大信号设计GaAs MESFET功率合成

利用ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ功率特性的线性化模型，求出ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ近似最佳功率负载阻抗，为利用谐波平衡法计算提供初值。然后，使用自行研制的谐波平衡分析软件包，进行ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ大信号模型参数的提取和非线性电路模拟计算。将两只总栅宽为９．６ｍｍ的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ管芯，利用内匹配功率合成技术，在Ｃ波段（５．５～５．８ＧＨＺ）制成１ｄＢ压缩功率大于８Ｗ，典型功率增益９ｄＢ的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ内匹配功率管。     

IR扩展肖特基整流器系列

功率半导体专家国际整流器公司 (ＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＲｅｃｔｉｆｉｅｒ ,简称ＩＲ)推出经济实惠的标准表面贴装(ＳＭＡ、ＳＭＢ及ＳＭＣ)及轴向引线 (ＤＯ 2 0 1及ＤＯ 2 0 4 )封装ＭＢＲ系列肖特基整流器 ,扩大了功率管器件系列。设计人员现在可以利用更多元化的肖特基整流器 ,配合ＩＲ其他功率半导体产品 ,包括ＨＥＸＦＥＴ功率ＭＯＳＦＥＴ、栅驱动集成电路及Ｐ Ｎ结型二极管 ,实现完整的功率系统方案。肖特基二极管用于 12Ｖ以下输出整流级、开关电源、其他功率系统、电池反向保护、续流电路及高频或过冲 /下冲箝位电路。肖特…     

SiC器件──物理与数值模拟

从文献中摘出了６Ｈ碳化硅（６Ｈ～ＳｉＣ）的重要材料参数并应用到２－Ｄ器件模拟程序ＰＩＳＣＥＳ和ＢＲＥＡＫＤＯＷＮ及１－Ｄ程序ＯＳＳＩ中。６Ｈ－ＳｉＣｐ－ｎ结的模拟揭示了由于反向电流密度较低的缘故相应器件在高达１０００Ｋ温度下应用的可能性。６Ｈ－ＳｉＣ１２００Ｖｐ－ｎ￣（－）－ｎ￣（＋）二极管与相应硅（Ｓｉ）二极管的比较说明６Ｈ－ＳｉＣ二极管开关性能较高，同时由于６Ｈ－ＳｉＣ　ｐ－ｎ结内建电压较高，其正向功率损耗比Ｓｉ略高。这种缺点可用６Ｈ－ＳｉＣ肖特基二极管克服。Ｓｉ、３Ｃ－ＳｉＣ和６Ｈ－ＳｉＣ垂直功率ＭＯＳＦＥＴ的开态电阻通过解析计算进行了比较。在室温下，这种ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ的开态电阻低于０．１Ωｃｍ￣２，可在高达５０００Ｖ阻塞能力下工作，而ＳｉＭＯＳＦＥＴ则限于５００Ｖ以下。这一点通过用ＰＩＳＣＥＳ计算６Ｈ－ＳｉＣ１２００ＶＭＯＳ－ＦＥＴ的特性得以验证。在低于２００Ｖ的电压区，由于硅的迁移率较高且阈值电压较低，故性能更优良。在上述的６Ｈ－ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ的栅氧化层和用于钝化平面结的场板氧化层中存在着大约４×１０￣６Ｖ／ｃｍ的电场。为了研究ＳｉＣ器件的高频性能，提出了６Ｈ－ＳｉＣ发射极的异质双极晶体管?     

快速低阻功率开关MOSFET

飞利浦半导体公司开发了一种具有极低开态电阻和额定电压为２００Ｖ的功率ＭＯＳ－ＦＥＴ器件。这种“硅ＭＡＸ”器件采用沟槽ＭＯＳ工艺,兼有大功耗和快速开关速度的性能,其１００－２００Ｖ的额定电压来源于ＤＭＯＳ功率ＭＯＳＦＥＴ。这种新器件在开关型功率源,ＤＣ／ＤＣ转换器以及负载开关应用方面,特别具有吸引力。 新的功率ＭＯＳＦＥＴ的低开态电阻是利用大量制作在硅芯片上的小ＭＯＳＦＥＴ单元并联获得的。在给定硅片上,由于减小了单元的尺寸,增加了单元了数目,从而降低了开态电阻。但单元间距离变近,使单元之间产生相互…     

P埋层技术研究

介绍了在Ｓｉ￣＋注入的ｎ－ＧａＡｓ沟道层下面用Ｂｅ￣＋或Ｍｇ￣＋注入以形成ｐ埋层。采用此方法做出了阈值电压０～０．２Ｖ，跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的Ｅ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ，也做出了夹断电压－０．４～－０．６Ｖ、跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的低阈值Ｄ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ。     

