中子嬗变掺杂直拉硅单晶内吸除效应机理的探讨

中子嬗变掺杂直拉硅(NTDCZSi)作内吸除处理时(IG 处理),清洁区(DZ)和吸杂区(GZ)的形成机理与直拉硅(CZSi)不同,它们的形成是辐照缺陷与硅中间隙氧相互作用的结果.DZ 的宽度主要取决于IG 退火时辐照空位在样品表面附近深度内过剩的宽度,GZ 则是氧以体内辐照间隙型缺陷团为核心非均匀成核形成的.氧的外扩散和体内过饱和沉淀加速了 DZ 和 GZ 的完成.     

中照施主的产生与湮灭条件

NTDCZSi 在800～100℃退火时会产生高浓度的与 CZSi 的热施主和新施主不同的一种新型施主态——中照施主.本文研究了 NTDCZSi 的退火行为和中照施主产生与消除的条件,发现中照施主与中子辐照通量、晶体的辐照缺陷、晶体中氧碳含量等有关,通过1200℃高温予退火可以抑制或消除中照施主.计论了中照施主可能的结构模型.     

NTDCZSi中的辐照施主

中子嬗变掺杂直拉硅(NTDCZSi)在700～900℃范围内退火消除辐照损伤时产生了施主现象,使电阻率低于目标值。它与CZSi中的热施主、新施主有相似的行为,也有明显差异。本文研究了它与热施主、新施主的关系及辐照通量、硅中氧碳杂质对这种施主的产生与浓度的影响。初步认为它可能是以辐照缺陷为核心的“缺陷——杂质(氧、碳)亚稳态复合体”本质上仍属于氧施主范畴。     

图形蓝宝石衬底GaN基发光二极管的研制

采用抗刻蚀性光刻胶作为掩膜,并利用光刻技术制作周期性结构,进行ICP干法刻蚀C面(0001)蓝宝石制作图形蓝宝石衬底(PSS);然后,在PSS上进行MOCVD制作GaN基发光二极管(LED)外延片;最终,进行芯片制造和测试。PSS的基本结构为圆孔,直径为3μm,间隔为2μm,深度为864 nm,呈六角形分布。与同批生长的普通蓝宝石衬底(CSS)GaN基LED芯片相比,PSS芯片的光强和光通量比CSS分别提高57.32%和28.33%(20 mA),并可减小芯片的反向漏电流,且未影响芯片的波长分布和电压特性。     

正交实验法优化六方氮化硼薄膜的制备工艺

采用射频磁控溅射法,在Si(100)衬底上制备了适用于声表面波(SAW)器件的氮化硼(BN)薄膜。通过正交实验法,以薄膜中六方相的纯度和取向为指标,优化了磁控溅射方法制备六方BN(h-BN)薄膜的工艺条件。利用傅里叶变换红外光(FTIR)谱和X射线衍射(XRD)谱对薄膜进行了表征,实验结果表明,溅射功率为300W、无衬底负偏压、温度为400℃和N2∶Ar=7∶8vol.%时可以制备出高纯度且高c-轴择优取向的h-BN。     

TS结构半导体激光器的侧向扩展电流分布及波导分析模型

本文给出了具有梯形衬底结构(简称 TS)半导体激光器的侧向电流扩展分布的一般表示式.将 TS 结构看成具有侧向渐变波导,提出了一种新的分析 TS 激光器稳态特性模型.     

磁激励RF-PECVD法低温制备类金刚石薄膜及其特性

采用磁激励射频等离子体增强化学气相沉积(M-RF-PECVD)方法,室温下分别在玻璃和Si(100)衬底上制备类金刚石(DLC)薄膜,通过扫描电镜(SEM)、傅里叶红外光谱(FTIR)和Raman光谱对不同沉积条件下制备的薄膜进行表征。结果表明,在反应压强为30 Pa、入射功率为50 W、CH4/Ar=5/90、衬底温度为40℃的实验条件下,制备的含氢DLC薄膜表面平整、结构致密,膜基结合度良好,薄膜中以sp3键为主。     

