MoSi2增韧Si3N4陶瓷的研究

以Ｓｉ粉和Ｍｏ粉为原料，采用反应烧结－热压吉二步法得到了Ｓｉ３Ｎ４－ＭｏＳｉ２复合材料，并对材料进行了力学性能和Ｘ－射线衍射（ＸＲＤ）及扫描电子显微镜（ＳＥＭ）研究。认为：Ｓｉ３Ｎ４－ＭｏＳｉ２复合材料的高韧性与材料的相组成、显向下 结构、裂纹扩展方式及应力诱导开裂等有关。     

用有机前驱体制备Si3N4／纳米SiC复相陶瓷的研究

本研究成功地用有机前驱体引入纳米ＳｉＣ粒子制备出Ｓｉ３Ｎ４／纳米ＳｉＣｐ复相陶瓷。研究了制备工艺和有机前驱体加入量对材料性能及显著结构的影响，并对材料显微结构特点与强韧化机制进行了分析讨论。     

TMS－GC法和31P－NMR及29Si－NMR法研究CaO－SiO_2－P_2O_5－H_2O系统材料的水化特性

探索了ＣａＯ－ＳｉＯ２－Ｐ２Ｏ５－Ｈ２Ｏ系统中的化学结合材料的强度发展情况，其最大劈裂抗拉强度可达３８．２ＭＰａ。用ＴＭＳ－ＧＣ法和３１Ｐ－ＮＭＲ及２９Ｓｉ－ＮＭＲ法综合研究了这种新型胶凝材料的水化性能，并将其和β－Ｃ２Ｓ及Ｃ３Ｓ的测试结果进行了比较，发现这种ＣＢＣ材料水化后，出现了Ｑ３，Ｑ４状态的［ＳｉＯ４］聚合体，说明其水化过程及水化机理可能与β－Ｃ２Ｓ及Ｃ３Ｓ的水化完全不同，初步认为这是由于材料中的磷酸盐与硅酸盐相互作用的结果     

Si3N4结合的SiC耐火材料的机械强度

本文研究了不同Ｓｉ３Ｎ４含量的Ｓｉ３Ｎ４－ＳｉＣ复合材料的微观结构对该材料的机械强度的影响，将ＳｉＣ颗粒与不同含量的Ｓｉ粉（Ｓｉ含量的质量百分数分别为１５，２０，２５和４０）的混合物压制成试条，在Ｎ２气氛下煅烧使Ｓｉ转化成Ｓｉ３Ｎ４，该复体积密度随着氮化反应中Ｓｉ３Ｎ４含量的增加而增加，复合材料的抗折强度与体积密度未呈现有线性依赖关系，但该性能与材料中大气孔率和微气孔率的变化有密切关系。     

SiC晶须,晶板增韧AlN陶瓷的研究

本文利用现代测试技术对ＳｉＣｗ，ＳｉＣｐ增韧ＡｌＮ材料的力学性能，显微结构进行研究，并分析探讨了材料的增韧机理，结果表明；ＳｉＣｗ可有效改善材料的断裂韧性和断裂强度，其增韧机理主要为裂纹偏转和晶须拔出效应，ＳｉＣｐ加入的断裂韧性起到良好的促进作用，但对材料的断裂强度则有不良的作用，其增韧机理主要为裂纹偏转和分枝效应。     

AlN对MoSi2材料的显微结构与力学性能的影响

研究了ＡｌＮ对热压ＭｏＳｉ２材料的显微结构与力学性能的影响。结果表明，ＡｌＮ与ＭｏＳｉ２原料中的ＳｉＯ２发生反应，生成Ｘ相等。这些相分布在ＭｏＳｉ２晶粒间具有平行于热压平面的取向。在室温下，添加ＮｌＮ提高了ＭｏＳｉ２材料的断裂韧性，最大为４．５ＭＰａ．ｍ＾１／２。在高温下（１３５０℃），断裂过程中发生屈服现象，复合材料的高温强度比纯ＭｏＳｉ２材料提高两倍，达到１５０ＭＰａ。     

