（Nb，Ti）C－Ni金属陶瓷的抗氧化性

用热等静压方法制备了（Ｎｂ，Ｔｉ）Ｃ－Ｎｉ金属陶瓷并作了８５０℃，９００℃，１０００℃及１１００℃下的等温氧化和室温～１１００℃的不等温氧化试验。在高温下，该金属陶瓷的表面被氧化成ＴｉＯ＿２，ＮｉＯ，ＮｉＴｉ＿３。认为Ｏ＿２通过氧化层向反应界面的扩散是控制氧化速率的主要步骤。氧化增重遵循抛物线规律，其激活能约为２３４ｋＪ／ｍｏｌ。     

C—B4C—SiC复合材料抗氧化性能的研究

对碳／陶瓷复合材料（Ｃ－Ｂ４Ｃ－ＳｉＣ）的抗氧化性能进行了研究。结果表明：Ｃ－Ｂ４Ｃ－ＳｉＣ复合材料抗氧化性能比碳素材料大大提高，而且烧结助剂对Ｃ－Ｂ４ＣＳｉＣ复合材料的抗氧化性能影响很大。在复合材料中分别加入了Ａｌ，Ａｌ２Ｏ３，Ｎｉ，Ｔｉ，ＴｉＣ，Ｓｉ等不同烧结助剂，发现添加Ｎｉ的材料抗氧化性能最佳，经１０００℃氧化１５ｈ后，氧化度小于０．５％；加入Ｔｉ，Ｓｉ和ＴｉＣ的次之，不加烧结助剂的又次之     

耐高温无机涂料

中国计量学院以硅酸钠溶胶改性的羟甲基纤维素为基料，添加适量的ＳｉＯ２、ＣｏＯ、ＴｉＯ２和皂土等，研制成耐高温无机涂料。将其涂覆在合金铸件表面１～２ｈ后，放入马福炉内在１００～１１００℃高低温交变温场中进行测试，在１１００℃下涂层不碳化，不龟裂，合金铸件不易氧化，耐高温时间达２４０ｈ，且无毒无味，不污染环境。耐高温无机涂料     

等离子喷涂Al2O3+TiO2复合陶瓷涂层的组织结构

利用ＳＥＭ,ＴＥＭ,ＥＤＡＸ及Ｘ射线等手段研究了Ａｌ２Ｏ３＋ＴｉＯ２／ＮｉＣｒＡｌＹ复合陶瓷等离子喷涂层的组织结构,涂层呈片层状,Ａｌ２Ｏ３＋ＴｉＯ２陶瓷涂层由γ－Ａｌ２Ｏ３,ＴｉＯ２及少量的α－Ａｌ２Ｏ３组成,由于喷涂层温度比较高,部分熔化的Ａｌ２Ｏ３和大部分熔化的ＴｉＯ２发生了一定程度的互熔,形成了Ａｌ２Ｏ３＋ＴｉＯ２共晶组织。片层内由Ｎｉ基固溶体及弥散分布其上的γ相（Ｎｉ３Ａｌ）组成,片间为     

Al2O3—TiB2陶瓷刀具材料的高温氧化及其对刀具耐磨性能的影响

研究了Ａｌ２Ｏ３－ＴｉＢ２陶瓷刀具材料在１０００℃下的氧化行为，用ＸＲＤ、ＳＥＭ分析了氧化后的相组成及显微结构。结果表明：Ａｌ２Ｏ３－ＴｉＢ２陶瓷材料在１０００℃空气中氧化增重符合抛物线规律；随ＴｉＢ２含量的增加，该材料的抗氧化能力下降。     

C－B_4C－SiC复合材料抗氧化性能的研究

对碳／陶瓷复合材料（Ｃ－Ｂ＿４Ｃ－ＳｉＣ）的抗氧化性能进行了研究，结果表明：Ｃ－Ｂ＿４Ｃ－ＳｉＣ复合材料抗氧化性能比碳素材料大大提高，而且烧结助剂对Ｃ－Ｂ＿４Ｃ－ＳｉＣ复合材料的抗氧化性能影响很大。在复合材料中分别加入了Ａｌ，Ａｌ＿２Ｏ＿３，Ｎｉ，Ｔｉ，ＴｉＣ，Ｓｉ等不同烧结助剂，发现添加Ｎｉ的材料抗氧化性能最佳，经１０００℃氧化１５ｈ后，氧化度小于０．５％；加入Ｔｉ，Ｓｉ和ＴｉＣ的次之，不加烧结助剂的又次之，加入Ａｌ和Ａｌ＿２Ｏ＿３的最差。     

