利用紫外光刻技术进行SU8胶的研究

SU8光刻胶优异的性能在MEMS技术的发展重得到了广泛的应用，已经成为MEMS研究中必不可少的方法之一。SU8光刻胶能够进行厚度达毫米的结构研究工作，另一方面SU8结构具有很好的侧面垂直结构，通过控制工艺参数，能够获得满意的SU8胶结构。SU8光刻胶已应用于UGA技术的标准化掩模制造工艺和一些器件的研究工作。在SU8胶研究过程中，克服了许多技术难题，使得这一技术能够应用到实际的需要中。     

利用紫外光刻技术进行SU8胶的研究

SU8光刻胶优异的性能在MEMS技术的发展重得到了广泛的应用,已经成为MEMS研究中必不可少的方法之一.SU8光刻胶能够进行厚度达毫米的结构研究工作,另一方面SU8结构具有很好的侧面垂直结构,通过控制工艺参数,能够获得满意的SU8胶结构.SU8光刻胶已应用于LIGA技术的标准化掩模制造工艺和一些器件的研究工作.在SU8胶研究过程中,克服了许多技术难题,使得这一技术能够应用到实际的需要中.     

SU-8胶及其在MEMS中的应用

SU 8胶是一种负性、环氧树脂型、近紫外线光刻胶。它适于制超厚、高深宽比的MEMS微结构。SU 8胶在近紫外光范围内光吸收度低 ,故整个光刻胶层所获得的曝光量均匀一致 ,可得到具有垂直侧壁和高深宽比的厚膜图形 ;它还具有良好的力学性能、抗化学腐蚀性和热稳定性 ;SU 8胶不导电 ,在电镀时可以直接作为绝缘体使用。由于它具有较多优点 ,被逐渐应用于MEMS的多个研究领域。本文主要分析SU 8胶的特点 ,介绍其在MEMS的一些主要应用 ,总结了我们研究的经验 ,以及面临的一些问题 ,并对厚胶技术在我国的应用提出建议和意见     

紫外线厚胶光刻技术研究及应用

紫外线厚胶光刻技术已广泛应用于 3D微机械结构的制作。本文选用AZ4 6 2 0和SU 8两种光刻厚胶 ,采用德国卡尔·休斯公司的MA 6双面对准光刻机 ,对紫外线光刻工艺条件进行了对比研究 ,结果表明 ,负性光刻胶SU 8的光敏性好 ,胶结构图形的侧墙较陡直 ,能够实现较大的深宽比 ,为复杂结构的三维微机械器件的制作提供了保证。     

SU-8胶及其在MEMS中的应用

SU-8胶是一种负性、环氧树脂型、近紫外线光刻胶。它适于制超厚、高深宽比的MEMS微结构。SU-8胶在近紫外光范围内光吸收度低,故整个光刻胶层所获得的曝光量均匀一致,可得到具有垂直侧壁和高深宽比的厚膜图形;它还具有良好的力学性能、抗化学腐蚀性和热稳定性;SU-8胶不导电,在电镀时可以直接作为绝缘体使用。由于它具有较多优点,被逐渐应用于MEMS的多个研究领域。本文主要分析SU-8胶的特点,介绍其在MEMS的一些主要应用,总结了我们研究的经验,以及面临的一些问题,并对厚胶技术在我国的应用提出建议和意见。     

SU-8胶及其在MEMS中的应用

SU-8胶是一种负性、环氧树脂型、近紫外线光刻胶.它适于制超厚、高深宽比的MEMS微结构.SU-8胶在近紫外光范围内光吸收度低,故整个光刻胶层所获得的曝光量均匀一致,可得到具有垂直侧壁和高深宽比的厚膜图形;它还具有良好的力学性能、抗化学腐蚀性和热稳定性; SU-8胶不导电,在电镀时可以直接作为绝缘体使用.由于它具有较多优点,被逐渐应用于MEMS的多个研究领域.本文主要分析SU-8胶的特点,介绍其在MEMS的一些主要应用,总结了我们研究的经验,以及面临的一些问题,并对厚胶技术在我国的应用提出建议和意见.     

一种MEMS复合牺牲层工艺的研究

以MEMS滤波器中的MEMS开关牺牲层的工艺为例,通过同时运用聚酰亚胺和正胶作为牺牲层材料的方法,避免了牺牲层单独使用聚酰亚胺做材料难于去除,或单独使用光刻胶做材料,叠层旋涂光刻胶时会出现龟裂的缺点.改善了牺牲层固化和刻蚀的效果,减小了刻蚀的时间.此研究应用在表面微细加工工艺中,对MEMS加工工艺具有一定的参考价值.     

