双异质结激光器的Pspice温度修正模型

为了能够正确反映出双异质结激光器的温度特性,对双异质结激光器（DH-LD）原有的Pspice模型进行了温度适用性修正,找出了原模型中被误当作常数但实际却受温度影响的因子,并做出了适当的修正。根据修正后的Pspice等效电路温度模型对双异质结激光器进行了模拟,得到了双异质结激光器在温度升高时表现出的最明显的2个效应：阈值电流Ith增大和外微分量子效率ηd减小。实践证明：运用该修正模型使光发射器中温度控制电路和功率控制电路成为可能。     

一种简化的光调制器驱动电路

在采用IC-CAP提取异质结双极晶体管器件的VBIC模型参数的基础上,设计出形式简洁的光调制器驱动电路．电路功耗仅为500mW,在2.5GHz信号下平均上升时间和下降时间（10%～90%）分别为84ps和56ps,输出电压摆幅2.6V．而FUJISTU公司的同类产品FMM3193VI平均上升时间和下降时间(20%～80%)为120ps,功耗为2.1W．     

一种简化的光调制器驱动电路

在采用IC-CAP提取异质结双极晶体管器件的VBIC模型参数的基础上,设计出形式简洁的光调制器驱动电路.电路功耗仅为500mW,在2.5GHz信号下平均上升时间和下降时间(10%～90%)分别为84ps和56ps,输出电压摆幅2.6V.而FUJISTU公司的同类产品FMM3193VI平均上升时间和下降时间(20%～80%)为120ps,功耗为2.1W.     

交错并联式BOOST电路的Pspice仿真分析

文中研究基于Pspice软件的交错并联BOOST变换器的拓扑结构,并对其建立仿真模型,进而延伸到N个相同的BOOST拓扑结构的并联,从中分析了此种拓扑结构的优点,进而得出此种拓扑结构适于在功率因数校正电路中应用的结论。     

速率1.2 Gbps光发射机驱动电路分析及激光器重要参数的设置

本文以美国ＭＡＸＩＭ公司生产的全集成化 ,单电源供电的光发射机驱动电路为例 ,对具体电路的电气特性、工作条件、器件原理框图、电路设计技巧及特点分析以及影响激光器寿命的重要参数的设定作全面介绍。对其他光发射的电路有很强的实用性和指导性。1　电路性能及工作范围ＭＡＸ32 61光发射机驱动电路如图 1所示。图 11.1　应用范围ＭＡＸ32 61激光驱动器不仅用在激光器发射机上 ,还广泛用在 531Ｍｂｐｓ、10 62Ｍｂｐｓ光信道以及 62 2Ｍｂｐｓ数字同步 (ＳＤＨ)和光纤同步网络 (ＳＯＮＥＴ)。1.2　电路特点上升沿时间不足 2 50ｐｓ ;差分…     

双异质结激光器的Auger复合分析

本文通过对１．５５μｍ双异质结激光器中０．９５μｍ的高能发光峰的分析，证明了ＩｎＧａＡｓＰ有源区的Ａｕｇｅｒ复合是造成载流子向侧ＩｎＰ限制层漏泄的主要原因，也是影响激光器Ｔ０值的主要因素。     

刻蚀腔InGaAs／Inp双异质结激光器的制作与特性

本报道了用反应离子刻蚀与晶向湿法化学腐蚀相结合沿ＩｎＰ衬底方向获得工作波长１．３μｍ的ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ双异质结激光器的腔面的方法。     

基于OrCAD10/Pspice的功率因数校正电路的仿真研究

本文以MC33262为核心的升压型功率因数校正电路为例,系统地阐述了有源功率因数校正（Active Power Factor Correction,简称APFC）1。并根据其工作原理,利用模拟行为模型ABM（analogy behavioral modeling）建立器件的仿真模型,用OrCAD10．0软件完成了对APFC电路的仿真分析。在此基础上,还进行了相应的实验电路验证。软件仿真结果与实验结果取得了较好的一致,充分说明了所建器件模型的有效性,体现了OrCAD10．0软件仿真在电力电子装置的分析、设计与研究中的作用。     

