PLZT陶瓷的介电弛豫行为与A位有序

用传统粉末工艺合成了（Ｐｂ＿（０．８６５）Ｌａ＿（０．０９））（Ｚｒ＿（０．６５）Ｔｉ＿（０．３５））Ｏ＿３陶瓷（ＰＬＺＴ９／６５／３５）。Ｘ射线研究表明：试样中存在着Ａ位准体心立方有序超结构，有序畴的平均尺寸为１０～２０ｎｍ。测定了１０个频率下介电常数与温度的关系，并将介电常数最大值的温度Ｔ＿ｍ与对应的频率ｆ用Ｖｏｇｅｌ－Ｆｕｌｃｈｅｒ公式拟合，得到物理上合理的激活能及指数前项值，这表明试样的介电弛豫行为与自旋玻璃态类似。基于Ａ位有序超结构及类似于自旋玻璃态的极化行为，对试样的极化全过程进行了探讨。     

PLZT驰豫铁电陶瓷偏压压电效应的研究

本文研究了铌掺杂的ＰＬＺＴ驰豫铁电陶瓷在不同直流偏压及温度下的介电常数ε３３,平面机电耦合系数ｋ和等效横向压电常数ｄ３１。实验表明,铌掺杂的ＰＬＺＴ驰豫铁电陶瓷ｄ３１值可由直流偏压控制及ｄ３１值的温度系数远小于ＰＭＮ－ＰＴ系陶瓷。室温上２ｍｏｌ％和３ｍｏｌ％的铌掺杂的ＰＬＺＴ１０／６５／３５驰豫铁电陶瓷在１０ＫＶ／ｃｍ的偏压下│ｄ３１│分别为２０５ｐＣ／Ｎ和１６０Ｃ／Ｎ。     

固相反应法制备高储能密度及高储能效率的驰豫型反铁电PLZT陶瓷

通过固相反应法制备了锆钛酸铅镧(PLZT)陶瓷并研究了其储能特性。根据室温下PLZT相图制备了反铁电相和弛豫型铁电体相相界附近的PLZT陶瓷,并选择储能密度和储能效率相对较高的组分通过流延法制备了陶瓷厚膜,并通过电滞回线计算样品的储能密度和储能效率。结果表明:所制备的样品同时表现出反铁电特性和弛豫型铁电体特性,样品室温下的储能密度能达到0.61 J/cm^3,同组分厚膜陶瓷室温下储能密度能达到1.414 J/cm^3;样品储能效率能达到94.4%;且样品的储能密度和储能效率随温度的变化表现出不同的变化趋势。     

PMZNT驰豫铁电陶瓷在不同外电场下的介电特性

对PMN－PZN－PT弛豫铁电陶瓷在不同外电场下的介电特性进行了研究。结果表明：直流偏压场与交流测试场对弛豫铁电体的作用相反,增大偏压场导致介电常数的降低,而增大测试场则使介电常数升高。同时频率色散度也呈现了不同的变化趋势。利用超顺电理论及多畴态模型对上述结果进行了定性分析。     

铅基复合钙钛矿型驰豫铁电体介电理论研究进展

复合钙钛矿型驰豫铁电体是一类具有重要应用价值的铁电材料，有关其介电特性的研究不仅具有重要的理论意义，而且具有十分重要的实用价值。本文综述了铅基复合钙钛矿型驰豫铁电体介电理论研究进展。     

热压烧结对锆钛酸铅镧陶瓷电卡效应的影响

探讨热压烧结工艺对PLZT(锆钛酸铅镧)陶瓷材料介电击穿性能、饱和极化强度以及电卡性能的影响。通过X射线衍射和扫描电子显微镜,分析陶瓷样品的相组成和微观结构。结果表明,热压烧结法有助于控制陶瓷晶粒的生长,提高陶瓷的致密度并增大陶瓷的介电击穿场强,从而有效提高陶瓷的电卡性能以及电卡转换效率。在328 K(55℃)与478 K(205℃)附近,分别发生低温铁电三方相到高温铁电三方相的相变(FRL-FRH)以及高温铁电三方相到立方顺电相(FRH-Pc)的相变,展现了比较好的弛豫性,在室温下达到3.6 K的绝热温变与1.8×0-7(K·m)/V的电卡转换效率,具有良好的电卡性能。     