SU—85光刻胶的应用工艺研究

SU－8系列负性光刻胶是一种新品光刻胶,它具有良好的光敏性和高深度比,适合于微机电系统,UV－LIGA和其它厚膜,超厚膜应用[1,2],介绍了利用SU－85光刻胶,采用UV曝光制轩LIGA掩模板涉及的SU－85工艺研究结果。     

结构化晶圆表面厚胶喷涂工艺

采用超声雾化喷涂技术,以AZ4620光刻胶为研究对象,以硅通孔(TSV)刻蚀后的硅片为基材,在12英寸(1英寸=2.54 cm)结构化晶圆表面喷涂光刻胶形成薄膜。分别研究了稀释质量比、超声功率、氮气体积流量、喷嘴与晶圆表面的间距、载台温度等工艺参数对TSV硅片表面喷涂质量的影响,最终通过优化过程工艺参数,得到表面胶颗粒细小、膜厚均匀性好、台阶覆盖率高的涂覆刻蚀片。实验结果表明,超声雾化喷涂法可以很好地应用于三维结构表面涂覆,克服了旋涂方法在三维结构应用中带来的缺陷,同时有效地提高了光刻胶的利用率,在集成电路(IC)制造和微电子机械系统(MEMS)工艺中有着广阔的应用前景。     

用SU-8胶制高深宽比微结构的试验研究

SU-8胶是一种负性、环氧树脂型、近紫外线光刻胶，它适于超厚、高深宽比的MEMS微结构制造。但SU-8胶对工艺参数很敏感。采用正交试验设计方法对其工艺进行分析。采用三个因素进行试验，对试验进行了分析。以200μm厚的SU-8为例进行试验研究，得到光刻胶图形侧壁陡直，分辨率高，与基底附着性能，深宽比大于20。     

LIGA掩模板的制备与同步辐射X射线深度光刻的研究

采用同步辐射进行深度Ｘ射线光刻是ＬＩＧＡ工艺的关键工序,它包括ＬＩＧＡ掩模板的制备、光刻胶的涂制与深度Ｘ射线光刻等多个工艺环节,该技术在深度比要求高的微光、微机械及微机电系统的元件制造领域有独特优势＾［１］,报道采用ＬＩＧＡ工艺制作微齿轮所涉及上述工艺的研究结果。     

LIGA工艺的发展及应用

介绍了LIGA(lithographie,galvanoformungandabformung)技术以及在此基础上开发出来的准LIGA(like－LIGA)技术、SLIGA(sacrificialLIGA)、M2LIGA(movingmaskLIGA)技术和抗蚀剂回流LIGA(PRLIGA———photoresistreflowLIGA)技术等。利用这一系列LIGA技术,可以生成具有高深宽比的复杂微结构,如微尖阵列、球形曲面、活动部件等,能较好地满足MEMS发展的需要。最后指出了目前这些方法存在的缺陷。     

利用背面曝光技术制造大高宽比SU8结构的一种新方法

提出了一种解决大高宽比SU8结构的新方法.该方法是将SU8胶涂在一块掩模上,紫外光从掩模的背面照射,这样SU8胶的曝光将从底部开始,不需要进行过曝光来保证底部胶的曝光剂量,从而很容易控制曝光剂量和SU8胶结构的内应力.实验结果表明,该方法能够得到高宽比为32的SU8结构,而文献报道的SU8胶结构的高宽比最大仅为18.     

利用背面曝光技术制造大高宽比SU8结构的一种新方法

提出了一种解决大高宽比SU 8结构的新方法.该方法是将SU 8胶涂在一块掩模上,紫外光从掩模的背面照射,这样SU 8胶的曝光将从底部开始,不需要进行过曝光来保证底部胶的曝光剂量,从而很容易控制曝光剂量和SU 8胶结构的内应力.实验结果表明,该方法能够得到高宽比为32的SU 8结构,而文献报道的SU 8胶结构的高宽比最大仅为18     

基于LIGA技术制作金属微针阵列

MEMS微针在生物领域中的应用日益广泛,为了方便微针刺入皮肤且减少疼痛,要求微针具有足够的强度和锐利的尖端。传统LIGA工艺只能制造出具有高深宽比的垂直侧壁结构。对传统LIGA工艺进行调整,对光刻胶PMMA进行两次曝光,并通过移动光刻胶台改变X射线的光刻方向,使两次X射线曝光方向相垂直,提出移动LIGA工艺,即移动光刻工艺。此外,利用等腰三角形作为掩膜板图案,显影之后得到截面与X射线掩膜板图案相似的三维实心PMMA微针阵列。再利用此PMMA微针阵列作为原始模具,PDMS转模形成PDMS一级模具,电镀镍得到与PMMA微针阵列相似的金属镍微针阵列。     

Stable superhydrophobic surfaces induced by dual-scale topography on SU-8

SU-8 is a photosensitive resist widely used for the fabrication of MEMS and lab-on-a-chip devices, as well as of model structures for testing wetting theories. In this work, superhydrophobic surfaces are fabricated on SU-8 by combining micro- and nano-sized structures formed by means of lithography and plasma etching, respectively. It is found that nanotexturing of the micropatterned SU-8 surfaces is essential in enhancing surface hydrophobicity and rendering the surfaces water repellent (i.e. minimizing contact angle hysteresis). The proposed method will be shown to be of paramount importance for the fabrication of mechanically stable and robust superhydrophobic SU-8 surfaces with low aspect ratio microstructuring.     

深紫外深度光刻蚀在LIGA工艺中的应用

随着MEMS在各个领域的运用,人们也开始探讨低成本、操作方便的LIGA工艺。本文重点介绍了一种用于深紫外光深度光刻实验装置的设计,并将该实验装置成功地应用于LIGA工艺的深度光刻中,光刻实验结果表明深紫外光深度光刻具有很大的实用意义。