SAW式小波变换处理器的制造误差校正模型

为了将声表面波(SAW)式小波变换处理器(WTP)应用于各种电子系统中,我们基于曲线拟合法建立了该器件的制造误差校正模型,以制作出一个输出精度高的SAW式WTP。理论研究和实验结果表明,利用该模型制作的SAW式WTP,其指条的实际尺寸恰好等于其理论计算尺寸,从而使其成为一个输出精度高的SAW式WTP。     

空军总医院全军临床航空医学中心简介

通过建立声表面波(SAW)匹配滤波器的等效能量结构,利用交叉场电路等效模型,在频域上对SAW匹配滤波器进行分析.对于中心频率为60 MHz、抽头数32位的SAW匹配滤波器,采用上述方法得到的插入损耗和-3 dB带宽的计算值和测试值分别相差小于1 dB和1 kHz,证明了其正确性和有效性.     

声表面波低损耗滤波器的换能器结构

一、前言 声表面波(SAW)器件以它的独特优点已广泛用于军事、民品电子设备中,由于常规的叉指换能器(IDT)结构,SAW是双向传播的,存在6db的固有传播损耗。如果IDT与外部负载匹配以实现最小的插入损耗,则三次渡越回波抑制只有12db,使幅度和相位波动大到不能使用,通常解决的办法是使IDT失配增大插入损耗来降低三次渡越信号。不用任何办法设计出的常规SAW滤波器插入损耗在20db左右,在中频范围内,在电路中加一级     

声表面波(SAW)滤波器的工程应用

本文讨论了当前广泛应用于移动通信领域的声表面波(SAW)滤波器匹配网络的工程设计方法。根据SAW滤波器输入/输出参数以及信号源端和负载端的复阻抗计算匹配网络参数。通过实例给出设计过程,并讨论了工程应用中的几个问题。     

CLMR SAW滤波器的设计及匹配

把声表面波（SAW）滤波器作为一个网络,测出参数,通过计算模拟出其最佳的滤波器性能,取得较好的匹配参数;同时较详细的介绍了复合纵向耦合谐振型（CLMR）SAW滤波器的结构,给出了GSM中频用246MHzSAW低损耗滤波器的应用实例,未匹配的插入损耗为8.57dB,匹配后插入损耗4.35dB,通带波纹0.45dB。     

一种新型圆极化接收有源集成天线的设计

提出了一种新型圆极化接收有源集成天线的设计方法,采用有源放大与无源辐射部分一体化设计理念,通过合理改变天线的输出阻抗,直接与低噪声放大器晶体管输入端进行匹配,省去了传统设计中的复杂匹配网络,降低了天线前端的匹配损耗,改善了天线接收系统的噪声和增益。利用此方法设计了一款C波段圆极化接收有源集成天线。测试结果表明:相对于传统设计方法,该方法在方向图和轴比性能基本相同的情况下,阻抗带宽改善了3%,输入端匹配损耗减小了0.3 dB,同时简化了电路结构。证明了该方法的有效性。     

基于COM参数提取技术设计SAW梯形滤波器

与耦合谐振滤波器(CRF)相比,声表面波(SAW)梯形滤波器具有插入损耗小,功率容量大和芯片尺寸小的优点。该文从COM参数提取出发,结合COM模型和P矩阵级联的方法,设计出一个中心频率约为350MHz,插入损耗仅有1.5 dB的三极SAW梯形滤波器。从样品的测试结果发现,这种基于COM模型的阻抗元滤波器(IEF)的设计思路是正确可行的。     

微波功率晶体管的Γ型与Τ型匹配网络设计

微波功率晶体管的输入阻抗或输出阻抗中有一个实部,还有一个虚部。由于虚部的存在,在测试或使用时,如果匹配不好,在输入端反射功率较大,功率不能完全输入。在输出端被放大了的信号功率也不易完全输出,使管子功率增益不高,集电极效率下降。若能在输入端及输出端设计一个匹配网络,使阻抗中的实部得以提高,而其虚部尽量减少,这样即可减少输入端的反射功率,又能增大管子的输出功率。这样不仅提高了功率增益和集电极效率,而且使电路在测试和使用时调配方便。本文介绍网络匹配的几种形式,以及网络匹配时的条件和阻抗公式的推导。同时还     