5.5瓦AC适配器

具有通用输入（８５－２６５Ｖ ＡＣ）的 ５．５Ｗ（９Ｖ,０．６Ａ） ＡＣ：适配器电路示于图１。此适配器的关键元件是ＴＮＹ２５６（ＴｉｎｙＳｗｉｔｃｈ）控制器,它把高电压功率ＭＯＳＦＥＴ（７００Ｖ）开关与电源控制器组合在一个器件中。它不像通常的ＰＷＭ（脉宽调制）控制器那样,采用简单的ＯＮ／ＯＦＦ（开／关）控制来调整输出电压。ＴＮＹ２５６控制器由一个振荡器、使能（感测和逻辑）电路、５．８Ｖ稳压器、旁路端欠压电路、过温保护、限流电路、前沿消隐和一个７００Ｖ功率ＭＯＳＦＥＴ组成。ＴＮＹ２５６包括用于线路欠…     

固体软启动开关控制电路

诸如白炽灯、粘滞性负载电机（负载与速度成正比）等的阻抗在启动期间呈非线性状态增加,启动峰值电流相当大,这对负载和与之相串联的限流ＭＯＳＦＥＴ产生很大的冲击。为了减小启动期间的峰值电流,保护负载和与之相串联的限流ＭＯＳＦＥＴ,减少耗费,本文给出了一种固体软启动开关控制电路,可有效地减小峰值电流。１．　电路结构图１所示固体软启动开关控制电路包括：ＭＯＳＦＥＴＴ１～Ｔ４、运算放大器ＯＰ、比较器ＣＰ、逻辑电路、电压倍增电路、电阻Ｒ１、第一个电压参考源Ｖｒｅｆ１和第二个电压参考源Ｖｒｅｆ２。非线性负载（例…     

2英寸GaAs快速热退火技术研究

为配合２０００门ＧａＡｓ超高速门阵列及ＧａＡｓ超高速分频器等２英寸ＧａＡｓ工艺技术研究，开展了２英寸ＧａＡｓ快速热退火技术研究。做出了阈值电压为０～０．２Ｖ，跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的Ｅ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ和夹断电压为－０．４～－０．６Ｖ，跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的低阈值Ｄ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ。     

半导体和IC

表面贴装功率ＩＣ封装ＳＧＳ　ＴＨＯＭＳＯＮ　Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ公司的大功率表面贴装封装系列又增添了一种形状和尺寸与标准１４×１４×２．８ｍｍＱＦＰ封装相同的新型大功率封装。这种新封装叫做ＨＩＱＵＡＤ－６４（ＪＥＤＥＣＭＯ－１８８），是为未来的灵巧功率芯片设计的，具有优于１ｋ／Ｗ的连接外壳热阻，厚度为１０密耳的铜线框以及金或铝焊线。它可容纳１２０ｋ密耳２的小片。高速ＡＳＩＣ验证工具ＶｉｅｗｌｏｇｉｃＳｙｓｔｅｍｓ公司最近推出Ｅａｇｌｅ系列新产品ＥａｇｌｅＶ　ＴＭ，这是一种优化的专用集…     

2英寸GaAs快速热退火技术研究

为配合２０００门ＧａＡｓ超高速门列及ＧａＡｓ超高速分频器等２英寸ＧａＡｓ工艺技术研究，开展了２英寸ＧａＡｓ快速热退火技术研究，做出了阈值电压为０～０．２Ｖ，跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的Ｅ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ和夹断电压为－０．４～－０．６Ｖ，跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的低阈值Ｄ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ。     

移动通信用的半导体技术

介绍了移动通信的发展动向和移动通信对半导体技术的要求。给出了具体的器件技术包括Ｓｉ双极晶体管、ＳｉＭＯＳＦＥＴ、ＧａＡｓＨＢＴ、ＨＪＦＥＴ和ＨＥＭＴ以及电路技术。     

X波段1.5WGaAsMMIC研究

介绍了Ｘ波段１．５Ｗ ＧａＡｓＭＭＩＣ的设计、制作和性能测试,包括ＭＥＳＦＥＴ大信号模型的建立、电路ＣＡＤ优化、ＤＯＥ灵敏度分析及Ｔ型栅工艺研究等。微波测试结果为： 在频率９．４～１０．２ＧＨｚ下, 输出功率大于３２ｄＢｍ , 增益大于１０ｄＢ。     

X波段1.5W GaAs MMIC研究

介绍了Ｘ波段１．５Ｗ ＧａＡｓ ＭＭＩＣ的设计,制作和性能测试,包括ＭＥＳＦＥＴ大信号模型的建立,电路ＣＡＤ优化,ＤＯＥ灵敏度分析及Ｔ型栅工艺研究等。微波测试结果为：在频率９．４￣１０．２ＧＨｚ下,输出功率大于３２ｄＢｍ,增益大于１０ｄＢ。     

IR4007开关模式电源IC

ＩＲ公司推出的ＩＲ４００７芯片是一种将电压、电流控制与ＭＯＳＦＥＴ集成在一起的开关模式电源集成电路。该芯片具有２００Ｖ的ＭＯＳＦＥＴ开关电源和０４Ω的Ｒｄｓ(ｏｎ）,因而可提供高效的功率转换,减少损耗,采用ＴＯ-２６２（５脚)封装。ＩＲ４００７有两种工作模式:准谐振模式和脉冲占空比控制模式。前者适用于负载电流变化较小的电路;后者多用于需要小电流或功率可调的电路。这路开关模式电源ＩＣ首先对电路的电流进行控制,其次对电压控制,具有过压、过流和温度保护功能。另外,拥有其它同类产品所不具备的完全雪崩功能。在电信系…     