TMS—GC法和^31P—NMR及^29Si—NMR法研究CaO—SiO2—P2O5—H2O系统材料的…

探索了ＣａＯ－ＳｉＯ２－Ｐ２Ｏ５－Ｈ２Ｏ系统中的化学结合材料的强度发展情况，其最在劈裂抗拉强度可达３８．２ＭＰａ。用ＴＭＳ－ＧＣ法和＾３１Ｐ－ＮＭＲ及＾２９Ｓｉ－ＮＭＲ法综合研究了这种新型凝材料的水化性能，并将其和β－Ｃ２Ｓ及Ｃ３Ｓ的测试结果进行了比较，发现这种ＣＢＣ材料水化后，出发Ｑ＾３．Ｑ＾４状态的「ＳｉＯ４」聚合体，说明其水化过程及水化机理可能与β－Ｃ２Ｓ及Ｃ３Ｓ的水化这 同，初步认为这是由     

Si_2ON_2-SiC复合材料制备研究

通过Ｓｉ粉、ＳｉＯ２微粉及ＳｉＣ,经氮化反应制备了Ｓｉ２ＯＮ２－ＳｉＣ复合材料,研究了烧结助剂、硅加入量、氮化制度对复合材料性能的影响,并对其进行强度、ＸＲＤ和ＳＥＭ分析后认为材料性能随烧结助剂、硅加入量变化而变化,氮化制度对材料的物相和显微结构有重要影响。     

6105机氮化硅陶瓷气门材料及部件制备的研究

本研究采用近净尺寸等静压成型，无压烧结Ｓｉ３Ｎ４工艺成功地制备了同了６１０５紫油机Ｓｉ３Ｎ４对陶瓷气门材料及制备工艺进行了详细讨论。     

碳化硅中氮化物结合剂的形成

ＳｉＣ有极好的热机械和化学性能，通常用来制备ＳｉＣ材料的结合剂是：粘土－莫来石、非氧化物和利用ＳｉＣ的再结晶，ＳｉＣ与莫来石的反应是整个粘土碳氮共渗反应的最后阶段。通过这个反应产生了Ｓｉ－Ａｌ－Ｏ－Ｎ系统中的β－赛隆和氧氮化合物。本文使用天然矿物如粘土和滑石，研究ＳｉＣ材料中β－赛隆和Ｓｉ３Ｎ４结合剂的形成。试验先将ＳｉＣ－粘土混合物在１０００ｋｇ／ｃｍ＾２压力下成型，试样在流动的Ｎ２气中，于１４     

用有机聚合物连接碳化硅陶瓷及陶瓷基复合材料

用陶瓷先驱体有机聚合物连接陶瓷及陶瓷基复合材料是一种成本低廉、工艺新颖、可满足特殊高温条件下连接件要求的新型连接技术。介绍了近年来采用先驱体有机聚合物连接SiC及其复合材料的研究现状，重点对影响连接强度的因素进行分析，并提出相应的改进措施。由于该技术具有连接温度较低、连接过程简单、接头热应力小，连接件的热稳定性高等特点，因此它是陶瓷及其复合材料最有前途的连接方法之一。     

界面相对碳纤维增韧碳化硅复合材料性能的影响

利用减压ＣＶＩ技术制备了三维碳纤维增韧碳化硅复合材料,研究了热解碳界面相对复合材料性能的影响。结果表明：适当选择界面相厚度,可获得弯曲强度和断裂韧性较高的碳纤维增韧碳化硅复合材料。     

定向排布的SiC晶须补强Si3N4复合材料的制备

通过挤制成型和热压烧结成功地制备了具有很好的一维定向排布的ＳｉＣ晶须补强Ｓｉ３Ｎ４复合材料，并从力学上分析了挤制成型过程中流体的受力状态，使晶须定向排布的原因以及影响晶须定向度的因素。     

