0.70～2.48MeV质子在F和Mg上160°背散射截面测量

应用北京师范大学2×1.7MV串列静电加速器提供的质子束,采用相对测量方法测量了0.70～2.48MeV宽能区质子在轻核F和Mg上160°（实验室坐标系）背散射截面。测量得到F、Mg各自对应能区的质子共振背散射截面数据,为含F、Mg轻元素的新型薄膜材料的高灵敏分析提供了实验数据。     

0.96-2.74MeV质子在铝上的160°散射截面测量

采用薄靶对能量0.962.74MeV质子在纯度为99.99%铝上的160非卢瑟福弹性背散射截面进行了测量。质子束由21.7MV串列加速器提供,测量仪器采用金硅面垒探测能谱仪。实验中最低能区进入卢瑟福弹性散射能区,测量结果用图表形式给出,并与以前发表的结果进行了比较。所测量数据可供从事背散射分析技术的有关人员参考。     

14MeV中子穿透船238U板状样品评价中子核数据的基准检验

U作为一种重要的核材料,其评价中子核数据的基准检验极其重要。在中国原予能科学研究院的600kV高压倍加器上,通过T（d,n）反应提供的14MeV单能脉冲中子源,利用飞行时间法,测量了板状238U样品的40°和50°泄漏中子能谱,得到的实验结果与模拟结果进行了初步比较。     

微束背散射分析元素微区分布的研究

微束背散射分析元素微区分布的分析方法使上海原子核研究所的质子微探针能在微区内综合使用质子激发Ｘ射线荧光和背散射等多种核效应，为样品由轻元素到重元素的全面无损、双微（微区、微量）分析提供了依据。应用该方法还测量了Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＣ复合陶瓷材料，证明了该分析方法的可靠性。     

79Se—AMS测量样品的化学形式选择及其制备方法

中国原子能科学研究院的AMS小组在原蒋菘生、何明等对79Se—AMS测量的基础上,发展了基于SeO2-分子负离子引出形式的79Se—AMS测量方法,测量灵敏度由原来的3．0×10^-9提高到好于1．0×10^-12。     

裂变产物核136Sn原子数的γ能谱法测定

裂变产物136Sn是一种长寿命纯β放射性核素,半衰期为（2．35±0．07）×10^5a。该核素是核工程对环境长期污染的重要指示核素,对于它的超高灵敏测量将为监测环境中的核污染提供重要的信息。     

法国乔治·贝斯Ⅱ浓缩厂的建设进入一个新阶段

法国阿海珐集团（Areva）宣布，该集团已向浓缩技术公司（ETC）移交了乔治·贝斯Ⅱ（Georges BesseⅡ）浓缩厂离心机厂房的钥匙。这意味着乔治·贝斯Ⅱ浓缩厂的建设进度己满足了项目建设进度表的要求，该厂的建设即将进入下一个阶段，即离心机的安装阶段。     

强流脉冲质子束轰击19F靶产生6-7MeV准单能脉冲γ射线初步实验研究

给出了利用PIN半导体探测器和ST401塑料闪烁体配合光电倍增管测量的强流脉冲质子束轰击含^19F核素的靶产生的6—7MeV准单能脉冲γ射线的初步实验结果。理论上计算了质子束轰击C2F4靶产生的准单能脉冲γ射线产额和核反应截面随入射质子能量的变化曲线，提出了采用质子束传输法分离和降低轫致辐射干扰的方法，利用ST401配合光电倍增管和PIN半导体探测器测量了质子传输不同距离后轰击C2F4靶产生的6—7MeV准单能脉冲γ射线谱以及相对于轫致辐射的时间延迟数据，并根据飞行时间确定了束流峰值时刻的质子能量，还通过实验验证了Cu、Cr和不锈钢靶及其中所含的杂质不能产生明显的其它能量的γ射线干扰。     

222Rn-220Rn分辨探测器的刻度与比对

为了保证测量质量,采用实验室新改进的^222Rn-^220Rn分辨探测器在南华大学氡实验室进行了刻度,并参加了日本NIRS组织的国际比对。结果显示,^222Rn-^220Rn暴露量与径迹密度之间有很好的线性关系,相关系数分别是0．9894、0．9885;^222Rn、^220Rn刻度因子分别为4．27±0．40Tacks cm^-2（kBq.m^-3．h）^-1、2．33±0．39 Tracks cm^-2（kBq·m^-3．h）^-1。纯^222Rn条件,测量值与NIRS提供的参考值的相对百分偏差（RPD）和变异系数（COV）分别为12％、7．7％,达到了英国NRPB规定的B级水平,在美国EPA规定的可接受的控制限之内;高^220Rn条件,^220Rn测量值的RPD和COV分别为22％、4．8％。有关^220Rn测量偏差偏高的原因有待进一步探讨。     

79Se-AMS示踪研究亚毒性剂量亚硒酸钠摄入的硒代谢

长寿命放射性核素79Se的半衰期长达2．8×10^5a，其放射性比活度（单个原子的活度）约1×10^-14Bq。79Se衰变时仅放射出能量为150．7keY纯β射线，对生物组织甚至细胞的辐射损伤远小于75Se，而79Se的加速器质谱测量方法（795e—AMS）具有灵敏度高、相对测量准确性高以及测量精度高等特点，因而适合于长周期、无损伤的生物示踪研究。     

磁轭上剥离靶安装孔对磁场影响的模拟计算

根据CYCIAE一100束流剥离靶系统要求：在主磁铁的磁轭上开两个φ30mm的孔用于安装束流剥离靶，孔的角度位置分别为59．4°和239．4°，偏离加速器中心9．6°的位置处。根据磁路定理，磁轭上开孔将影响磁极中心平面的磁场分布。考虑到主磁铁中心平面磁场的对称性，现有下列3种方案可供考虑：1）按照剥离靶系统的要求，分别在59．4°和239．4°的位置处各开1个孔.     

