移相掩模为光学微细加工技术增添新武器

通过对国外光学微细加工技术发展现状的介绍,和对提高光学成像分辨率的各种途径的分析比较,提出了在加强光学曝光设备和抗蚀剂材料工艺开发的同时,立即着手研究移相掩模技术的主张。     

移相掩模技术

对光学微细加工技术中骤然崛起的移相掩模技术,从原理、掩模种类以及尚待解决的问题等方面作了较为详尽的介绍。 该技术由于大幅度提高分辨率、空间相干性和增大焦深,目前已用于0.2～0.3μm LSI的设计。     

移相掩模应用技术

一种用于大栅宽器件的移相掩模应用技术是将移相器边缘线用作不透明掩模，以代替铬图形。利用此移相掩模技术，制作了特征线长为０．１５μｍ的微细栅条和大栅宽器件。     

光学光刻的波前工程

介绍了国内研究光学光刻波前工程的一些成果,如新型移相掩模、投影光刻的邻近效应和掩模加工的邻近效应的组合模拟等。     

具有高透明SiO_2移相器的新的移相掩模

使用移相掩模能实现亚半微米光学光刻。我们提出了一种用SiO_2作移相器的新的移相掩模。在石英掩模衬底上的SiO_2移相器具有在远紫外区吸收率低和没有多次干涉等优点。SiO_2移相器是通过将蒸发的SiO_2膜剥离而制成的。这种新的移相掩模对远紫外光有高的透明度,并在5X步进机的整个曝光视场内达到2％的移相均匀度。通过使用KrF准分子激光器步进机和这种新的移相掩模提高了分辨率,得到0.25μm的线条和间隔。使用移相掩模后,掩模图形与投影到片子上的图形的一致性降低,因此我们也研究了用移相掩模投影的成像特性,指出了各个窗孔的衍射图形的主、次波瓣之间的干涉的重要性,并阐明了在使用移相掩模的光学光刻中一致性衰减的机理。     

侧墙铬衰减型新结构移相掩模的应用

提出了一种全新的移相掩模--侧墙铬衰减型移相掩模(SCAPSM),相对于通常的衰减型移相掩模,其制造工艺仅多两步,却可以较大幅度提高光刻分辨率.采用PROLITH光学光刻模拟软件,参考ArF步进扫描投影光刻机TWINSCAN XT:1400E的曝光参数,对侧墙铬衰减型移相掩模的工艺进行了研究,证明SCAPSM 离轴照明的方案可以将干式193nm光学光刻的分辨率提高到50nm.     

侧墙铬衰减型新结构移相掩模的应用

提出了一种全新的移相掩模--侧墙铬衰减型移相掩模(SCAPSM),相对于通常的衰减型移相掩模,其制造工艺仅多两步,却可以较大幅度提高光刻分辨率.采用PROLITH光学光刻模拟软件,参考ArF步进扫描投影光刻机TWINSCAN XT:1400E的曝光参数,对侧墙铬衰减型移相掩模的工艺进行了研究,证明SCAPSM+离轴照明的方案可以将干式193nm光学光刻的分辨率提高到50nm.     

侧墙铬衰减型新结构移相掩模的应用

提出了一种全新的移相掩模--侧墙铬衰减型移相掩模（SCAPSM) ，相对于通常的衰减型移相掩模，其制造工艺仅多两步，却可以较大幅度提高光刻分辨率. 采用PROLITH光学光刻模拟软件，参考ArF步进扫描投影光刻机TWINSCAN XT:1400E的曝光参数，对侧墙铬衰减型移相掩模的工艺进行了研究，证明SCAPSM+离轴照明的方案可以将干式193nm光学光刻的分辨率提高到50nm.     

100nm分辨率的移相掩模技术

介绍了移相掩模技术的基本原理，对几种主要的移相掩模技术进行了比较，指出了各种移相方式的特点和应用局限性，并针对100nm分辨率的技术节点，阐述了各种移相方式在应用中应该解决的问题。     

i线光学光刻技术及其发展潜力

综述和分析了ｉ线光学光刻技术的现状和发展。指出结合移相掩模技术和离轴照明技术,可在确保焦深的基础上大幅度提高成像分辨率。     

移相腌模应用技术

一种用于大栅宽器件的移相掩膜应用技术是将移相器边缘线用作不透明掩膜，以代替铬图形。利用此移相掩膜技术，制作了特殊线长为０．１５μｍ的微细栅条和大栅宽器件。     

国外光刻制版设备发展动态

主要述评了近两年来国外光刻制版设备的最新发展动态.新颖的扫描激光掩模制作设备正在迅速地向64M DRAM器件的制版领域渗透,i线片子步进机与移相掩模技术的结合将在0.35微米的64M DRAM时代占据优势,潜力巨大的准分子激光步进机与移相掩模的结合将使传统的光学光刻技术于1996年进入0.15微米图形线宽的1GDRAM时代     