Pb(Zn1/3Nb2/3)O3基复相陶瓷的室温介电老化行为

研究了Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３基复相陶瓷的室温介电老化行为与材料烧成制度的关系,性机和介电常数与老化时间的对数值成线性关系,随烧成温度提高和保温时间延长,老化速率增大,老化速率对频率的依存性增加。低温短时间烧结的复相陶瓷的介电老化行为类似于正常铁电体,其老化起因于畴壁运动;而高温长时间烧结的复相陶瓷表现为典型弛豫电体的老化行为,起因于缺陷偶极子与极性微区的相互作用。     

PMN—PT系陶瓷准同型相界附近结构与介电性能研究

用二次合成了法制备了（１－ｘ）ＰＭＮ－ｘＰＴ（ｘ＝０．３０，０．３３，０．３５，０．３８）陶瓷，并对其进行了微结构和介电性能研究，Ｘ射线衍射研究结果表明，除０．７０ＰＭＮ－０．３０ＰＴ为立方晶系外，其余三种均为四方晶系，其准同型相界位于ＰＴ含量为０．３０～０．３３之间，对试样的ｌｇ（１／ε－１／ε）与ｌｇ（Ｔ－Ｔｍ）关系研究表明，确立Ｔｍ以上的ε－Ｔ特性可引入指数ｎ表征，ｎ值的大小在１～２之间变化     

La掺杂对PLZT压电陶瓷及PLZT/PVDF复合材料结构及特性的影响

分别采用固相反应烧结法和注模法制备（Pb1-xLax）（Zr0.5Ti0.5）1-x/4O3（x=0.01～0.13）锆钛酸铅镧（lead lanthanum zironate titanate,PLZT）压电陶瓷和0-3型PLZT/聚偏二氟乙烯（polyvinylidene fluoride,PVDF）复合材料。用X...     

La2O3—TiO2系陶瓷物相与介电性能研究

固相法合成La2O3-TiO3系陶瓷介质材料,XRD、SEM、EDS分析其结构、形貌和成分。高精度电容测量仪测试其介电性能。La2O3/TiO2比1:2、2：9组分可获得极低介质损耗,XRD分析主晶相为La2Ti2O7和La4Ti9O24,La2O3/TiO2比1：3组分可获得La2/3TiO3、La4Ti9O24复相,缺陷型钙钛矿相La2/3TiO3不利于介质损耗降低。EDS分析表明晶界富集Si杂质,有效促进了液相烧结。     

PMZNT弛豫铁电陶瓷在不同外电场下的介电特性

对PMN-PZN-PT弛豫铁电陶瓷在不同外电场下的介电特性进行了研究. 结果表明:直流偏压场与交流测试场对弛豫铁电体的作用相反,增大偏压场导致介电常数的降低,而增大测试场则使介电常数升高. 同时频率色散度也呈现了不同的变化趋势. 利用超顺电理论及多畴态模型对上述结果进行了定性分析.     

La置换Pb对Sb掺杂PLzT压电陶瓷介电性能的影响

研究了Pb1 xLax(Zr1 yTiy)1 x/4O3+1.5wt%Sb2O5陶瓷(PLSZT)的介电性能及其微观结构.实验结果显示:x≤4.9%时,晶体结构为纯钙钛矿相;x4.9%时,为钙钛矿和焦绿石(Pb3Sb2O8 47)6 4两相复合结构.随着x的增大,介电常数呈现先增大后减小的趋势.介电常数在x=6%、y=0.45时最大,em≈3900,tgδ≈1.8%.PLSZT随x的增大弥散性逐渐增强,但Sb的添加使得相同La含量的PLSZT相较干PLZT的弥散性弱.     

Pb(Zn1/3Nb2/3)O3基复相陶瓷的显微结构发展与介电性能的关系

采用混合烧结法在PZN-BT-PT系统中制备了温度稳定PZN基复相陶瓷,借助SEM、TEM和介电温谱研究了复相陶瓷的显微结构发展与介电性能的关系,结果表明,复相陶瓷以溶解-沉淀机制进行晶粒生长,伴随该过程发生两相间固溶反应,使介电常数的温度稳定性降低.     

