,改进光刻精度,改进欧姆接触和装架工艺,减沾少污和引入的应力和损伤等项工艺措施,这样获得了主要电光参数较好,寿命超过200小时的室温连续工作的高台型 GaAs—Al_xGa_(1-x)As双异质结激光器。     

一种高辐射率的GaAs-AlGaAs双异质结侧面发光二极管

永川光电研究所去年研制成功了一种高辐射率的GaAs-AlGaAs双异质结侧面发光二极管,它采用了SiO_2掩蔽的条形电极结构。在掺硅的N型GaAs单晶的<100>面上相继外延生长出N型Al_xGa_(l-x)As,P型Al_yGa_(l-y)As,P型Al_xGa_(l-x)As和P型GaAs四层外延层,所构成的双异质结来实现对光和载流子的纵向限制;在P型面上进行闭管Zn扩散,然后溅射出厚为0.4μm的SiO_2层,光刻出宽度为60μm的电极引线条,这样来实现对光和载流子的横向限制。有源区掺硅的厚度为0.3μm左右。解理出的管芯的宽度对     

用金属有机化学汽相淀积法制备的寿命起过700小时的Al_xGa_(1-x)As-GaAs双异质结激光器

用金属有机化学汽相淀积法制作的Al_xGa_(1-x)As—GaAs多量子阱异质结激光器,室温(～26℃)连续工作寿命已超过700小时。在这个时间内器件的输出特性无任何退化。     

低能Ar^＋轰击对GaAs,AlxGa1—xAs表面成分的影响

低能离子溅射半导体表面会引起表面结构和成分的变化,导致器件电学性能变差。本文用俄歇电子谱研究了轰击离子能量和束流密度对GaAs、Al_xGa_(1-x)As表面成分的影响。实验分析表明,离子轰击导致GaAs表面As元素严重贫乏和Al_xGa_(1-x)As表面Al元素强烈偏析和Ga元素的轻微减小。我他对离子轰击后GaAs Al_xGa_(1-x)As的表面成分分析结果与文献值不同。实验结果同时说明,GaAs与Al_xGa_(1-x)As中离子溅射行为有较大的差别,我们对此进行了初步讨论,并将实验结果与理论模型进行了比较,发现实验与理论之间不能很好一致。     

高台型GaAs—Al_xGa_(1-x)As双异质结激光器的液相外延

一.引言对于 AlGaAs 双异质结激光器,用液相外延的方法,可以生长出性能十分良好的多层外延片。用此方法,我们在 GaAs 单晶衬底上制备了包括四层结构(n 型 Al_xGa_*(1-x)As,P 型 Al_YGa_(1-Y)As 和 P 型 GaAs)的双异质结构注入型激光器。去年我们制作出能连续工作的激光器,其寿命很短,只几分钟,且性能不稳定。经分析认为,是外延片质量不     

用X射线形貌技术研究GaAs衬底及GaAs—Al_xGa_(1-x)As DH外延片中的缺陷

我们利用透射X射线形貌技术观察了n—GaAs衬底及GaAs—Al_xGa_(1-x)As DH外延片中的晶体缺陷,采用高分辨率形貌技术与金相技术进行了分析,证实普通X射线形貌像中的衬度是由晶体缺陷形成的。根据获得的X射线形貌像,我们对n—GaAs衬底及GaAs—Al_xGa_(1-x)As DH外延片中缺陷水平作出了评价。采用常规的DH液相外延技术及质子轰击条形的器件工艺,将我们研究的衬底制成了激光器。测试结果表明:器件的成品率和质量与我们对衬底中缺陷水平的评价完全对应。     

用MBE法生长GaAs/Al_xGa_(1-x)As异质结的半绝缘Al_xGa_(1-x)As缓冲层

用分子束外延法生长了以半绝缘Al_xGa_(1-x)As为缓冲层的GaAs外延层,这种缓冲层具有很高的击穿电压。研究了击穿电压与生长条件和Al_xGa_(1-x)As缓冲层组份之间的关系。当Ⅴ族与Ⅲ族元素束流强度比增加时,以Al_(0.4)Ga_(0.6)As层作缓冲层的击穿电压比以GaAs层作缓冲层的击穿电压要高得多,而且在Al_(0.4)Ga_(0.6)As上生长的GaAs有源层具有很高的质量。     