E_p<3 GeV能区质子反应同质异能态截面比的系统学

提出了Ep<3 GeV能区质子反应同质异能态截面比的半经验公式。该公式仅含有一个系统学参数,适应于产物核质量数44≤A≤197,同质异能态自旋0.5≤Jm≤9.5和基态自旋0.5≤Jg≤7的质子反应。该半经验公式很好地再现了已有的实验数据,能较好地预言无实验数据的同质异能态截面比或同质异能态截面。     

计算机模拟在高能背散射分析中的应用

系统总结了计算机模拟方法在高能背散射分析中的多种应用。通过应用测得的高能背散射截面数据，更新了ＲＵＭＰ程序的高能区数据库，将其扩展到高能背散射分析之中。文章除了通过实例阐明模拟方法的优势所在之外，还以４Ｈｅ－１２Ｃ背散射为例，说明了可以借助计算机模拟快速确定非卢瑟福背散射截面．     

Ep〈3 GeV能区质子反应同质异能态截面比的系统学

提出了Ep＜3GeV能区质子反应同质异能态截面比的半经验公式.该公式仅含有1个系统学参数,适应于产物核质量数44≤A≤197、同质异能态自旋0.5≤Jm≤9.5和基态自旋0.5≤Jg≤7的质子反应.该半经验公式很好地再现了已有实验数据,能较好地预言无实验数据的同质异能态截面比或同质异能态截面.     

限口法拉第筒性能的初步测量

在5SDH串列加速器上对自制限口法拉第筒（LOFC）的性能进行了初步性能测试。质子束流强度约为50nA，质子能量为3．4MeV，真空度为1&#215;10^-7Pa。由于束流强度较小，束流存在一定的不稳定性，因此，利用六通在与零度方向成30。位置放置金硅面垒探测器进行侧向束流监测。     

光中子源的优化设计

文章研究了基于9MeV电子加速器的光中子源的优化设计问题,提出了使X射线最有效地转换为中子的光中子转换靶的最优形状。利用蒙卡程序MCNP5设计了体积为20L的重水光中子转换靶,当加速器的平均电流为100μA时,中子产额可达2.3&#215;10^11n／s。通过增加特定形状的石墨反射层使更多的中子向前发射,正前方10m处中子注量率可达8.55&#215;10^4n／（cm^2&#183;s）。文中还计算了出射中子的能谱、空间分布和时间特性。     

天然铜中子全截面实验编译

编评了天然铜元素从1keV到20MeV能区的中子全截面实验测量工作,收集评价了1979年以前各家的实验测量。全能区分三个能段择优推荐:1keV到100keV系共振结构绸密区,推荐J.B.Garg和Rainwater的独家测量;100keV到1MeV是不可分辨的共振区,择优推荐J.F.Whalen和J.W.Meadows的独家测量;1MeV～20MeV基本上是无结构的光滑区,评选9家测量值作正交拟合,拟合结果作为该能段的推荐值。同时给出了与推荐数据相应的全能区(1keV～20MeV)铜中子全截面激发函数曲线,显示了该反应道的物理行为。此外还特意讨论了实验测量截面值的统计误差与白光源中子谱的相关性。     

天然铜中子全截面实验编评

编评了天然铜元素从1keV到20MeV能区的中子全截面实验测量工作,收集评价了1979年以前各家的实验测量。全能区分三个能段择优推荐:1keV到100keV系共振结构绸密区,推荐J.B.Garg和J.Rainwater的独家测量;100keV到1MeV是不可分辨的共振区,择优推荐J.F.Whalen和J.W.Meadows的独家测量;1MeV～20MeV基本上是无结构的光滑区,评选9家测量值作正交拟合,拟合结果作为该能段的推荐值。同时给出了与推荐数据相应的全能区(1keV～20MeV)铜中子全截面激发函数曲线,显示了该反应道的物理行为。此外还特意讨论了实验测量截面值的统计误差与白光源中子谱的相关性。     

E_p≤200MeV质子与Si反应截面的理论计算

对3～200MeV能区质子与Si的各种反应截面进行了计算,在符合多种可得到的实验数据的情况下,预言了6种粒子的发射截面和多种剩余核的产生截面,在低能区理论与实验符合较好,在高能区理论和实验相比可能会有1～2倍的偏差,尚待改进。这些数据对于研究半导体器件材料Si在宇宙线质子照射下所发生的性能变化以及研究中能加速器的辐射屏蔽等是很有价值的。     

质子滴线核~(17)F+~(58)Ni在近垒能区的弹性散射测量

<正>丰质子区的奇特核在近垒能区的反应机制研究目前已成为核物理领域的热点问题。本工作重点考察质子滴线核~(17)F+~(58)Ni体系的弹性散射,以研究价质子结构对弹性散射过程的影响。~(17)F是最轻的F同位素,其质子分离能仅600keV。在质子破裂阈下存在一束缚的激发态,激发能约为500keV。研究表明该激发态存在质子晕的奇异结构。