低插损高频SAW滤波器的研究

采用单层膜、梯形结构基于128°YX-LiNbO₃材料研究了Al电极厚度、叉指占空比、反射栅周期、拓扑结构对插损、带外抑制和矩形度的影响。为了降低带内波动和插入损耗,该文设计了一种叉指换能器(IDT)型反射栅结构,该结构对采取优化措施前后谐振器的带内最大尖峰损耗分别降低了8.84%和0.55%。最后采用此反射栅结构设计了一款低插损高频声表面波(SAW)滤波器,有限元仿真结果表明,该滤波器的中心频率为2.520 5 GHz,插入损耗为-0.502 12 dB,带外抑制大于30 dB,-3 dB损耗带宽大于98 MHz。     

微波功率晶体管管内匹配网络

本文的目的是设计宽带微波功率晶体管的内匹配电路,包括:设计思想;内匹配电路衰减的计算;输入、输出阻抗匹配网络的计算机辅助设计.     

声表面波器件输入及输出负载阻抗匹配研究

针对声表面波器件测量中网络分析仪的负载阻抗与射频传输线特性阻抗不匹配,导致传输线上反射波幅值较大的问题,提出一种减少传输线上反射波的负载阻抗匹配系统与方案。负载阻抗匹配方案针对声表面波器件测量中输入与输出端分别设计不同的无源负载阻抗匹配网络,使输入输出端同时达到匹配状态。负载阻抗匹配系统集成了未匹配通道与匹配通道,根据负载阻抗不同调整匹配参数。对一个中心频率为101.764MHz,带宽为30MHz的声表面波器件使用该匹配方案前后中心频率处的衰减进行测量对比,实验结果表明采用该匹配方案后在中心频率点处输入及输出反射损耗分别为-49.36dB和-38.13dB,比未采用匹配方案时分别减少了44.99dB和29.44dB。     

声表面波式指宽变长小波变换处理器的设计

为消除声表面波式小波变换处理器压电基片对频率特性的影响,以及输出换能器的指条数对带宽的影响和解决衍射问题,研制了声表面波式指宽变长小波变换处理器。该处理器选取机电耦合系数为0.64%的X-112°Y LiTaO_3压电基片,输出换能器指条数为36,输入换能器采用指宽变长且声孔径均匀的叉指换能器。设计和制作了尺度2-2声表面波式指宽变长小波变换处理器样品。实验结果表明,声表面波式指宽变长小波变换处理器频率特性曲线光滑,-3dB实验带宽为1.072 MHz,与理论带宽值一致,且不存在衍射问题。     

CMMB用滤波器的仿真设计

报道了一种具有宽带宽和高阻带抑制比的中国移动多媒体广播(CMMB)用滤波器.采用了梯形声表面波(SAW)陷波网络和LC高通滤波网络的综合设计结构,运用SAW谐振器的XTAL2等效模型和Murata电感元件构建原理电路,在ADS 2009中进行综合优化仿真得出滤波器的频响曲线,使滤波器的通带插损小于2.0 dB,阻带抑制大于43 dB,能很好地进行选频.     

