重点工程用电子元器件使用失效情况分析

1概况本文通过对重点工程配套中现场失效的3000余只元器件的失效数据进行整理分析，总结出元器件在使用中失效的主要失效模式及其分布，并对引起元器件失效的主要原因进行了分析。文中所分析的失效元器件主要为了115个国内元器件生产单位（其中元件54个，器件61个）的产品，这些失效品全部是在重点工程配套中失效的，其中大部分是在整机的装配和调试阶段失效的，少量是在复测及整机检验中失效的。在失效元器件中，分立器件占37．4％，电阻器占14．7％，电容器占15．2％，集成电路占11．1％，接插件占6．8％，光电器件占5．8％，继电器占3．6…     

失效分析结果在元器件可靠性设计中的应用

本文从阐述失效分析的主要任务和电子元器件可靠性设计的基本概念入手，探讨了失效分析与元器件可靠性设计之间的关系，介绍了如何根据不同的失效模式采取相应的可靠性设计技术的基本方法，并用实例说明了失效分析结果在促进电子元器件可靠性设计技术的深入研究和工程应用，以及提高产品可靠性方面所起的重要作用。     

电子元器件失效分析技术的工程应用

简述了电子元器件失效分析的常用技术手段和失效元器件的失效现象、失效模式、失效机理。对失效现场应收集的信息内容进行了介绍，并提出要注意的事项；对元器件的失效进行了分类——失效分为固有失效和使用失效，并对工程上的失效分布作了进一步的分析。最后，通过两个典型的工程实践事例，说明进行失效分析在工程上的应用和工程意义重大：失效分析能够改进和提高元器件制造单位的水平，也能够促进和提高元器件使用单位的设计水平。     

弹药类产品中电子元器件的失效分析

为了提高战斗性能，弹药中采用越来越多的电子元器件。由于弹药储运管理环境的特殊性，其中电子元器件的失效模式也与一般装备(设备)有很大不同。首先分析了弹药中电子元器件的种类、全寿命过程中的主要应力及影响，然后结合实际试验，分析其失效模式及对全弹性能的影响。     

机载电子设备可靠性增长与鉴定试验中元器件失效分析

1概况几年来，根据机载电子设备的可靠性增长和鉴定试验中提供的失效样品，我们完成了51种型号的131个失效样品的失效分析，向整机单位共提交了49份失效分析报告，提供了失效分析结果以及在整机设计、元器件正确使用、采购及筛选等方面提出了改进措施建议。通过整机单位落实改进措施，使整机的可靠性得到有效的提高。其中，包括元器件生产单位改进产品结构和工艺，消除了引起失效的因素；整机单位改进整机线路设计或其它措施和改选元器件生产定点厂等。2失效分析结果的失效机理性质分类接送分析样品数的性质比例，批次性占41％；随机性占8％…     

信息产业部电子元器件失效分析协作网正式运行

经信息产业部批准，原设于信息产业部电子第五研究所可靠性研究分析中心的电子元器件失效分析中心和失效分析协作网正式更名为信息产业部电子元器件失效分析中心和电子元器件失效分析协作网，并开始运行。     

电子元器件采购中的质量控制技术

介绍了电子元器件采购中的3种质量控制技术(电性能测试、物理分析和可靠性试验)及其相互关系。列举了一些有代表性的元器件及其常见的失效模式，根据其工作条件的特点，提出元器件采购质量控制方案的常用试验项目，以此说明这3种质量控制技术在电子元器件采购中所发挥的作用。     

电子元器件的失效分析技术

失效分析是电子元器件的质量和可靠性保证体系的重要组成部分。电子元器件的可靠性是评价可靠性能水平的重要手段,是可靠性研究的基本环节,分析了电子元器件的失效原因。     

电子元器件抗硫化研究

为了解决电子元器件在使用过程中因硫化而失效的问题,通过对片式电阻器、轻触开关、继电器、LED光电器件的硫化失效原因以及硫化失效机理的研究与分析,提出应尽快建立电子元器件抗硫化评价体系,为装备提供高质量和高可靠的元器件奠定基础.     

