金属化薄膜电容器自愈性分析

使用金属化薄膜通过卷绕、热压、喷金、真空浸漆、分选等工序生产的电容器就是金属化薄膜电容器。根据其生产材料不同又分为金属化聚酯薄膜电容器和金属化聚丙烯薄膜电容器。该文介绍了金属化薄膜电容器的结构、生产流程、性能指标,并对金属化薄膜电容器的自愈性进行了分析,论述了影响金属化薄膜电容器自愈性的内部因素和外部因素,根据生产现状提出了工艺改进措施。     

微波辅助Al2O3陶瓷表面铜金属化研究

选取95Al2O3陶瓷体作为金属化基体,采用Cu粉在微波作用下进行金属化实验,研究了微波功率、处理时间、保护措施和金属化配方对微波金属化质量的影响。对金属化成分和表面结构进行了分析。结果表明,在氧化气氛中,微波3kW／10min处理,炭粉埋烧保护和金属化配方添加5％SiC和5％（质量比）C粉的条件下,在95Al2O3陶瓷表面可获得较好的Cu金属化效果。     

多层印制板金属化槽孔孔壁剥离探析及改善

孔壁剥离是影响印制板可靠性的系统问题之一。作为一类特殊的金属化孔-金属化槽孔,相对于普通金属化圆孔来讲,其孔壁剥离问题显得更为突出和棘手。文章在金属化圆孔孔壁剥离的原因分析基础上,从残余应力及孔壁结合力两方面出发,进一步对金属化槽孔的孔壁剥离问题进行探析,介绍了残余应力去除方法和分析了金属化槽孔的机械加工方式、凹蚀参数对孔壁结合力的影响,为改善金属化槽孔孔壁剥离提供了建议。     

陶瓷高熔点金属的金属化

本文从1938年德国人开发的德律风根法(Mo金属化法)开始,及其发展至完善的Mo/Mn金属化技术,直至本世纪八十年代,纵观了整个高熔点金属金属化发展史。其次,详细地介绍了金属化方法——干式金属化法和湿式金属化法。对于氧化铝瓷的成分、金属化膏的组成、高熔点金属的颗粒大小及烧成温度等对接合强度的影响也予以较为详细的介绍。     

氧化铝陶瓷Mo-Mn金属化探讨

参考相关文献报道,本文对氧化铝陶瓷钼-锰金属化工艺中,气氛和玻璃相迁移对金属化质量的影响进行了简单评述,并指出了批量金属化生产工艺和国内金属化研究需要注意的问题。     

高纯氧化铝陶瓷的金属化工艺研究

采用CaO-Al_2O_3-SiO_2玻璃体系作为金属化中的玻璃活化剂,在高纯(99%)氧化铝陶瓷表面烧结Mo金属化层。研究了金属化烧结温度、CaO及Al_2O_3含量和TiO_2的加入对于金属化层烧结强度的影响。结果表明Ca-Al-Si玻璃系统可在1450℃左右进行金属化烧结,同时在提高CaO与Al_2O_3含量后有助于金属化烧结,TiO_2的加入则对金属化烧结有不利影响。     

PCB孔金属化电阻的测量与分析

一、测量方法与原理 测量印制电路板孔金属化镀层的电阻值,并根据此电阻值和印制电路板的基材厚度、金属化孔的直径来计算孔金属化镀层的平均厚度,是检查印制电路板金属化孔镀层     

GaAs PHEMT器件高温加速寿命试验及物理分析

GaAs微波器件的退化与金属化稳定性密切相关,实现PHEMT器件功能的金属化主要有栅金属化、欧姆接触金属化和信号传输线金属化。本文针对定制的GaAs PHEMT器件的栅金属接触孔链和欧姆接触金属方块条进行了高温加速应力寿命试验,并对器件金属化失效单机理进行寿命预计,同时对试验后的样品进行物理分析。结果显示栅金属接触孔链在180℃下就发生失效,接触孔链表面的金属化层形变,金属化发生了迁移;而AuGeNi欧姆接触在225℃高温下更易发生电迁移失效,金属向体内扩散并在金属条上形成空洞。     

玻璃相与陶瓷金属化技术

本文叙述了陶瓷金属化技术的发展过程和玻璃相在金属化技术中的重要作用.讨论了几种主要金属化机理,提出了陶瓷中玻璃相和金属化层中玻璃相的相互关系.     

毫米波真空电子器件用陶瓷金属化技术

综述了毫米波真空电子器件用金属化技术,着重强调了金属化组分(氢化钛)和烧结工艺对金属化层介电损耗的影响。     

氧化铝陶瓷金属化及镍化技术研究

以生产应用为目的,通过对工艺-结构-性能相互关联的研究,开发出适用于热压铸陶瓷和等静压陶瓷的M系列金属化配方和工艺;以及具有自主知识产权的N系列环保型烧结镍工艺技术,并在大批量生产中成功应用。     

显微结构与陶瓷金属化

综述了陶瓷的显微结构对陶瓷金属化的影响,从金属化机理出发,叙述了对Al2O3陶瓷的特殊要求.以经验数据为基础,提出了陶瓷的典型显微结构和陶瓷金属化的工艺参数.     

有机载体与陶瓷金属化技术

本文叙述了陶瓷金属化技术是厚膜工艺中重要的一支，指出有机载体在陶瓷金属化中的重要地位。强调在载体中应添加多品种、沸点各异的溶剂和少量触变剂等组分的必要性。     

针封封接技术的再探讨

为提高针封封接质量,在改进金属化膏剂、金属化烧结方式、涂膏方法、封接工艺等方面进行探讨.     

适合高温金属化釉配方的设计

阐述了适合高温金属化釉配方设计及生产工艺的若干问题，特别是对配方的设计、原料的选择、研磨及烧成工艺提出了自己的看法。     

陶瓷-金属封装中的二次金属化技术

叙述了二次金属化在陶瓷-金属封接产品质量上的重要性和当前国内外的的技术现状，指出了用不同焊料进行封接时，抗拉强度的差异。     

俄罗斯陶瓷及其金属化技术的研究

采用X射线荧光、X射线衍射、金相显微镜和扫描电镜等分析方法 ,通过对微波管陶瓷材料的理化分析 ,对俄罗斯陶瓷及其金属化技术进行了研究 ,并对化学成分和显微结构对性能的影响作了初步的讨论。     

均匀沉淀法制备陶瓷金属化层的微观结构研究

利用均匀沉淀法制备了混合均匀并且钼粉粒度达到纳米级的陶瓷金属化粉末,使用该粉末进行了陶瓷金属化层制备,获得了比较理想的陶瓷金属化层显微结构。同时研究了Mo的含量及烧结温度对陶瓷金属化层显微结构的影响,并将该工艺生产的制品与国内现有制品的微观结构进行了对比。     

高氧化铝瓷纯钼金属化

本文介绍95%Al_2O_3瓷纯钼金属化的实验结果,给出了最佳工艺条件,并讨论了金属化机理.