IRFB3207：MOSFET

国际整流器公司19前推出一系列针对AC-DC同步整流和ORing电路的新型75V和100V HEXFET MOSFET。这款MOSFET具有较低的导通电阻(100V产品IRFB4310的导通电阻为7mΩ，75V产品IRFB3207的导通电阻为4．5mΩ，有助于提升便携式／LCD适配器和服务器AC-DC SMPS等应用的效率和功率密度。     

SiR476DP：功率MOSFET

Vishay推出新型25Vn通道器件SiR476DP,从而扩展了其Gen Ⅲ TrenchFET功率MOSFET系列。SiR476DP在4．5V栅极驱动时最大导通电阻为2.1mΩ,在10V栅极驱动时最大导通电阻为1.7mΩ。导通电阻与栅极电荷乘积是直流到直流转换器应用中针对MOSFET的关键优值（FOM）,在4．5V时为89．25nC。     

具有极低导通电阻的20V N通道功率MOSFET

SiR440DP系列功率MOSFET在20V额定电压时具有低导通电阻及导通电阻与栅极电荷乘积,在4．5V栅极驱动时最大导通电阻为2．0mΩ,在10V栅极驱动时最大导通电阻为1．55mΩ。导通电阻与栅极电荷乘积是DC／DC转换器应用中MOSFET的关键优值（FOM）,在4．5V时为87。SiR440DP将在同步降压转换器以及二级同步整流及OR—ing应用中用作低端MOSFET。其低传导及切换损耗将确保稳压器模块（VRM）、服务器及使用负载点（POL）功率转换的诸多系统实现功效更高且更节省空间的设计。     

1200 V常开型4H-SiC VJFET

用沟槽和离子注入方法在自主外延的4H导通型碳化硅晶圆上研制了垂直沟道结型场效应晶体管(VJFET).在栅电压V<,G>=-10 V时阻断电压达到1 200 V;在V<,G>=2.5 V,V<,D>=2V时的电流密度为395 A/cm<'2>,相应的比导通电阻为5.06 mΩ·cm<'2>.分析发现欧姆接触电阻是导通电阻...     

低压沟槽功率MOSFET导通电阻的最优化设计

研究了低压沟槽功率MOSFET(<100V)在不同耐压下导通电阻最优化设计的差别。给出了确定不同耐压MOSFET参数的方法,简要分析了沟槽MOSFET的导通电阻;利用Sentaurus软件对器件的电性能进行模拟仿真。理论和仿真结果均表明,耐压高的沟槽MOSFET的导通电阻比耐压低的沟槽MOSFET更接近理想导通电阻,并且,最优导通电阻和最优沟槽宽度随着耐压的提高而逐渐增大。     

IR发布新款低导通电阻的AC-DC同步整流MOSFET 为便携式/LCD适配器和服务器AC-DCSMPS应用带来更高效率和功率密度

功率管理厂商国际整流器公司(InternationalRectifier,简称IR)推出一系列针对 AC-DC 同步整流和 ORing 电路的新型 75V 和 100V HEXFETMOSFET。这款新推出的 MOSFET具有极低的导通电阻(例如,100V产品IRFB4310的导通电阻为7毫欧,75V产品IRFB3207的导通电阻为4.5毫欧),对便携式 / LCD 适配器和服务器AC-DC SMPS等应用来说,有助于提升效率和功率密度。新组件适用于很多不同 AC-DC 拓扑技术的次级部份,包括回扫、半桥、全桥和正向转换器。传统上,通常以肖特基二极管用作高功率 SMPS的输出整流组件,但假如以同步整流 MO…     

新型双单刀双掷模拟开关NLAS5223

NLAS5223是安森美公司最近推出的新器件,是一种先进的CMOS模拟开关。在一个小尺寸10引脚WQFN封装中,有两个独立的单刀双掷模拟开关。该模拟开关主要特点:工作电压低,VCC=1.65～3.6V(型号为NLAS5223的与2.8V芯片接口,型号为NLAS5223L的与1.8V芯片接口);低功耗,最大的静态电流为±1μA(25℃);传输电流大,每一个开关可连续传输±300mA电流;开关的导通电阻小,在V CC=3.0±0.3V时,其导通电阻RDS(on)<0.5Ω;导通电阻在不同输入电压时,其平直度为0.15Ω;两个开关之间的导通电阻匹配性(电阻差值)不大于0.05Ω;开关关断时,绝缘电阻高;…     

采用双层栅极场板结构的LDMOS器件优化设计

研究了一种N型50 V RFLDMOS器件的结构。该类型器件对击穿电压BV和导通电阻R_(DSon)等直流参数具有较高要求,一般采用具有两层场板的RESURF结构。通过Taurus TCAD仿真软件对器件最关键的两个部分即场板和N型轻掺杂漂移区进行优化设计,在提高器件击穿电压BV的同时,降低了其导通电阻R_(DSon)。最终仿真得到的击穿电压BV为118 V,导通电阻R_(DSon)为23?·mm。     

产品

通用IC ADI推出模拟多路复用器ADG1406和ADG1407 Analog Devices(ADI)推出两款模拟多路复用器ADG1406和ADG1407,可在±5V、±12V或±15V的供电电压下工作,具有极低的导通电阻。两款多路复用器的最大导通电阻为10Ω,在±10V的信号范围内电阻     

