首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 647 毫秒
1.
业已发现在接近加工了的半绝缘 GaAs 片的表面处,发生空间电荷限制电流泄漏。通过测量腐蚀深度对应的漏电流的陷阱填充限制电压 V_i,计算了 EL2陷阱的深度分布,并与报导的实验结果符合得很好。提出了一种基于 EL2外扩散原理的表面导电机理。计算的衬底 I-V 关系与测量结果定量地相符。  相似文献   

2.
针对有机薄膜晶体管(OTFT)表面势对源漏电流的影响,提出一个有机薄膜晶体管的直流电流-电压模型。该模型应用Lambert W函数和Poole-Frenkel迁移率理论,定量地描述了表面势对源漏电流的影响。计算结果表明,低和高电压工作的OTFT计算值与实验值均有良好的一致性。  相似文献   

3.
施涛昌 《电子技术》1992,19(6):37-39
晶闸管交流调功器在温度控制系统中已得到广泛的应用。按其控制方式来分,有移相触发控制和过零触发控制两种。移相触发控制平滑灵活,能适应各种控制要求,但通过晶闸管输给负载的电压(电流)是缺角正弦波,功率因数差且存在高次谐波,对电网和无线电波会产生射频干扰。1984年,我国水电部颁发了“电力系统谐波管理暂行规定”(SD126-84),严格限制大功率移相调压设备的投网容量,并对已投入运行的移相调压设备提出了限期改造的要求。采用过零触发的晶闸管调功器,负载得到的电压(电流)波形总是完  相似文献   

4.
采用应力测试方法,获得了AlGaN/GaN HEMT漏极电流随时间的变化关系.实验结果表明,应力导致漏极电流崩塌56.2%;不同电压应力条件下,只要所加时间足够长和电压足够大,相同栅压的电流崩塌程度都近似相等;漏极电流恢复时间与大小分别为34.5 αVGS与α(VGS-VT)(2-βt).研究表明,栅-漏间表面态捕获的电子使得表面电势发生变化,引起沟道中二维电子气浓度降低,从而导致电流崩塌效应的产生.此结论可望用于AlGaN/GaN HEMT器件电流崩塌效应进一步的理论探索和器件研究.  相似文献   

5.
本文利用GaAs场效应晶体管电压控制电流和开关特性成功研制了任意整形电脉冲发生器,该整形电脉冲发生器的每个基元电路产生的基元电脉冲形状和宽度与加在栅极的触发信号相同,幅度由加在GsAs场效应晶体管上的负偏压决定,各基凶电路产生的用于叠加的基元电脉冲相互独立,使计算机控制栅极偏压进而控制整形电脉冲的形状成为可能。  相似文献   

6.
本文研究了利用旋涂法在硅衬底上制备的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和三氟乙烯-偏氟乙烯的共聚物(P(VDFTrFE))双层复合绝缘膜的漏电机理,采用这种膜的MIS器件的单位面积电容为32nF/cm2。电流-电压测试结果显示在不同的电压范围内其漏电曲线出现转折点,反映了这种膜在不同的电场下有不同的漏电机制。对实验结果拟合分析表明,在0~1V电压范围内,其漏电主要是Poole-Frenkel机制控制;在1~25V电压范围内,主要是以肖特基发射电流为主;而在35~40V的电压范围内,绝缘膜漏电流是空间电荷限制电流。  相似文献   

7.
成功设计并制造了击穿电压超过3300V 的4H-SiC MOSFET。通过数字仿真优化了漂移层和DMOSFET有源区参数。漂移层N型外延厚度为33微米并且掺杂浓度为2.5E15cm-3。器件采用浮空场限制环作为终端。当栅极电压为20V,漏极电压为2.5V时,漏极电流为5A。  相似文献   

8.
利用新型的直流电流电压(DCIV)法研究了热载流子应力下的亚微米pMOSFET的氧化层陷阱电荷和表面态产生行为,并对热载流子应力下pMOSFET的阈值电压和线性区漏端电流的退化机制做出了物理解释.实验发现在栅极电压较高的热载流子应力条件下,热载流子引发表面态密度随时间变化的两个阶段:第一阶段,电负性的氧化层陷阱电荷起主导作用,使线性区漏端电流随时间增加;第二阶段,表面态逐渐起主导作用,导致线性电流随时间逐渐减小.  相似文献   

9.
张晓东 《无线电》2010,(3):93-96
场效应晶体管(英文缩写FET)简称场效应管,顾名思义,它是利用电场的效应来控制电流的。场效应晶体管是在普通晶体三极管制造工艺的基础上开发出来的新一代放大元件,它有3个电极——栅极、漏极和源极,其特点是栅极的内阻极高,采用二氧化硅材料的可达到上千兆欧,通过栅极电压可控制漏极电流,属于电压控制型半导体器件。  相似文献   

10.
采用应力测试方法,获得了AlGaN/GaN HEMT漏极电流随时间的变化关系。实验结果表叫,应力导致漏极电流崩塌56.2%:不同电压应力条件下,只要所加时间足够长和电压足够人,相同栅压的电流崩塌程度都近似相等;漏极电流恢复时间与大小分别为34.5+σVGS与σ(VGS-VT)(2-β)。研究表明,栅-漏间表面态捕获的电子使得表面电势发生变化,引起沟道中二维电子气浓度降低,从而导致电流崩塌效应的产生。此结论可提用于AlGaN/GaNHEMT器件电流崩塌效应进一步的理论探索和器件研究。  相似文献   