TiB2的含量对Al2O3／TiG2陶瓷材料的高温氧化行为的影响

研究了不同ＴｉＢ２含量的Ａｌ２Ｏ３／ＴｉＯ２陶瓷材料的高温氧化行为。用ＸＲＤ和ＳＥＭ分析了材料氧化后的相组成及显微结构。探讨了该材料的氧化机理和氧化膜的破坏方式。结果表明：不同ＴｉＢ２含量的Ａｌ２Ｏ３／ＴｉＢ２陶瓷材料在１４００℃空气中氧化３０ｈ的氧化增重符合抛物线规律；随ＴｉＢ２含量的增加，材料的氧活化能降低，氧化后的强度损失率增大。     

（Ng,Ti）C—Ni金属陶瓷中包裹结构的形成机理及其化学键研究

利用ＳＥＭ，ＥＰＭＡ，ＴＥＭ／ＥＤＡＸ等测手段对（Ｎｂ，Ｔｉ）Ｃ－Ｎｉ金属陶瓷中的包裹结构形成机理作了研究。结果表明：它是由于该金属陶瓷在烧结时，细小的（Ｎｂ，Ｔｉ）Ｃ颗粒溶解在熔融态的Ｎｉ中，当Ｔｉ，Ｎｂ及Ｃ的浓度达到大颗粒的饱和浓度时，在大颗粒表面沉淀，继面Ｎｉ同其扩散而形成的，用离散变分－Ｘａ方法计算表明：包裹层的金属键程度要比包裹结构中心的高。     

TiC对C—B4C—SiC复合材料显微结构与性能的影响

本文就烧结助剂ＴｉＣ对Ｃ—Ｂ４Ｃ—ＳｉＣ炭／陶复合材料显微结构与性能的影响进行了研究，结果表明ＴｉＣ在烧结过程中发生了固相反应，在晶界生成了ＴｉＢ２，有效地促进了Ｃ—Ｂ４Ｃ—ＳｉＣ复合材料的烧结，抑制了晶粒的长大，使复合材料密度与强度大幅度地增加，电阻率下降；同时ＴｉＢ２在氧化时生成致密的ＴｉＯ２，包裹了易氧化的Ｂ４Ｃ和Ｃ，使制品难氧化，从而大大提高了制品的抗氧化性能。     

（Nb，Ti）C－35Ni金属陶瓷的高温抗弯强度

对热等静压方法制备的（Ｎｂ，Ｔｉ）Ｃ－３５Ｎｉ金属陶瓷的高温抗弯强度进行了研究。采用ＸＲＤ，ＳＥＭ及ＴＥＭ等方法对该金属陶瓷的显微结构作了分析。结果表明，在氧化气氛中，温度为７００℃时该金属陶瓷的抗弯强度就明显下降，温度为１０００℃时其抗弯强度约只有室温时的２０％。     

TiB_2的含量对Al_2O_3／TiB_2陶瓷材料的高温氧化行为的影响

研究了不同ＴｉＢ２含量的Ａｌ_２Ｏ_３／ＴｉＢ_２陶瓷材料的高温氧化行为。用ＸＲＤ和ＳＥＭ分析了材料氧化后的相组成及显微结构。探讨了该材料的氧化机理和氧化膜的破坏方式。结果表明：不同ＴｉＢ２含量的Ａｌ２Ｏ３／ＴｉＢ２陶瓷材料在１４００℃空气中氧化３０ｈ的氧化增重符合抛物线规律；随ＴｉＢ２含量的增加，材料的氧化活化能降低，氧化后的强度损失率增大。     

TiC—Al2O3复合材料的自蔓延高温合成和致密化

以ＴｉＯ２，Ａｌ和Ｃ三种粉末为原料，采用自蔓延高温合成和加压的方法制备了ＴｉＣ－Ａｌ２Ｏ３复合材料。在１ＧＰａ压力下，可使样品达到理论密度的９５％。对未反应样品燃烧前在真空状态下预热脱气，则密度可达９８％。为避免样品开裂，必须控制冷却速度。对合成产品进行Ｘ射线分析，表明从ＴｉＯ２，Ａｌ，和Ｃ三种粉末原料制备密实的ＴｉＣ－Ａｌ２Ｏ３复合材料是可能的。     

（Sr,Pb）TiO3陶瓷的PTCR现象

通过化学共沉淀工艺制备（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３半导体陶瓷，首次获得了与ＢａＴｉＯ３陶瓷相类似的典型ＰＴＣ特性，样品耐压强度大，室温电阻率低于７０Ω·ｃｍ，升阻比超过１０＾６，烧结温度可以降低至１１００℃以下。     