铌锌酸铅基铁电陶瓷的介电弥散行为

通过对（０．９－ｘ）Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３－）．１ＢａＴｉＯ３－ｘＰｂＴｉＯ３（ｘ＝０．００,０．０５,０．１０,０．１５）系列铁电陶瓷射频（２０－１ＧＨｚ）复介电常数ε（ε＝ε＋ｉε）的测试,观察到春介电弥散行为在１０ＭＨｚ以下随ＰｂＴｉＯ３含量的增加而减弱;在１０ＭＨｚ以上却同强烈的介电弥散,伴有强烈的介电损耗峰,并且介电损耗峰随ＰｂＴｉＯ３含量的增加而向高频移动。结合其介电温度谱与     

Dy2O3和La2O3掺杂对BaTiO3铁电陶瓷介电特性的影响

对BaTiO3和BaTiO3-Co2O3系组成进行了Dy2O3和La2O3稀土改性的研究,考察了该系统的介电温度特性和耐电性能,观察了样品的显微结构,讨论了Dy2O3和Dy2O3和La2O3在改变BaTiO3铁电温谱特性的作用,结果表明：Dy2O3和La2O3的掺杂效果存在差异,Dy2O3掺杂明显促进BaTiO3细晶化,而La2O3掺杂呈现出对BaTiO3基介质材料的Curie峰更强的压峰和移峰效应,在BaTiO3-Nb2O5-Co2O3-Dy2O3系统中可获取高介高压特性瓷料,其介电常数≈3000,tgδ＜1．5％,介电温谱符合“X7R”标准,击穿强度可达7－8kV/mm。     

锆钛酸铅镧陶瓷裂尖处由电场诱发90°的电畴变的实验研究

用传统陶瓷工艺合成制备（Ｐｂ０．９６Ｌａ０．０４）（Ｚｒ０．４０Ｔｉ０．６０）０．９９Ｏ３（ＰＬＺＴ）铁电陶瓷,并用Ｘ射线衍射对其结构进行了测定,表明室温下ＰＬＺＴ陶瓷为铁电四方相结构：ａ＝ｂ＝０．４０５５ｎｍ,ｃ＝０．４１０９ｎｍ,ｃ／ａ＝１．０１３,将ＰＬＺＴ陶瓷极化后,在抛光面进行压力为４９Ｎ的Ｖｉｃｋｅｒｓ压痕,并施加强度为０．４Ｅｃ,０．５Ｅｃ,０．６Ｅｃ（Ｅｃ＝１１０Ｖ／ｍｍ）的侧向电     

La置换Pb对Sb掺杂PZT压电陶瓷介电和压电性能的影响

研究了Pb1–xLax(Zr1–yTiy)1–x/4O3+1.5%(质量分数)Sb2O5陶瓷(PLSZT)的介电、压电性能及其微观结构,获得了高压电性能、小晶粒尺寸的压电陶瓷材料。结果显示:x≤5%时,晶体结构为纯钙钛矿相;x>5%时,为钙钛矿和焦绿石两相混和物。随着x的增大,介电常数和压电常数均呈现先增大后减小的趋势。介电常数在x=6%、y=0.45时最大,最大介电常数εmax≈3900,介电损耗tgδ≈1.8%;压电性能在x=4%、y=0.45时最强,压电应变常数d33≈600pC/N,径向机电耦合系数kp≈0.7,厚度机电耦合系数kt≈0.51,此时的平均晶粒尺寸约为2μm。     

Sr1—xLaxTiO3陶瓷的介电特性与缺陷机构

研究了组份为Sr_(1-x)La_xTiO_3(其中x=0—0.06)陶瓷的介电特性与缺陷机构。发现:当x=0.0005—0.01时,在频率为10~5—10~7Hz范围内,材料出现了介电弛豫现象;而当0.02≤x≤0.05时,在频率为10~3—10~7Hz范围内,材料没有发生介电弛豫。材料的电阻率与La含量的关系呈“U”型曲线变化。作者采用La替代Sr后而产生的电子补偿与锶空位缺陷补偿分別存在或共同存在,以及空间电荷极化机制对上述现象作出了解释。另外由正电子湮没寿命谱得到的有关材料缺陷机构的结论则进一步证明了该解释的合理性。