11.
低压电力线双路扩谱通信系统   总被引:1,自引:0,他引:1  
由于低压电力线的信道特性异常恶劣,为了利用低压电力线实现可靠通信,把数字载波调制与扩谱技术等现代通信技术应用于低压电力线通信,提出了数字载波调制与直序列扩谱(DS)相结合的低压电力线通信模式,建立了低压电力线的MSK双路扩谱通信系统模型;基于该模型,研制了低压电力线的MSK双路扩谱通信电路系统。实验结果表明:该系统不仅满足了电力线通信信道有效带宽窄的特点,实现了较好的频谱利用率,而且具有较强的抗干扰能力。因此,该低压电力线扩谱通信系统能较好地抑制低压电力线通信信道的干扰,提高了通信的可靠性,可广泛应用于低压电力线通信领域。  相似文献   

12.
在无线通信设备中,需要各类型的多种直流电压,这就需要把电池电压高效地变换为所需的电压。开关电源具有体积小、重量轻、变换效率高等优点,因而在无线通信设备中被广泛应用。开关电源主要分AC/C与DC/DC两大类,由于无线通信设备多采用电池供电,所以主要应用DC/DC变换器。介绍了DC/DC变换器的原理以及应用实例。  相似文献   

13.
现代通讯设备向着大容量、高集成度的方向不断发展,微型电子电路在设备中被广泛使用,而微型电子电路对电压、电流、温湿度等条件的要求是非常苛刻的,电压的波动、环境的干扰都有可能造成通讯设备异常甚至产生故障。大自然是严酷的,尤其是在雷电等自然现象面前,"柔弱"的通讯设备很容易受到伤害,如何减少和避免这种伤害,涉及到电源、接地、防雷等众多学科,文章从雷电入侵电子通信设备入手,主要阐述高山台站防雷的一些基本原理,并从实践的角度探讨雷击防护的有效方法。  相似文献   

14.
陈宇  温欣玲 《激光与红外》2007,37(6):513-516
系统利用红外传感器光/电转换特性,采用单片机控制器为核心控制器处理车流信号,红外接收器接收来自发射器的红外信号,经解调后输入单片机进行处理,单片机与CAN总线控制器构成 CAN总线通信系统进行数据传输.系统采用电子技术、单片机技术、CAN总线技术等设计实现,给出了系统总体方案、部分软硬件设计.系统可应用于工业控制、食品加工、科学研究等设备中,有广泛的应用前景.  相似文献   

15.
In this paper a survey is presented of the means that can be applied to the suppression of voltage transients that can affect the reliability of equipment and systems employing semiconductor devices. Consideration is given to some of the ways transients are generated, their duration and magnitudes, and the approach taken in the military standard MIL-STD-704 in confining the power supply characteristics within definite limits which must be tolerated by the utilization equipment. Emphasis is placed on the various techniques--their advantages and limitations--that can be applied in suppressing transients generated from 28-volt dc power supplies. In addition, various device approaches used to limit voltage transients to rectifier diodes are also presented.  相似文献   

16.
The technique of impedance loading to the antenna element has been applied to an antenna system for portable VHF communication equipment and its practical usefulness has been shown with a brief theoretical analysis and some experimental results. By means of impedance loading to the antenna element, the driving point impedance may be varied so as to make matching feasible, even though the element length is very short, and the effective length may be increased, so that the gain of the loaded antenna system relative to a non-loaded antenna system may be increased. As a practical example, an inductance loaded antenna system has been applied to a 34-54 MHz range portable communication equipment and about 5 dB relative gain increase has been observed.  相似文献   

17.
This communication describes a novel type of phase modulator based on the injection locking principle. The particular device described utilizes a klystron but the technique is not restricted to the microwave retion of the frequency spectrum. The technique may be applied to any oscillator that has a voltage tuning characteristic. The frequency of most oscillators is somewhat dependent on the voltages applied to various parts of the oscillator circuit and heretofore many techniques have been devised to overcome this effect. The injection locked phase modulator makes use of the voltage tuning effect which may be inherent or induced by inclusion of a voltage variable capacitor, or other device.  相似文献   

18.
为揭示通信电台电磁脉冲阻塞效应机理,在受试电台正常工作状态下,借助注入耦合模块实验研究了阶跃脉冲串和双指数脉冲串对数字通信电台误码率的影响规律。引入电磁脉冲对受试设备影响时间的概念,建立了与连续波阻塞效应等价的电磁脉冲阻塞敏感判据。实验结果表明:电磁脉冲对受试设备的影响时间取决于脉冲波形,可通过效应试验测试确定。在电磁脉冲重复率较低时,受试电台的临界干扰电平与脉冲重复率无关,属于单脉冲效应;当脉冲重复率大于电磁脉冲影响时间的倒数时,受试电台的临界干扰电平随脉冲重复率增加而降低,属于多脉冲累加效应。将电磁脉冲在影响时间窗口内进行频谱分析,采用连续波带内多频阻塞效应模型进行验证,误差在2dB以内。  相似文献   

19.
基于限制大功率设备启动时冲击电流的幅值、完善软启动器的各种功能、提高工作可靠性等目的,本轮文设计的软启动器利用运算放大器构成电压比较、运行自锁、延时等环节,通过采样整流滤波电容端电压的变化,实现交流输入电压检测、软启动电流切换、内部逻辑控制等功能,在不同的输入电压范围内,也能限制跃变电压的幅值,保证了软启动器工作的可靠性。该软启动器具有结构简单、动作可靠等优点,可广泛应用于电源输入端需进行AC/DC变换的大功率设备。  相似文献   

20.
刘冬 《电子设计工程》2014,(9):76-77,80
结合场站实际,介绍了330 kV变电站智能化改造的原则,并从一次设备智能化改造、二次微机保护升级改造和通讯系统网络化改造等几个方面,阐述了常规变电站智能化改造方案的关键技术及实现方案.  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号