微微秒Al_xGa_(1-x)As双异质结激光器

用宽度为300微微秒的电脉冲驱动质子轰击条形的Al_xGa_(1-x)As双异质结激光器,产生12微微秒光脉冲。并已经用来检测快速光电二极管的响应速率。     

Investigation on resonant tunneling in GaAs/AlxGa1-xAs DBD using tunneling spectroscopy

 Experimental investigation on resonant tunneling in various GaAs/Al_xGa_(1-x)As double barrier single well structures has been performed by using tunneling spectroscopy at different temperatures.The results show that in addition to resonant tunneling via GaAs well state confined by Al_xGa_(1-x)As Γ-point barrier there exists resonant tunneling via GaAs well state confined by Al_xGa_(1-x)As X-point barrier for both indirect(x>0.4)and direct(x<0.4)cases.     

半导体、准分子激光器

本文报导作者在美国佛罗里达大学用MBE生长技术研制品格匹配的Al_x Ga_(1-x)As/GaAs单量子阱激光器,波长为820～850nm和In_x Ga_(1-x)As/GaAs应变层单量子阱激光器,波长为900～1100nm,通过理论分析和MBE生     

高频溅射SiO2膜掩蔽GaAs和AlGaAs／GaAs中Zn扩散的研究

本文报导了在GaAs、AlGaAs表面上用高频溅射法制备SiO_2膜的淀积规律,特别对用SiO_2膜掩蔽GaAs、AlGaAs/GaAs中的Zn扩散进行了实验研究,结果证明用高频溅射制备SiO_2膜可以有效地掩蔽GaAs,AlGaAs/GaAs中的Zn扩散。     

INVESTIGATION ON RESONANT TUNNELING IN GaAs/Al_xGa_(1-x)As DBD USING TUNNELING SPECTROSCOPY

Experimental investigation on resonant tunneling in various GaAs/Al_xGa_(1-x)Asdouble barrier single well structures has been performed by using tunneling spectroscopy atdifferent temperatures.The results show that in addition to resonant tunneling via GaAs wellstate confined by Al_xGa_(1-x)As Γ-point barrier there exists resonant tunneling via GaAs well stateconfined by Al_xGa_(1-x)As X-point barrier for both indirect(x>0.4)and direct(x<0.4)cases.     

GaAs/Al_xGa_(1-x)As超晶格中的纵光学声子模

本文报道GaAs/Al_xGa_(1-x)As短周期超晶格结构中的纵光学声子模的室温Raman散射测量结果。除了限制在GaAs层中的GaAs LO限制模外,我们还首次观测到限制在Al_xGa_(1-x)As混晶层中的类AlAs LO限制模。根据线性链模型,我们把测量到的LO限制模的频率按照q=m/(n+1)(a_0/(2π))展开,给出了Al_xGa_(1-x)As混晶的类AlAs LO声子色散曲线。     

AIGaAs和GaAs的开管Zn扩散

提出了一种用限定室进行AlGaAs和GaAs开管Zn扩散的新方法。在700℃下,把Zn在GaAs和Al_xGa_(1-x)As (0.1≤x≤0.5)的扩散深度和质量与闭管扩散结果作了比较。发现这种新工艺能很好的控制扩散深度,并可作浅结扩散。比电阻率及表面载流子浓度用范德堡(Van der Pauw)法测量。扩散质量受所选用的溶剂金属的影响。讨论了几种溶剂金属的一些变化。可用这种工艺改进单片集成光学器件的欧姆接触。     

增益导引GaAlAs/GaAs锁相列阵激光器

本文报道采用氧化物掩蔽Zn扩散平面条形结构的增益导引GaAlAs/GaAs锁相列阵激光器的工艺和特性。获得了阈值电流小于200mA,输出功率大于240mW的实验结果。远场测试表明其具有良好的锁相特性。     

0.3K下的GaAs/Al_xGa_(1-x)As异质结中的分数量子霍耳效应

本文从实验上比较了低浓度 GaAs/Al_xGa_(1-x)As异质结样品在4.2K、1.3K和0.34K 温度下的整数量子霍耳效应,报道了填充因子v=2/3的分数量子霍耳效应的实验观察结果.讨论了低浓度GaAs/Al_xGa_(1-x)As样品中宏观不均匀性对实验结果的影响.