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本文比较了ＧＪＢ３３Ａ－９７与ＧＪＢ３３－８８、ＧＪＢ１２８Ａ－９７与ＧＪＢ１２８－８６之间的差异，分析了企业在贯标过程中常见的一些问题，并提出了相应的对策与措施。 相似文献
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刘友声 《电子工业专用设备》1995,(2)
ＢＧ－１０１Ｊ型分步光刻机工艺考核报告北京市半导体器件三厂刘友声为了促进军用电子器件开发研制，北京市半导体器件三厂与电子工业部四十五所密切合作，从九一年十月份开始，用电子部４５所研制的军用电子专用设备ＢＧ－１０１Ｊ分步重复投影光刻机，共同完成国防科工... 相似文献
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《电子工业专用设备》1995,(2)
ＢＧ－１０１＿Ｊ型分步光刻机使用报告根据中电军基１９９１１２４号文（合同号９１０４Ｅ０１１），电子部第四十五所提供实用整机ＢＧ－１０１Ｊ投影光刻机，用于北京市半导体器件三厂完成国防科工委下达的军用大规模集成电路８０Ｃ８６系列器件开发（科工委１９９１计... 相似文献
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ＬＳ—ＪＴＡＧ边界扫描测试系统的设计与实现 总被引：1，自引：1，他引：0
文章介绍了基于ＩＥＥＥ１１４９．１，协议在ＬＳ－ＪＴＡＧ边界扫描测试系统的设计和实现，系统以ＬＳ－ＪＴＡＧ主控器的核心，可以实现对支的支持协议的ＶＬＳＩ，ＰＣＢ，ＭＣＭ和其它数字系统进行边界扫描测试。 相似文献
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《电子工业专用设备》1995,(2)
ＢＧ－１０１Ｊ型分步光刻机实用化鉴定会检测大纲鉴定会检测组根据电子部“军用电子专用设备科研试制合同书”（合同号９１０４Ｅ０１１）对ＢＧ－１０１Ｊ型分步光刻机实用化规定中的考核指标及验收标准，拟定如下检测大纲：一、实用分辨率１．技术指标１２５μｍ２．检... 相似文献
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Ka频段GaAs单片平衡混频器 总被引：1，自引：0，他引：1
Ｋａ频段ＧａＡｓ单片平衡混频器江关辉，孙柏根，高葆薪，孙迎新，戴沛然（南京电子器件研究所，２１００１６）（清华大学电子工程系，北京，１０００８４）Ｋａ－ＢａｎｄＭｏｎｏｌｉｔｈｉｃＧａＡｓＢａｌａｎｃｅｄＭｉｘｅｒ￥ＪｉａｎｇＧｕａｎｈｕｉ；ＳｕｎＢ... 相似文献
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宽带GaAsFET微波单片集成单刀双掷开关 总被引：1，自引：1，他引：0
本文报道了一种采用串、并联ＦＥＴｓ结构的ＧａＡｓＭＭＩＣ单刀双掷开关。芯片尺寸为０．９７＊１．２３ｍｍ．在ＤＣ－１０ＧＨＺ频率范围内，插入损耗小于２．２ｄＢ，隔离度大于３２ｄＢ，反射损耗大于１２ｄＢ，并关时间小于１ｎｓ，在５ＧＨＺ下的功率处理能力大于２０ｄＢｍ。此开关具有极低的直流功率耗散。 相似文献
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Ｂ－ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎａｎｄＡｎｎｅａｌｉｎｇｆｏｒＳｉＧｅＥｐｉｌａｙｅｒｓ①②ＪＩＡＮＧＲＬ，ＬＩＵＷＰ，ＪＩＡＮＧＮ，ＺＨＵＳＭ，ＨＵＬＨ，ＺＨＥＮＧＹＤ（Ｄｅｐｔ．ｏｆＰｈｙｓｉｃｓ，ＮａｎｊｉｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｎａｎｊｉｎｇ２... 相似文献
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描述了２－４ＧＨｚ、８－１２ＧＨｚ的ＳＰＤＴ和８－１２ＧＨｚ的ＳＰ３Ｔ大功率ＰＩＮ开关的设计方法、实现过程和测试结果。其连续波功率最大可承受８０Ｗ，插入损耗小于１．８ｄＢ，，隔离度大于２５ｄＢ，驻波比小于１．８，开关时间小于１ｕｓ具有功率容量大，工作频带宽、可靠性高，成本低，调试简单等特点。 相似文献
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《电子工业专用设备》1995,(2)
鉴定委员会对ＢＧ－１０１Ｊ型分步光刻机的鉴定意见ＢＧ－１０１Ｊ型分步光刻机实用化是国防科工委和电子工业部下达的“八五”重点型谱攻关课题。课题以适度的设备精度、稳定可靠和实用为主攻目标，以国防和航空航天技术急需的军用１６位微机关键电路８０Ｃ８６系列的Ｌ... 相似文献
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孙再吉 《固体电子学研究与进展》1994,(3)
ＡｌＧａＡｓ－ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ ＨＢＴ，ｆ_Ｔ高达２４５ＧＨｚ《ＩＥＥＤＩＪ》１９９３年第１２期报道了一种新的ＨＢＴ，采用ＡＩＧａＡｓ－ＩｎＧａＰ发射区结构。该结构在发射极形成一个电子发射器，产生速度过冲效应。它一方面增强了发射极输运，同时减少了?.. 相似文献
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C r^4＋：YAG被动Q开关的Nd：YAG激光器 总被引：2，自引：0，他引：2
本文以Ｃｒ＾４＋：ＹＡＧ作可饱和吸收材料，研究了高效率的灯泵单脉冲被动Ｑ开关Ｎｄ：ＹＡＧ激光，单脉冲Ｑ开关的输出为５０－７０ｍＪ，Ｑ开关效率为４６％－５２％，总效率为０．７５％－０．９７％，脉冲宽度（ＦＷＨＭ）为７－９ｎｓ。 相似文献
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在学习，理解ＧＪＢ５４６Ａ和军用电子元器件质量认证指南的基础上，阐明了质量保证大纲的构成及ＧＪＢ５４６Ａ的特点；分析了ＧＪＢ５４６Ａ与ＩＳＯ９０００族标准的关系；结合企业贯标的成功经验，给出了对编写质量保证大纲计划示例的分析；指出了实施应用ＧＪＢ５４６Ａ时应注意的问题。 相似文献
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