短切碳纤维含量对Csf/SiC复合材料力学性能的影响

以Si作为主要烧结助剂,采用热压烧结法制备了短切碳纤维-碳化硅(short carbon fiber reinforced SiC composite,Csf/SiC)复合材料.采用X射线衍射仪、扫描电镜、硬度仪以及力学性能试验机等,研究了Csf含量对所制备材料的结构、组成、形貌及复合材料的弯曲强度、Vickers硬度和断裂韧性的影响.结果表明:采用热压法能制备出致密且Csf分布均匀的Csf/SiC复合材料.Csf/SiC复合材料的弯曲强度随Csf含量增加先增大后减小,含15%(体积分数,下同)Csf的Csf/SiC样品强度最高,达到466MPa,并且Csf含量小于30%的Csf/SiC样品强度高于无纤维SiC材料.材料的Vickers硬度随Csf含量增加而降低.Csf/SiC样品的断裂韧性随Csf含量增加而逐渐增大,Csf含量为53%时,达到最大为5.5MPa·m1/2,与无纤维SiC样品相比,增加近2倍.     

SiO2-AlN-BN复合材料的制备和性能研究

热压烧结制备了ＳｉＯ２－ＡＩＮ－ＢＮ复合材料,研究了ＳｉＯ２－ＡＩＮ－ＢＮ复合材料的力学性能、介电性能和热学性能。结果说明：第二相颗凿攻第三相颗粒ＢＮ的引入对ＳｉＯ２－ＡＩＮ－ＢＮ复合材料的力学性能有显著的补强增韧作用。同时ＳＯ２－ＡＩＮ－ＢＮ复合材料也展现了优秀的介电性能和热学性能而有望成为一新型介电复合材料。     

氧化锆-碳化硅复合材料性能研究

从稀土氧化物、氧化锆含量、碳化硅含量、温度及制备工艺方面对氧化锆-碳化硅复合材料电阻率的影响进行了讨论,同时探讨了氧化锆-碳化硅复合材料的高温氧化性能,为氧化锆-碳化硅复合材料的制备及其电性能研究提供了依据。     

PA66/PP/晶须硅复合材料的制备与性能

通过双螺杆挤出机采用熔融共混的方法制备了尼龙(PA)66/聚丙烯(PP)/晶须硅复合材料.研究了偶联剂的种类以及晶须硅的用量对复合材料体系力学性能、微观形态和热性能的影响.结果表明,采用硅烷偶联剂KH560处理的晶须硅具有较好的分散性.晶须硅能够显著提高PA66/PP合金的拉伸和弯曲强度,对复合材料的韧性也有一定的改善...     

逆反应烧结制备碳化硅/氮化硅复合材料的工艺

制备Si3N4／SiC复合材料的常规反应烧结是以Si和SiC为原料进行氮化烧结,而逆反应烧结是以Si3N4和SiC为原料,首先使Si3N4反向反应为活性氧化物后再进行烧结。建立逆反应烧结工艺制备Si3N4／SiC复合材料的热力学基础。确定了Si3N4先于SiC氧化;氧化产物可以是SiO2,也可以是Si2N2O;形成的SiO2氧化膜不会与基体材料反应;在膜与基体之间可能生成Si2N2O。论证了逆反应烧结的热力学可行性。通过6个烧结实验,证实了其热力学分析的正确性,并从工艺参数与密度变化、残氮率和比强度等关系筛选出最佳的烧结工艺参数。     

碳化硅陶瓷先驱体聚甲基硅烷的研究进展

介绍了聚甲基硅烷的主要合成方法和性能,特别是其反应活性和高温热裂解性能.综述了聚甲基硅烷及其改性先驱体应用于制备碳化硅纤维、碳化硅基复合材料、多孔陶瓷材料等领域的研究进展.聚甲基硅烷作为碳化辞陶瓷先驱体,其制备简单、热解产物接近碳化硅的化学计量比,具有广阔的应用前景.未来该领域的研究重点是聚甲基硅烷的规模化合成,低成本改性聚甲基硅烷先驱体研究,聚甲基硅烷系列复合先驱体的制备等.     

炭/炭复合材料在半导体制造行业的应用

综述了传统炭/炭复合材料和膨胀石墨基低密度炭/炭复合材料在半导体制造业直拉(CZ)法单晶硅炉中的应用。指出了在CZ单晶炉内炭/炭复合材料比石墨材料热场零部件的优势所在,并认为随着硅单晶直径的增大,炭/炭复合材料取代石墨材料将成为硅晶体生长炉热场系统的首选材料。