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报道了用 MBE的方法 ,在 Zn Cd Te衬底上制备 Hg Cd Te薄膜的位错密度研究结果。研究发现Hg Cd Te材料的位错密度与 Zn Cd Te衬底的表面晶体损伤、Hg Cd Te生长条件以及材料组分密切相关。通过衬底制备以及生长条件的优化 ,在 Zn Cd Te衬底上生长的长波 Hg Cd Te材料 EPD平均值达到 4.2× 1 0 5cm- 2 ,标准差为 3 .5× 1 0 5cm- 2 ,接近 Zn Cd Te衬底的位错极限。可重复性良好 ,材料位错合格率为 73 .7%。可以满足高性能Hg Cd Te焦平面探测器对材料位错密度的要求 相似文献
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本文推导出了富Te熔体液相外延生长(Hg,Cd)Te中,Hg的挥发损耗和生长使母液相点移动的表达式;定量计算了几个设定生长条件下的相点移动参量值,从而讨论了相点移动对液相外延生长的一些影响。 相似文献
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利用 Ar 束溅射沉积技术实现了 Cd Te薄膜的低温生长 ,利用电化学方法进行了 Hg Cd Te表面自身阳极氧化膜的生长 ,利用生长的 Cd Te介质膜和 Hg Cd Te表面自身阳极氧化膜对 n- Hg Cd Te光导器件进行了表面钝化 .对两种器件的电阻、各项性能指标进行了测量分析 ,实验表明得到的 Cd Te/ Hg Cd Te界面质量已达到器件实用化水平 . 相似文献
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本文报导用移动加热法(THM)生长晶体,它使用的源材料制备工艺不同于以往使用的所有制备工艺。将非化学配比的(Hg,Cd)Te熔体均匀化合、淬火以避免发生宏观分凝效应。在第一次THM操作中,除去多余Te的夹杂物,获得化学配比的固态合金,其克分子数向较高CdTe含量变化。该变化量与富Te量以及第一次THM操作的平衡温度有关。在制备x=0.22和x=0.30的Hg_(1-x)Cd_xTe单晶时,应计算和考虑此偏移量。源材料晶锭及THM单晶特别强调组分均匀性,为此将径向以轴向组分均匀性与讫今为止报导的THM晶体中最佳结果进行了比较。所述方法可用于生长THM可能制备的所有材料,但是,定量计算需要精确了解具体三元相图。 相似文献
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已用多种块状和薄膜技术生长碲镉汞。目前红外探测器对材料有严格的要求。然而由于在生长三元化合物,特别是含汞化合物中所遇到的困难,单晶生长尚未能满足所有器件的要求。本工作研究了用于生长大面积(Hg Cd)Te和(Hg,Mn)Te单晶的移动加热器方法(THM法)。移动加热器方法作为一种生长高质量晶体的优良方法早已有报导。G.A.Wolff和A.I.Mlavshy阐述了THM方法的突出的优点。本文目的是提供电学性质、MIS 相似文献
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用二乙基碲化物、二甲基镉和液体Hg作源材料在流动H_2中完成了Cd_xHg_(1-x)Te的外延生长。在生长富Hg的Cd_xHg_(1-x)Te时碰到的问题是需要比较高的平衡Hg压以避免分解。生长的低温限由二乙基碲化合物的稳定性决定,讨论了这个问题以及蒸汽中额外化合物形成的结果。用X射线能量色钐显微分析(EDX)和二次离子质谱分析(SIMS)得出的Cd、Hg和Te的深度分布说明深度均匀性良好和相互扩散区不到1微米。对比了用有机金属汽相外延和其他一些外延方法的Cd/Hg相互扩散。用光学显微法和扫描电镜研究了在偏离(100)取向2°的CdTe上生长的外廷层,发现HgTe的表面光洁度很粗糙,但超过x=0.2的组分则表面平滑。根据阶梯生长模型讨论了这些结果。霍尔系数随温度变化的初步研究说明在最低温(~4.2K)下有高的自由电子浓度。用二次离子质谱分析对这些外延层之一进行的分析指出有高的In含量,但在初步检查所研究的其他外延层中没有这种情况。 相似文献
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本文用塞曼效应石墨炉原子吸收光谱分析法(ZAAS)对淬火-固态再结晶制备Hg_(1-x)Cd_xTe材料的工艺进行了研究,探讨并建立了高纯原料(Te、Cd)、制备晶体的容器(石英、玻璃)及Hg_(1-x)Cd_xTe材料中杂质分析方法。结果表明:ZAAS法是Hg_(1-x)Cd_xTe材料研究中一种重要的痕量分析手段。 相似文献
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本文第一次报导了Ⅱ-Ⅵ族半导体化合物Cd_xHg_(1-x)Te的分子束外延(MBE)。在MBE(111)CdTe表面上于100℃下完成外延。所用的三种材料源为Cd、Te和作为Hg源的HgTe。Cd/Te通量比率决定x值,即合金的组分。不同x值(由0~0.35)和厚度(达6微米)的层为具有条纹绕射花纹的单晶。其表面光亮清洁。 相似文献
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用X光衍射方法,测量了固态再结晶法生长的MCT单晶生长方向的衍射角2θ,近似计算出单晶生长方向的应变。MCT单晶的组份为x=0.214,生长方向分别为(111)(110)和(100)。初步实验的结果表明,固态再结晶法生长的MCT单晶生长方向的最大应变为10~(-4);其应变与MCT单晶的晶向没有明显的对应关系,而主要与生长工艺有关。 相似文献
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报道了用 MBE方法生长掺 In的 n型 Hg Cd Te材料的研究结果 .发现 In作为 n型施主在 Hg Cd Te中电学激活率接近 10 0 % ,其施主电离激活能至少小于 0 .6 m e V.确认了在制备红外焦平面探测器时有必要将掺杂浓度控制在~ 3× 10 1 5 cm- 3水平 .比较了高温退火前后 In在 Hg Cd Te中的扩散行为 ,得出在 40 0℃温度下 In的扩散系数约为10 - 1 4 cm2 / s,并确认了 In原子作为 Hg Cd Te材料的 n型掺杂剂的可用性和有效性 . 相似文献
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文章介绍了基于第一性原理的LAPW方法就Hg空位缺陷对碲镉汞材料的电子结构的影响进行了研究。首先选择Hg0. 5 Cd0. 5 Te体系详细分析了Hg空位引起的弛豫,包含Hg空位缺陷体系的电荷密度、成键电荷密度和态密度,得到了碲镉汞材料形成Hg空位情况下的空位第一近邻阴离子悬挂键重整的形式以及Hg空位所形成的双受主能级。计算发现了Hg空位引起第一近邻Te原子5s态能级向高能端移动的现象。
同时,对实验中通常利用As钝化基底表面来有效地控制外延生长的极性进行了研究。本文也介绍了基于密度泛函理论模拟了单个及多个As原子在Si (211)重构表面上的吸附、置换行为,通过系统地计算各种可能的吸附、置换构型,并进一步分析能量、键长等性质,对As在Si(211)表面的钝化机理进行了初步研究探讨。对Cd、Te在As钝化前后Si (211)表面上的吸附行为也进行了研究分析,为外延生长实验中利用As钝化来保证B 面极性的做法提供了一定的理论依据。 相似文献
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制备高质量的HgCdTe单晶与原材料的最初纯度有直接的关系。当前研究中普遍使用的材料是从Cominco购买的。Te和Cd标定为双熔区提纯的6个9的材料,而Hg 相似文献