CO2激光辐照下光学薄膜的温度场与热畸变

介绍了光学薄膜温度场的基本理论,利用交替隐型技术,对10.6μm激光辐照下介质薄膜的温度场分布进行了数值模拟和理论分析。在此基础上,利用夏克-哈特曼波前传感器对介质基底样品、不同厚度的介质单层膜样品以及不同膜系的YbF3/ZnSe介质多层膜样品在10.6μmCO2激光辐照下的热畸变进行了实验研究。研究结果表明,激光辐照下光学薄膜样品的温度场分布与辐照激光的光场分布、激光功率以及激光的辐照时间等因素有关。对于10.6μm激光而言,Ge最适宜做基底材料。     

CO2 激光辐照下光学薄膜的热畸变研究

采用夏克一哈特曼波前传感器对不同基底材料、不同厚度单层光学薄膜以及不同膜系的多层光学薄膜样品在10．6μm激光辐照下的热畸变进行了实验研究。     

CO2 激光辐照下光学薄膜的热畸变研究

采用夏克- 哈特曼波前传感器对不同基底材料、不同厚度单层光学薄膜以及不同膜系 的多层光学薄膜样品在10. 6μm激光辐照下的热畸变进行了实验研究。     

高反射薄膜在DF激光辐照下的温度场分布

建立了光学薄膜温度场的基本理论,利用交替隐型技术,对3.8μm DF激光辐照下高反射薄膜的温度场分布进行了数值模拟和理论分析。     

10.6μm激光对石英晶体的辐照效应

用连续波10.6μm CO2激光辐照石英晶体基片表面,利用X射线衍射分析仪、紫外-可见分光光度计、荧光光度计等对辐照前后晶体相变、透射-吸收特性和表面缺陷进行了测试、分析。研究表明,经10.6μm激光辐照后石英晶体样品表面的相结构发生了一定的转变,其吸收率降低而透射率增加,而且晶体表面缺陷得到一定的修复。石英晶体在CO2激光辐照下,经历了一个快速升温和降温的过程,较高温度及热应力作用是导致石英晶体表面微观结构及光学性能变化的主要原因。     

红外激光与生物体相互作用机理研究

激光辐照产生的生物效应,从分子遗传学角度看,对激光波长的选择应该是以紫外激光(波长266nm)为最佳;可是从激光育种的实践看,激光对各种作物的种子等进行辐照,以CO_2激光(10.6/μm)和远红外激光(118.8μm,447.21μm)的辐照效果最     

激光处理GaN薄膜的研究

通过激光损伤实验,报道了GaN薄膜10.6μm CO2激光的损伤阈值是64 J/cm2;为了改善GaN薄膜质量,对其进行了10.6μm CO2激光辐照处理,结果表明,处理后GaN薄膜的缺陷密度明显降低.并对机理进行了分析.     

6.45μm激光加热浮法玻璃后温度分布特性研究

为了提升激光可控断裂法切割玻璃的质量，研究了6.45μm激光照射浮法玻璃后材料的温度变化。利用激光输出的连续功率计算了6.45μm激光照射玻璃后的温度分布，并通过实验验证了该模型的正确性；模拟对比了相同激光参量下6.45μm激光和10.6μm激光加热玻璃后的温度场，通过实验获得了光滑、无表面裂纹的切割样品。结果表明，6.45μm激光产生的表面温度低于10.6μm激光；6.45μm激光可以利用热裂法获得高质量切割端面。该研究对中红外激光玻璃切割的模型建立和方案优化具有一定的帮助。     

化学氧碘激光器光学基片材料的光致热畸变特性

利用格林函数解析法对强激光辐照下的光学材料Al2O3、CaF2、Si、SiO2四种基片的温度场分布以及热畸变特性进行了分析与讨论.计算结果表明:在10lW激光功率、辐照时间为5 s情况下,Al2O3、CaF2、Si、SiO2基片中心处最大温升分别为5.6℃、6.0℃、35.1℃、26.6℃;基片中心最大热畸变量分别为:0.28μm,0.99μm,040μm,0.14μm.     

表面杂质和节瘤缺陷诱导薄膜元件热熔融损伤

在高功率激光系统中,光学薄膜元件表面杂质和体内节瘤缺陷是导致薄膜元件损伤的关键因素。通过建立强激光连续辐照下光学薄膜元件的热分析模型,分析在不同激光辐照时间和功率密度下,表面杂质和节瘤缺陷对光学薄膜元件损伤的影响及其规律。结果表明,在强激光连续辐照下,当表面杂质粒子尺寸处于一定范围内时,随着杂质粒子尺寸的增大,薄膜元件上的最高温度随之升高,且大而浅的节瘤缺陷种子对膜层的温升影响较大。随着激光功率密度的提高和激光辐照时间的增长,表面杂质造成薄膜元件热熔融损伤的粒子尺寸范围越大,节瘤缺陷造成薄膜元件热熔融损伤的种子深度和尺寸范围也越大。