PSpice仿真软件在半导体二极管教学实践中的应用

首先介绍了国际上流行的电子电路辅助设计、分析软件——PSpice的基本功能。结合具体电路，介绍在半导体二极管教学实践中如何使用PSpice软件。分别包括修改二极管参数的具体步骤以及由此改变对二极管V—I特性的影响进行了仿真和分析，另外对二极管传输特性进行了仿真，由仿真输出波形可以看到仿真结果与理论分析完全一致，这样就更加加深了学生对理论知识的理解。通过教学实践说明在课堂中使用PSpice仿真，不仅丰富了教学内容，而且极大激发了学生学习的兴趣，收到良好的教学效果。     

基于Python的半导体激光二极管仿真技术研究

基于Python语言,编写具有UI界面的半导体激光二极管(LD)仿真EDA程序,该程序可以设置LD芯片有源区的材料组分,分析材料参数并计算波导折射率,绘制折射率分布曲线和光强分布曲线,计算芯片的有源区的能带结构及增益特性并绘制在不同载流子浓度下的光增益谱曲线。通过该EDA程序,对791 nm波长的半导体激光二极管芯片进行了仿真,参考仿真结果制作了发光区条宽为190μm,腔长为4 mm的芯片,15 A电流下其峰值功率达16.25 W。     

共振隧穿二极管基础电路的模拟与分析

简单介绍了RTD的器件特性和器件模型 ,用HSPICE模拟出RTD与电阻、MOS晶体管、RTD本身结合的电路特性。通过对不同电路参数I V特性的模拟和分析 ,为理解RTD器件机理和构造复杂电路提供了初步的基础     

Monte Carlo Simulation on LED Graded-refractive-index Multilayer Encapsulation Structure

Light propagation in nanoparticle-loaded encapsulants is simulated based on the method of Monte Carlo,referring to the multilayer graded-refractive-index structure for LED encapsulants.And the influence of scattering coefficient on the transmittance is analyzed.The results show that the transmittance decreases with scattering coefficient.For a given number of layers,the encapsulants will yield maximum transmittance if the refractive index value of each layer is optimized.The nanoparticle-loaded encapsulant ...     

一种带有软启动与欠压锁定电路的新型可调光LED驱动器

本文提出了一种基于电流PWM模式DC-DC转换器的全集成LED驱动器。设计了一个软启动电路,用以消除启动瞬间的浪涌电路与过冲电压。此外,为了调整LED的亮度但不产生色散,同时获得较宽的调光范围和较高的效率,设计了一个PWM调光电路。另外,设计了一个内部补偿网络,用来消除占空比大于50%时产生的次谐波振荡,以保证LED驱动器的环路稳定性。UVLO电路保证了LED驱动器在输入电压变化时的可靠性。LED驱动器采用标准的0.5 μm CMOS工艺生产。实验结果表明：LED的亮度可被一个片外的PWM信号调整,在较宽的调光范围内。在全负载变化范围内,电感电流以及输出电流在启动时都平滑上升。当输入电压低于2.18V芯片被锁定,典型的启动时间为137μs。     

基于OrCad软件的PIN光电探测器的Pspice建模仿真分析

利用OrCad软件的Model Editor模块建立了PIN光电探测器的Pspice仿真模型,对比分析了PIN光电探测器的实验数据与仿真数据,对PIN光电探测器仿真模型进行修正.最终建立了可用于电路仿真的PIN光电探测器的Pspice模型,该模型有助于设计人员在工程设计之初,利用仿真软件对光电接收电路进行仿真优化.     

新型EDFA驱动源的研制与实验测试

详细介绍以C8051F005单片机为核心的新型掺铒光纤放大器(EDFA)驱动源的设计及研制,用其驱动980 nm的半导体激光二极管(LD),输出十分稳定.然后泵浦铋基铒光纤(Bi-EDF),获得超宽带ASE谱,同时验证驱动源具有良好的线性度输出.     

半导体激光管驱动电源设计与实现

为提高半导体激光器光功率输出稳定性,并保证激光器安全、可靠工作,设计了半导体激光器的驱动电源。驱动电源主电路采用同步DC／DC方式,输出效率高;驱动电路可以产生200kHz触发脉冲,降低了输出电流的纹波,保证激光器输出功率稳．定;驱动电路带有过压比较器及过流比较器,保证激光器安全工作。经过仿真和实验表明：该驱动电源在20A工作时效率达到85％以上．纹波小于5％。