几种电子元器件长期储存的失效模式和失效机理

通过对几种元器件长期储存期间的失效进行分析,探讨了这几种元器件的失效模式及其失效机理。     

静电放电作用下微波双极型晶体管的失效机理研究

通过理论建模和试验测试的方法研究了多指结构微波双极型晶体管在静电放电作用下的热稳定性和电稳定性。选择2SC3356作为受试器件,对100个测试样本进行人体模型静电放电注入实验,并从器件内部电场强度、电流密度和温度分布变化出发,用二维器件级仿真软件辅助分析了在静电放电应力下其内在损伤过程与机理。由于指间热耦合的存在,雪崩电流在各指上分布不均,局部的电流拥挤和过热效应会导致晶格损伤。试验结果表明,由于特殊的物理结构,受试器件对静电放电最敏感的端对并不是EB结,而是CB结,当静电放电电压增大到1.3KV时,CB结首先损坏。失效分析进一步表明静电放电引起的失效机理通常是介质层的击穿和局部铝硅共晶体的过热融化。静电放电注入实验的过程中存在积累效应,多次低强度的注入测试会导致潜在性失效并使器件性能大幅下降。     

威布尔分布下竞争性故障装备的可靠性分析

利用外场故障数据,对威布尔竞争性故障装备进行了可靠性分析。首先对外场故障数据进行处理和失效模式分析,分别为各部件建立威布尔分布模型,得到其形状参数和尺度参数。进而在竞争性故障下,得到装备的可靠度函数和失效率函数。最后给出了一个陀螺仪算例来说明该分析方法的有效性。研究表明,该分析方法更符合装备的故障规律。     

Understanding the failure mechanisms of microwave bipolar transistors caused by electrostatic discharge

Electrostatic discharge(ESD) phenomena involve both electrical and thermal effects,and a direct electrostatic discharge to an electronic device is one of the most severe threats to component reliability.Therefore, the electrical and thermal stability of multifinger microwave bipolar transistors(BJTs) under ESD conditions has been investigated theoretically and experimentally.100 samples have been tested for multiple pulses until a failure occurred.Meanwhile,the distributions of electric field,current density and lattice temperature have also been analyzed by use of the two-dimensional device simulation tool Medici.There is a good agreement between the simulated results and failure analysis.In the case of a thermal couple,the avalanche current distribution in the fingers is in general spatially unstable and results in the formation of current crowding effects and crystal defects.The experimental results indicate that a collector-base junction is more sensitive to ESD than an emitter-base junction based on the special device structure.When the ESD level increased to 1.3 kV,the collector-base junction has been burnt out first.The analysis has also demonstrated that ESD failures occur generally by upsetting the breakdown voltage of the dielectric or overheating of the aluminum-silicon eutectic.In addition,fatigue phenomena are observed during ESD testing,with devices that still function after repeated low-intensity ESDs but whose performances have been severely degraded.     

国产光电耦合器主要故障模式和失效机理

通过对 6种型号 2 0多只国产光电耦合器失效样品的失效分析 ,分析研究了国产光电耦合器的 6种主要故障模式及其失效机理     

The Investigation on Single Event Function Failure for DC/DC Converters with Three Single Terminal Topological Structures

Heavy ion radiation experiments have been done to DC/DC converters with different topological structures for space applications.The test results were analyzed about the function failure of three topological structures caused by single event effects.The relationship between the function failure and the input supply voltage,the output load current and the topological structure of the module were discussed.Based on the analysis of the variation relationship among the source/drain terminal voltage of MOSFETs and the input voltage and the output load,the sensitivity factors associated with the function failure caused by single event effects were discussed.A new analysis on single event function failure of DC/DC converter based on different topologies has been presented,which can be applied to radiation hardened design and space application.     

基于“失效模式-失效机理-分析模型”的电子产品可靠性分析应用

电子产品可靠性分析、评价的重点在于确定其高风险环节。基于充分考量失效机理的分析目的,采用了"元器件-失效模式-失效机理-影响因素"相关联的分析方法 ,通过相关物理模型和一个电子产品分析案例,实现了利用这一方式确定高风险环节和分析可靠性的全过程,得到了这一方法比采用FMEA等失效模式分析更为实际、准确的结论。     

塑封GaAs MMIC的失效机理及典型案例

阐述了塑封GaAs MMIC的主要失效模式和失效机理,根据40余例实际案例,得出了其使用中的失效机理分布,并给出几例典型的失效分析案例.     

某气密封毫米波收发组件的故障统计与分析

毫米波组件作为毫米波电子系统的重要组成部分,其可靠性和故障率在很大程度上决定了整个毫米波系统的工作状态。目前,关于毫米波组件在批量使用过程中的可靠性情况和故障数据还鲜有研究。收集了某批量生产的毫米波收发组件在交付和使用中所出现的故障,并对故障进行了统计和分析,最后根据统计结果给出了技术和管理方面的改进建议。