瑞萨推出导通电阻仅为150mΩ的600V耐压超结MOSFET

瑞萨电子宣布开发出了导通电阻仅为150mΩ（栅源间电压为10V时的标称值）的600V耐压超结（SJ：SuperJunction）型功率MOSFET“RJL60S5系列”,将从2012年9月开始样品供货。超结是可在不牺牲耐压的情况下,降低导通电阻的功率MOSFET的元件构造。     

0.18μm完全隔离型低导通态电阻(Low R_(on))NLDMOS研究

介绍一组基于0.18μm逻辑平台构建的低导通态电阻(Low Ron)NLDMOS。该组LDMOS涵盖10~30 V应用电压。该NLDMOS为完全隔离型,因而其源端和漏端均可以独立于衬底加偏压。针对Drift区域和Body区域分别进行结构优化,最终得到性能良好的低导通态电阻(Low Ron)NLDMOS。其导通态电阻(Ron)为4.4 mΩ·mm-2对应击穿电压(BV)~20 V,21 mΩ·mm-2对应击穿电压(BV)~41 V。     

Vishay Siliconix推出首款TrenchFET功率MOSFET

Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出采用针对更高电压器件优化的新型低导通电阻技术的首款TrenchFET(?)功率MOSFET—ThunderFET~(TM)SiR880DP。新器件是业界首款在4.5V栅极驱动下就能导通的80V功率MOSFET。新的80VSiR880DP采用热增强型PowerPAK(?)SO-8封装,在4.5V、7.5V和10V下具有8.5 mΩ、6.7 mΩ和5.9 mΩ的超低导通电阻。在4.5 V栅极驱动下,该器件的典型导通电阻与栅极电荷的乘积为161,该数值是DC-DC转换器应用中MOSFET的优     

Vishay推出具有业内最低RDS(on)的P沟道MOSFET

正Vishay Intertechnology宣布,推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET—Si7157DP,扩充其TrenchFETP沟道GenIII功率MOSFET。VishaySiliconixSi7157DP在-10V和-4.5V电压下的导通电阻分别低至0.0016Ω和0.0020Ω,可提高移动电子设备的效率。     

Vishay发布其E系列器件的首颗500V高压MOSFET

日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新的500 V家族里首款MOSFET---SiHx25N50E,该器件具有与该公司600 V和650V E系列器件相同的低导通电阻和低开关损耗优点。新器件的低导通电阻和栅极电荷在高功率、高性能的消费类产品、照明应用和ATX/桌面PC机开关电源（SMPS）里将起到节能的重要作用。     

Vishay发布其E系列器件的首颗500V高压MOSFET

正2014年10月9日,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新的500 V家族里首款MOSFET—SiHx25N50E,该器件具有与该公司600 V和650 V E系列器件相同的低导通电阻和低开关损耗优点。新器件的低导通电阻和栅极电荷在高功率、高性能的消费类产品、照明应用和ATX/桌面PC机开关电源(SMPS)里将起到节能的重要作用。     

500V N沟道功率MOSFET

SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C—E3和SiHBi2N50C—E3是三款500V、12A的N沟道功率MOSFET,该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的0．555Ω,栅极电荷减小为48nC,采用TO-220、TO-220 FULLPAK和D2PAK（TO-263）封装。     

阶梯埋氧型SOI结构的耐压分析

提出了一种阶梯埋氧型SOI(SBOSOI)RESURF器件结构,并解释了该结构的场调制耐压机理,通过2DMEDICI仿真验证了调制机理的正确性.优化了阶梯埋氧阶梯数与耐压的关系,得出阶梯数为3时耐压达到饱和.模拟仿真了比导通电阻和击穿电压,结果表明该结构在埋层厚度为0.2～0.8μm时可使比导通电阻降低40%～50%,耐压提高30%～50%;漂移区厚度小于1μm时比导通电阻降低10%～50%,耐压提高10%～50%.     

阶梯埋氧型SOI结构的耐压分析

提出了一种阶梯埋氧型SOI（SBOSOI）RESURF器件结构,并解释了该结构的场调制耐压机理,通过2D MEDICI仿真验证了调制机理的正确性．优化了阶梯埋氧阶梯数与耐压的关系,得出阶梯数为3时耐压达到饱和．模拟仿真了比导通电阻和击穿电压,结果表明该结构在埋层厚度为0.2～0.8μｍ时可使比导通电阻降低40%～50%,耐压提高30%～50％;漂移区厚度小于1μｍ时比导通电阻降低10%～50%,耐压提高10%～50%．     

元件

1.8V的功率MOSFET Vishay旗下的Siliconix近日推出12个型号p沟道MOSFET,它们在V_(DS)=1.8V的导通电阻很低,例如Si4465DY在V_(DS)=1.8V时的导通电阻仅16mΩ、在V_(DS)=2.5V时为11mΩ、在V_(DS)=2.5V时仅9mΩ;在环境温度为70℃时的漏极电流可达±10A。封装:8脚SO、6脚TSOP和SOT-23。     

E系列：MOSFET

Vishay Intertechnology推出600V和650Vn沟道功率MOSFETE系列器件。产品在10V下具有64Ωm-190mΩ．的超低最大导通电阻,以及22A-47A的额定电流范围。E系列MOSFET基于Vishay的下一代Super Junction技术,具有超低栅极电荷,以及较低栅极电荷与导通电阻乘积,该乘积是衡量用在功率转换应用中