基于AlGaN/GaN HEMT结构的ZnO纳米线感光栅极光电探测器

在传统的采用ZnO薄膜的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor, HEMT)光电探测器件中，存在光吸收、光电转换效率低，光电流小等诸多局限.为改善上述问题，基于AlGaN/GaN HEMT结构，提出并成功制备了一种ZnO纳米线感光栅极光电探测器.实验中首先通过水热法将ZnO纳米线成功制备到Si衬底材料及AlGaN/GaN HEMT衬底材料上，并利用X射线衍射(X-ray diffraction, XRD)仪、扫描电子显微镜(scanning electron microscope, SEM)、光致发光(photo luminescence, PL)光谱仪等仪器进行了一系列测试.结果表明，生长在AlGaN/GaN HEMT衬底材料上的ZnO纳米线具有更低的缺陷密度、更好的结晶度和更优异的光电特性.然后，将ZnO纳米线成功集成到AlGaN/GaN HEMT器件的栅极上，制备出具有ZnO纳米线感光栅极的AlGaN/GaN HEMT紫外光电探测器.将实验中制备出的具有ZnO纳米线感光栅极的AlGaN/GaN HEMT器件与常规的...     

不同衬底上La0.5 Sr0.5 CoO3薄膜生长及导电性质的研究

用脉冲激光沉积法(PLD)分别在Si(100),SiO2/Si(100),LaA lO3衬底上制备了La0.5Sr0.5CoO3薄膜.在LaA lO3衬底上实现了La0.5Sr0.5CoO3薄膜的近外延生长,薄膜的电阻率最低.这是由于LaA lO3的晶格常数与La0.5Sr0.5CoO3最为接近.在SiO2/Si(100)衬底上生长的La0.5Sr0.5CoO3薄膜的电阻较Si(100)衬底上薄膜小,XRD表明SiO2/Si(100)衬底更易于薄膜的择优生长.     

离散多音频调制系统中的编码和信号设计

离散多音频(Discrete Multitone, DMT)调制是指高效利用信道, 通过对不同的子信道发送不同长度的比特来得到最大信息流量的多载波调制(Multi-Carrier Modulation, MCM)的一种特殊形式.每个子信道上的比特取决于该子信道的信噪比.通过采用先进的编码技术可以进一步提高DMT系统的性能.笔者对DMT系统中的编码技术和调制方式进行了研究.编码采用的是与Berlekapmp Massey(BM)算法相结合的里德索罗蒙码(Reed Solomon,RS);调制采用离散傅立叶变换(Discrete Fourier Transform,DFT),并对里德索罗蒙码和离散傅立叶变换的基本原理进行了概述.随后讨论了该编码实施方案的潜在效益.仿真结果显示当误码率为10-7时,其编码增益相对于未编码增加了3至6 dB.     

动态密钥交换技术与NAT服务的性能分析

主要介绍了IPSec(InternetProtocalSecurity)和NAT(NetAddressTranslation)结合的冲突性以及目前可能使用的结合方案,并在原有方案基础上,提出有关动态密钥交换IKE(InternetKeyExchange)技术方面的具体改进措施,并对这种措施在支持NAT服务方面的性能进行分析.     

快速原型技术（RPT）与反求工程（RE）在产品开发中的应用

随着全球制造业的发展,传统的产品开发模式已不能满足需要.为此,对传统的产品开发模式和RPT(Rapid Prototyping Technology)技术与RE(Reverse Engineering)相结合的产品开发模式进行了比较,介绍了RPT技术和RE的基本原理,并通过实例介绍了RPT技术和RE在产品开发中的应用.     

动态密钥交换技术与NAT服务的性能分析

主要介绍了IPSec(Internet Protocal Security)和NAT(Net Address Translation)结合的冲突性以及目前可能使用的结合方案,并在原有方案基础上,提出有关动态密钥交换IKE(Internet Key Exchange)技术方面的具体改进措施,并对这种措施在支持NAT服务方面的性能进行分析.     

NTI技术在NIDS中的应用研究

针对如何降低传统网络入侵检测系统(NIDS)的漏报、误报率问题,从NIDS对所处网络环境了解太少、缺乏针时性入手,使用Java语言,设计了一个基于Web的网络拓扑信息(NTI)获取系统,构建了NTI分析器.采用"旗帜信息(Banner)识别服务软件、操作系统"对网络拓扑进行认知,创建了NTI数据库,并将NTI分析器、NTI数据库应用到NIDSSnort中,分别在不同操作系统和服务软件的机器上进行测试,结果表明,改善了告警效率和准确性.     