PTC陶瓷用二氧化钛超细粉料制备条件的研究

ＴｉＯ２物理性能可直接影响的显微结构和电性能。采用ＴｉＣｌ４水热法制备了ＰＴＣ电子陶瓷用ＴｉＯ２微粉。并研究了水解条件、晶种制造备及分散添加剂对ＴｉＯ２物理性能的影响。用ＴｉＯ２粉料制成ＰＴＣ元件并进行电性能测试。     

SiC晶须对Al2O3／TiB2／SiCw陶瓷刀具材料高温断裂韧性的影响

研究了不同ＳｉＣ晶须含量的Ａｌ２Ｏ３／ＴｉＢ２／ＳｉＣｗ陶瓷刀具材料的断裂韧性随温度的变化规律。结果表明：Ａｌ２Ｏ３／ＴｉＢ２／ＳｉＣＷ陶瓷材料的Ｋ１Ｃ在１０００℃内随温度的升高而增大；晶须含量越大，通过计算分析表明，随温度的升高粘裂时拔出的晶须大大增多，当晶须体积含量（下同）为２０％时，Ａｌ２Ｏ３／ＴｉＢ２／ＳｉＣｗ陶瓷在室温时只有长径比小于２．８７的晶须在断裂时才有可能产生拔出，而在９００℃时     

（Nb,Ti）C—35Ni金属陶瓷的高温抗弯强度

对热等静压方法制备的（Ｎｂ，Ｔｉ）Ｃ－３５Ｎｉ金属陶瓷的高温抗弯强度进行了研究。采用ＸＲＤ，ＳＥＭ及ＴＥＭ等方法对该金属陶瓷的显微结构的作了分析，结果表明，在氧化气氛中，温度为７００℃时该金属瓷的抗弯强度就明显下降，温度为１０００℃时其抗弯强度约只有室温时的２０％。     

Al2O3／TiB2陶瓷材料的高温摩擦磨损特性研究

研究了Ａｌ２Ｏ３／ＴｉＢ２陶瓷材料与硬质合金往复滑动摩擦时，在不同氢气和温度条件下的摩擦磨损特性，结果表明：随温度和气氛不同，材料的摩擦系数有着不同的变化规律。在高温空气气氛中摩擦时，ＴｉＢ２氧化生成的表面氧化膜可起到固体润滑剂的作用，并且能阻止Ｃｏ的扩用，减轻粘着，因而能降低摩擦系数并有利于提高材料的耐磨性能；而在高温氮气气氛中摩擦时，由于硬质合金中的Ｃｏｐ扩散到陶瓷材料中，使材料产生粘着磨损和     

SrTiO_3基高压陶瓷电容器材料的组成与性能

研究了 Ｂｉ２ Ｏ３ ·３ Ｔｉ Ｏ２ 和 Ｐｂ Ｔｉ Ｏ３ 的加入量对 Ｓｒ Ｔｉ Ｏ３ 基高压陶瓷电容器材料性能的影响。实验的结果表明：最佳加入量的摩尔分数分别是 Ｂｉ２ Ｏ３ ·３ Ｔｉ Ｏ２ 为 ９％ , Ｐｂ Ｔｉ Ｏ３ 为 １８％ 。在 １ ２５０ ℃的温度下烧结获得了性能为：εｒ ＝ ３ ２９５; Ｅｂ ＝ １０．２ ｋ Ｖ／ｍ ｍ ;ｔｇδ＝ ６×１０－ ４ ;Δ Ｃ／ Ｃ（－ ２５～＋ ８５ ℃）≤ ±１２％ ;绝缘电阻 Ｒ＝ ７．５×１０１ ２ Ω的高压陶瓷电容器材料。     

Ti／Al2O3和Ni／Al2O3界面电子结构的量子化学研究

采用量子化学离散变分方法，对Ｔｉ／Ａｌ２Ｏ３和Ｎｉ／Ａｌ２Ｏ３界面的电子结构进行研究。结果表明，相对于表面氧的四面体空位，两种体系中的金属原子均优先占据表面的氧的八面体空位，计算的分子价轨的态密度与光电子能谱的实验结果符合较好，Ｔｉ，Ｎｉ的存在引起Ａｌ２Ｏ３中Ａｌ净电荷及Ａｌ－Ｏ键级的不同也与光电子能谱的实验结果相一致。     

CH4和CO2转化催化剂的研究

分别用弛放气和ＣＯ２以及纯ＣＨ４和ＣＯ２作气源，研究了ＴｉＯ２的加入对传统Ｎｉ系转化催化剂性能的影响。