广电专业技术用语名词中、英文对照

ＬｉｇｈｔｗａｖｅＣＡＴＶＳｙｓｔｅｍ光纤有线电视系统 ＨＦＣＮｅｔｗｏｒｋ……光纤同轴电缆混合网 Ｐｈｏｔｏ -ｄｅｔｅｃｔｏｒ光探测器 ＯｐｔｉｃａｌＦｉｂｅｒＡＭＣＡＴＶ光纤调幅有线电视 ＳｗｉｔｃｈｉｎｇＰｏｗｅｒＳｕｐｐｌｙ开关电源 ＵｎｉｎｔｅｒｒｕｐｔｉｂｌｅＰｏｗｅｒＳｕｐｐｌｙ不间断电源 Ｓｅｔ-ＴｏｐＣｏｎｖｅｒｔｅｒ机上变换器 ＣＲＴＣｏｌｏｒＡｎａｌｙｚｅｒＣＲＴ色彩分析仪 ＥｘｔｅｒｎａｌｌｙＭｏｄｕｌａｔｅｄＴｒａｎｓｍｉｔｔｅｒ外调制发射机 Ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌ/Ｖｅｒｔｉｃａ…     

具有保护功能的功率开关管IRSF3010的特点及其应用

具有保护功能的功率开关管ＩＲＳＦ３０１０的特点及其应用李明１、引言ＩＲＳＦ３０１０是美国ＩＲ公司生产的一种三端单片智能功率场效应管，ＴＯ—２２０封装，与现有的功率ＭＯＳＦＥＴ完全兼容，其输入电流非常小（３００μＡ），Ｎ沟道逻辑电平控制。它具有短路保护...     

GaAsMESFET在抗辐射领域的应用

详细论述了多种辐照源辐射ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ器件和电路产生的ＳＥＵ（单粒子翻转 ）效应，辐照源包括脉冲激光、质子、中子和电子不等。同时还讨论了计算机模拟辐射产生ＳＥＵ的过程和机制。研究表明：１）在低温生长ＧａＡｓ阻支的ＭＥＳＦＥＴ电路，有较强的抗ＳＥＵ能力；２）在ＭＥＳＦＥＴ中，产生ＳＥＵ的原因在于辐射导致了漏极收集电荷的增加，而且，电荷惧增强机制扔三种：ａ）背沟道导通机制，ｂ）双极增益机制；ｃ０     

AlGaAs／InGaAs功率PHEMT用异质材料的计算机优化与器件实验结果

借助一新的工艺模拟与异质器件模型用ＣＡＤ软件──ＰＯＳＥＳ（Ｐｏｉｓｓｏｎ－ＳｃｈｒｏｅｄｉｎｇｅｒＥｑｕａｔｉｏｎＳｏｌｖｅｒ），对以ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ异质结为基础的多种功率ＰＨＥＭＴ异质层结构系统（传统、单层与双层平面掺杂）进行了模拟与比较，确定出优化的双平面掺杂ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ功率ＰＨＥＭＴ异质结构参数，并结合器件几何结构参数的设定进行器件直流与微波特性的计算，用于指导材料生长与器件制造。采用常规的ＨＥＭＴ工艺进行ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ功率ＰＨＥＭＴ的实验研制。对栅长０．８μｍ、总栅宽１．６ｍｍ单胞器件的初步测试结果为：ＩＤｓｓ２５０～４５０ｍＡ／ｍｍ；ｇｍ０２５０～３２０ｍＳ／ｍｍ；Ｖｐ－２．０－２．５Ｖ；ＢＶＤＳ５～１２Ｖ。７ＧＨｚ下可获得最大１．６２Ｗ（功率密度１．０Ｗ／ｍｍ）的功率输出；最大功率附加效率（ＰＡＥ）达４７％。     

MOSFFT栅极驱动发生器

ＭＯＳＦＦＴ栅极驱动发生器印度Ｃｅｎｔｒｅ　Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ　ｏｆ　ＴｅｌｍａｔｉｃｓＶ．Ｌａｋｓｈｍｉｎａｒａｙａｎａｎ毫无疑问，功率ＭＯＳＦＥＴ正在日益普及，但是，由于它需要栅极驱动电压，因而人们可能对其某些优点持否定态度。在ＭＯＳＦＥＴ从...     

GaAs MESFET欧姆接触可靠性研究进展

报道了ｎ型ＧａＡｓ上欧姆接触的制备及其可靠性，以及基于欧姆接触退经的ＧａＡｓＭＥＳＰＥＴ的失效分析，结果表明，ｎ型ＧａＡｓ上欧姆接触的制备已日趋成熟，接触电阻有所减小，表面形貌及热稳定性方面都得到了很大程度的提高，接触材料也日趋丰富ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ的失效分析方法也有明显改进。