无线无源声表面波传感器的天线匹配方法

针对无源无线声表面波传感器无线信号的有效传输,提出了一种无线无源声表面波传感器的天线阻抗匹配方法。该方法根据声表面波传感器的阻抗特性,可直接进行天线设计,并使天线的输入阻抗与声表面波传感器的输出阻抗共轭匹配。实践中,利用声表面波传感器的梅森(Mason)等效电路模型,及由微带传输线和分布式电容构成的匹配网络,在传感器谐振点附近频率段内,对传感器和天线进行共轭匹配及性能优化。对比共轭匹配前、后的仿真结果可知,声表面波传感器得到了最大的功率传输。     

新型声表面波式小波变换器件插入损耗的研究

小波式叉指换能器使用机电耦合系数比较大的基片(如YZ-LiNbO₃基片)时,其频率特性曲线不光滑,但插入损耗小;小波式叉指换能器使用机电耦合系数比较小的基片(如X 112°Y-LiTaO₃基片)时,其频率特性曲线光滑,但插入损耗大.声表面波器件的指条对数N越少,其带宽 Δ f/f越大,插入损耗越大,所以,指条对数N要取的合适,不宜过少.在声表面波式小波变换器件中,发射叉指换能器的条对数N取57,接收叉指换能器的指条对数是57的四分之一到三分之一之间.     

Y型声表面波器件特性分析

在1280旋转Y切割X传播方向上的L iN bO3基片上设计并研制了Y型声表面波器件。它将输入IDT激发的声表面波轴对称分成两路并由各自的输出IDT检测输出。应用P矩阵法分析了其中一输出IDT检测输出的一次时延信号、三次渡越反射信号和五次渡越反射信号与输入IDT所加的电信号之间的关系式,并应用网络分析仪测量Y型声表面波器件幅度特性,结果表明,理论分析与实验结果基本相符。     

一种双通带FBAR滤波器设计方法

该文基于宽频枝节匹配方法提出了一种双通带薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器设计方法。基于S参数网络阻抗变换理论分析了滤波网络输入和输出端宽频匹配原理,设计对应于两个不同频带FBAR滤波器的阻抗匹配枝节,进而通过公共端的连接实现双通带FBAR滤波器的设计。匹配网络采用电容和电感可在基板上进行准确设计,并通过在此基板上完成FBAR滤波器的装配实现双通带滤波器的整体集成。最终设计了一种中心频率分别为2 492 MHz和6 000 MHz的双通带滤波器。结果表明,两个通带的插入损耗分别为3.29 dB和4.91 dB,阻带抑制均小于-25 dB,与理论设计结果匹配较好。     

Design Theory of Up-Converters for Use as Electronically-Tunable Filters (Sep. 1961 [T-MTT])

The up-converters discussed use a single diode, a wide-band impedance matching filter at their signal input, a moderately wide-band impedance matching filter at their pump input, and a narrow-band filter at their sideband output. With a narrow-band filter at the sideband output, the frequency which will be accepted by the amplifier can be controlled by varying the pump frequency. Analysis of the impedance matching problem involved shows that tuning ranges of the order of a half-octave to an octave are possible. Theory is presented for both the lower-sideband and upper-sideband types of tunable up-converters and for the design of the required impedance matching networks. It is shown that, because of the pump input bandwidth required, it will generally be necessary to accept some mismatch at the pump input. But, by use of a properly designed impedance matching filter, the reflection loss can be kept nearly constant across the pump band, and the incident pump power required is not unreasonable. It is seen that properly designed devices of this type using voltage-tunable pump oscillators should have wide tuning range, fast tuning capability a useful amount of gain, no image response, and a low noise figure.     

RF oscillator implementation using integrated CMOS surface acoustic wave resonators

This work is a proof of concept that a monolithic CMOS surface acoustic wave (SAW) resonator can function as an RF oscillator. The design of the oscillator includes the measurement characteristics of the CMOS SAW resonator, its matching networks, and RF amplifier is described. The integrated SAW resonator, with its operating frequency controlled by the spacing of its transducers was fabricated using a combination of CMOS plus post-CMOS processes. Based on the operation and performance of the SAW resonators, an equivalent circuit model of the CMOS SAW resonator was developed. A series resonant oscillator design was simulated using Microwave Office^TM. The designed matching network improves both the insertion losses and the phase slope of the resonator, while the RF amplifier provides sufficient gain to ensure oscillation. Measurements conducted on the RF-CMOS SAW oscillator demonstrated oscillation at 600 MHz.