空间矢量脉宽调制(SVPWM)技术特点及其优化方法

从电压利用率、调制波分析和开关损耗几个方面分析了电压空间矢量脉宽调制(SVPWM)技术与常规正弦脉宽调制(SPWM)技术的区别和联系,给出了SVPWM技术的几种优化措施.理论分析和仿真结果表明将每相电压正、负半周各6 0°的不开关扇区对称分布于电流峰值两侧的优化SVPWM调制技术是最为理想的控制策略.实际系统的运行结果证明,采用这种调制技术后,控制器的效率得到了显著提高     

PLD沉积DLC薄膜过程中碳等离子体的发射光谱特性

采用脉冲激光沉积方法,通过改变脉冲激光能量在单晶硅衬底上制备了类金刚石薄膜,利用椭圆偏振光谱和拉曼光谱对得到的薄膜进行测试,并对沉积过程中的碳等离子体发射光谱进行了研究。薄膜测试结果表明,随着脉冲激光能量的增大,薄膜sp^3成分增多。沉积过程中的碳等离子体发射光谱原位监测表明,随着脉冲激光能量的增大,C、C^＋、C^2＋粒子发射光谱强度增强,根据应力模型薄膜sp^3成分增多,与薄膜测试结果一致。并且发现C^＋粒子在形成sp^3键过程中起到了非常重要的作用。     

NO及NH3在MnO表面吸附行为的计算研究

选取MnO(111)、(110)及(001)晶面超晶胞做为反应表面模型,运用DFT中GGA的PBE方法,探讨了NO及NH3分子在MnO(111)、MnO(110)、MnO(001)面上的吸附行为,结果表明,NO及NH3均在MnO(111)面的top-Mn位上较易吸附,且NO吸附能较大。通过Mulliken布局数及态密度分析发现,在NO及NH3的吸附过程中,气体分子与吸附衬底之间发生了较强的相互作用。NO吸附时电子从衬底转移到N原子上,得到NO-阴离子结构,而NH3吸附后电子则从N原子转移到衬底上。Mn原子通过3d、4s轨道与NO及NH3中的N形成了化学键,使吸附更加稳定。     

电子束反应蒸发技术生长Mo掺杂In_2O_3薄膜

利用电子束反应蒸发技术,调制衬底温度200～350℃,详细研究了Mo掺杂In2O3(IMO,In2O3:Mo)薄膜的微观结构以及光电性能的变化。随着衬底温度增加,原子力显微镜(AFM)与扫描电子显微镜(SEM)图像均证明IMO薄膜表面趋于粗糙,透过率和Hall测试表明其光学和电学性能逐渐提高。在衬底温度为350℃时,获得薄膜最小电阻率为2.1×10-4Ωcm,载流子迁移率为34.2cm2/Vs,其可见光区及近红外区的平均透过率为78%。衬底温度为200℃时,薄膜表现为黑褐色,经分析X射线光电子能谱(XPS)结果认为与薄膜中钼的低价氧化有关,提高衬底温度可改善薄膜氧化状态。     

钨晶须制备及生长机理研究

以93W-4.9Ni-2.1Fe混合粉末为原料,采用无衬底和钼(Mo)衬底两种条件制备钨(W)晶须,并探讨其生长机理.分别采用扫描电镜、X射线能谱仪、场发射扫描电镜、透射电镜和X射线衍射仪对产物形貌、元素分布和物相等进行测试分析.研究表明,在无衬底和Mo衬底条件下均能得到表面形貌良好,无明显缺陷,直径约200~400 nm,长径比达100以上的W晶须,且Mo衬底能促进W晶须的生成,少量的Mo原子进入W晶格,可取代晶胞中的W原子,形成连续固溶体,使晶胞参数减小.     

热解过程煤焦微观结构变化的XRD和Raman表征

为深入了解煤焦微观结构在热解过程的变化规律,对霍林河褐煤(HLH)、大同烟煤(DT)、鸡西烟煤(JX)和晋城无烟煤(JC)进行热解实验(25~1 600℃),采用X射线衍射(XRD)和拉曼光谱(Raman)获取煤焦微观结构信息,并对两者数据的关联性进行分析.结果表明,热解过程煤焦微观结构的变化存在明显的3个阶段,分别对应解聚与流动、热缩聚与芳构化、石墨化.当La3 nm,ID1/IG和ID4/IG随La的增大而增加;当La3 nm,ID1/IG和ID4/IG随La的增大而减小,表明层片在不同尺寸内发生改变,其相互连接方式和缺陷数量也不相同.Lc分别与ID3/IG和Raman谱峰总积分面积成反比,表明无定形sp2碳原子多存在于芳香片层的夹层间,且与芳香结构活性有关.