电子束曝光技术发展概况

电子束曝光技术是近30年来发展起来的一门新兴技术,它集电子光学、精密机械、超高真空、计算机、自动控制等近代高新技术于一体,是推动微电子技术和微细加工技术进一步发展的关键技术之一,电子束曝光技术已成为一个国家整体技术水平的象征。先进的电子束曝光机主要用于0.1～0.5微米的超微细加工,甚至可以实现纳米线条的曝光。电子束曝光技术广泛地应用于高精度掩膜、移相掩膜及X射线掩膜制造;新一代集成电路的研究及ASIC的开发;新器件、新结构     

用于T形栅光刻的新型移相掩模技术

根据移相掩模基本原理,通过光刻工艺模拟提出了一种适于T形栅光刻的新型移相掩模技术——M-PEL。初步实验证明,M-PEL技术可在单层厚胶上经一次光刻形成理想的T形栅抗蚀剂形貌。     

移相掩模技术

<正> 1 移相掩模技术的发展过程移相掩模的概念最初是在1982年由IBM的M.D.Levenson等人提出的。移相掩模基本上是在原来的掩模上有选择地淀积一层称作移相器的透明图形层而制成的。利用透过带有移相器和不带移相器的两个相邻窗孔的光波具有180°的相位差而产生的相消干涉作用,使窗孔之间的光强减小,从而增大了投影图象的反差,提高了分辨能力。从1982年到1988年,移相掩模技术一直没有受到足够的重视,其主要原因一是掩模制     

向千兆位拓进的光学光刻技术

向千兆位拓进的光学光刻技术Ｍ．ＤａｖｉｄＬｅｖｅｎｓｏｎ各种光刻技术的开发使ｉ线（３６５ｎｍ）和深紫外（ＤＵＶ）光学光刻技术的寿命大有希望延伸到亚半微米时代。这些新技术包括离轴照明、光学邻近效应校正、不同类型的移相掩模及其它方法。似乎还没有一种单独的...     

光学光刻在军事微电子器件制造中的作用和地位

<正> 光学微细加工技术或称光学技术,是促成集成电路微电子器件的诞生与不断进步的主要微细加工手段。无论是过去还是现在,国外始终都对光学光刻技术设备的发展寄予极大希望与重视,而且在当前通用和军用微电子器件研制、生产中,光学光刻也一直起     

采用移相掩模技术制作深亚微米“T”型栅

介绍了在GaAs器件制作中,如何提高光刻细线条加工能力、制作深亚微米"T"型栅的工艺技术。该技术采用投影光刻和负性化学放大光刻胶,制作出0.18μm的"T"型栅GaAs PHEMT器件,栅光刻工艺采用了分辨率增强移相掩模技术。根据曝光工具简单介绍了当前GaAs器件中"T"型栅主要制作方法,讨论了"T"型栅制作中所使用的移相掩模原理以及该技术应用于GaAs器件制作的优势,并介绍了工艺制作过程。给出了所制作的"T"型栅扫描电镜剖面照片,并进一步试验、讨论和分析了采用该种移相掩模版进行光刻时所遇到的主要困难及解决方向。     

国外光刻制版设备发展动态（续）

8.1 移相掩模技术最初的移相掩模研究是由IBM公司Marc-levenson首先于1982年的IEEE会议上提出的.它是指在普通的电路图形透明掩模层上覆盖一层用作移相器的透明膜层而成.穿过这一双层图形透明膜的辐照光到达片子表面时,透过掩模图形孔与透过移相膜的两波相位相差180°的光重叠,产生了相消干涉作用,抵消了一些衍射效应而提高了转印图形的空间分     

亚半微米光刻技术的新动向

最近几年中提出了几种用于光学光刻的新方法,包括移相掩模技术、斜向照明、环形照明、FLEX和Super-FLEX等,这些方法提高了光学投影光刻的分辨率,并改善了一定特征尺寸下的焦深,期望它们可以将现有的i线步进机的用途扩展到制造最小特征尺寸为0.3μm的半导体器件。本文介绍了这些方法的基本原理、效果和应用状况,并讨论了实用中的关键问题。