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《今日电子》2005,(1)
RF VGA提供增益和功率控制单片射频(RF)可变增益放大器或衰减器(VGA)能提供1MHz~3GHz宽频带具有以dB为单位呈线性60dB增益控制范围,集成了宽带放大器和衰减器,具有60dB动态增益和衰减范围(大约+20dB增益和-40dB衰减),22dBm输出功率水平(1dB压缩点),在1GHz频率和8dB噪声系数下具有+31dBm输出三阶截点。ADIhttp://www.analog.com具有超低抖动的时钟AD951x系列时钟分配芯片集成了低相位噪声的PLL频率合成器内核、可编程分频器和可调延迟单元电路。器件具有亚皮秒抖动的低相位噪声时钟输出,LVPECL时钟输出达800MHz,附加抖动小… 相似文献
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Maxim推出了完全可编程、多状态、模拟和数字IF/RF可变增益放大器(VGA)MAX2065。该单芯片集成了5个不同的电路功能(31dB模拟衰减器、31dB数字分级衰减器、增益为22dB的驱动放大器、片内8位控制DAC和SPI兼容接口)。MAX2065工作于50MHz~1000MHz,可提供独特的4个衰减状态(由用户设定1间的“速射”增益选择、 相似文献
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《电子产品世界》2004,(4)
RF Micro Devices公司宣布生产出应用于CDMA以及JCDMA的RF2890高性能双频手机/GPS LNA/混频器。RF2890能满足业界追求更小封装尺寸以及更强大功能的需求,使手机工程师能有效地实现设计目标并缩短产品上市时间。RF2890带有一个三增益态LNA增益(17.5dB增益控制)且整合了一个单增益态高IIP3混频器(8.5dBm)。整合的可选LO预定标器使VCO选择更为灵活。此外,该器件还配有一个TX LO缓冲放大器。RF2890可超越所有TIA/EIA 98D的灵敏度、互调制以及单音要求,能为GPS LNA/混频器提供专用低电流(15.5mA),且增益为32.5 dB。可根… 相似文献
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《固体电子学研究与进展》1998,(1)
南京电子器件研究所最近利用76mmGaAsMMIC工艺线研制出数种单片电路。封面照片为S波段低噪声放大器与混频器单胞及大圆片照片,初步微波性能如下:放大器:增益>22dB;噪声系数<1.5dB;输入输出驻波<1.5混频器:变频增益>4dB;各端口驻波<1.5;各端口隔离度>24dB电源:±5VS波段单片低噪声放大器与混频器 相似文献
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第三代移动通信标准WCDMA要求放大器增益可调,并且增益动态范围较大.根据这一要求给出了一种基于SiGe HBT具有高动态范围的可变增益放大器(VGA)设计.放大器为三级级联结构,第一级为输入缓冲级,第二级为增益控制级,最后为放大级.VGA的增益控制通过调整第二级的偏置实现.VGA在1.95 GHz频率下,在0~2.7 V增益控制电压变化下,具有44 dB增益变化范围,最大增益49 dB.在最大增益处最小噪声系数为2.584 dB,输入输出电压驻波比低于2,性能良好. 相似文献
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研制了0.6~6GHz单片GaAs FET低噪声反馈放大器。在该频带内,放大器芯片具有6dB增益,4dB左右的噪声系数。在1/2I_(ds)下,获得增益8dB,1dB增益压缩点为21dBm。以目前正在研制的1~10GHz两级单片芯片为例,讨论了这种放大器的设计,该放大器还可以进行级联,获得的总增益最高为50dB左右,纹波±1.5dB。 相似文献
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X波段及DBS接收用PHEMT单片低噪声放大器 总被引:3,自引:0,他引:3
报道了X波段及DBS接收用单片低噪声放大器的研制结果。利用CAD软件对单片电路进行优化设计,设计工作包括MBE材料、PHEMT器件和单片电路三部分。在研制过程中,开展了关键工艺的专题研究。研究结果为:单级单片放大器在10:5-11.6GHz范围内,NF≤1.82dB,G≥7.72dB;在11.7-12.2GHz范围内,NF≤1.80dB,G≥6.8dB;双级放大器在10.4-11.1GHz范围内,NF≤1.96dB,G≥15.3dB,最低噪声系数为1.63dB,最高增益为16.07dB。 相似文献
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