超高精度Z箔电阻

VPR221Z是一款新型超高精度Z箔电阻。此新型器件可提供±0．05×10^-6／C（当温度介于0～＋60℃之间）及±0．2×10^6／℃（当温度范围在55～＋125℃）（参考温度为＋25℃）的工业级别绝对TCR、在＋25℃时最多8W的额定功率±4×10^-6／w（典型值）的优越功率系数（自身散热产生的R）及±0．01％的容差。     

高精度Z箔电阻

VPR221Z是一款新型超高精度z箔电阻,此新型器件可提供±0．05×10-6／℃（当温度介于0～60℃之间）及±0．2×10-6／℃（当温度范围在55～125℃）（参考温度为25℃）的工业级别绝对TCR、在25℃时最多8W的额定功率（符合MILPRF-39009规范,在自由空气中为1．5W）、具有±4×10-6／W（典型值）的优越功率系数（“自身散热产生的△R”）及±0．01％的容差。     

12位／10位／8位8通道DAC

通过集成一个10×10^-6／℃的基准,LTC2636为面积受限的光网络电路板提供了占用空间进一步减小的解决方案。其他特点：集成精确基准,2．5V 10×10^-6／℃（LTC2636-L）,4．096 V10×10^-6／℃（LTC2636-HX最大12位INL误差为±2．5LSB;引脚和软件兼容SPIDAC;在-40～＋125℃温度范围内保证单调;DAC之间具超低串扰（〈2．4nV·s）．     

高精度轴向Z箔电阻

VSA101是一款新型VSA101轴向Bulk Metal Z箔电阻,旨在满足在高可靠性应用中对超高精度电阻的需求。这款新型器件在0～60℃以及55～125℃（＋25℃参考温度）的温度范围内分别具有±0．05×10^-6／℃及±O．2×10^-6／℃的绝对低的TCR、     

具有ITE认证的250W电源

LPS200－M系列1250W AC／DC电源符合ITE标准。该电源采用了开放架构设计,体积为3in．×5in．×1．5in．。其满载效率为88％,功率密度大干11W／in．3,输入为90～264Vac。     

箔分压器电阻

这些电阻具有100Ω～20kΩ的电阻范围,在55～125℃（参考值为＋25℃）范围内具有±0．2×10^6／℃的低典型TCR,0．1×10^6／℃的TCR跟踪,±0．005％（50×10^6）的容差匹配,以及在＋70℃、额定功率时长达2000小时的±0．005％负载寿命稳定比率。其他电阻技术需要几秒钟甚至几分钟才能实现稳态热稳定性,而300144Z及300145Z具有不足1s的热稳定性时间。     

采用纤巧TSOT-23封装的SPIDAC

LTC2631是12位、10位和8位DAC系列。其非常适用于在光网、RFID系统等应用中微调偏置电压。性能特点：2．5V满标度10×10^-6／℃（LTC2631-L／LJTC2640-L）,4．096V满标度10×10^-6／℃（LTC2631-H／LTC2640-H）;最大A级12位INL误差：1LSB;     

超高密度3D—MCM的结构与版图设计

本文以一种具有系统级功能的信号处理电路为例,介绍MCM基板簇层间垂直装连3D—MCM的结构设计和版图设计,该型3D—MCM模块的元器件封装效率超过200％,在与I／O端子（PGA引线、BGA焊球）一体化封装的3个簇层LTCC基板的表面上及其腔体内组装了432只外贴元器件,封装外形尺寸仅为32mm×32mm×15mm。     

Vishay推出新型超高精度Z箔电阻VPR221Z

日前,Vishay Intertechnology,Inc．（NYSE股市代号：VSH）宣布推出新型超高精度Z箔电阻——VPR221Z。此新型器件可提供±0．05ppm／°C（当温度介于0°C至＋60°C之间及±0．2ppm／°C（当温度范隔在（55°C至＋125°C）（参考温度为＋25°C）的工业级别绝对TCR、在＋25°C时最多8W的额定功率（符合MIL—PRF-39009规范,在自由空气中为1．5W）、±4ppm/W（典型值）的优越功率系数（“自身散热产生的R”）及±0．01％的容差。     

低成本通用D类放大器

MAX9736A／B提供2～8Ω（或更高）的负载驱动能力。MAX9736A能够为8Ω负载提供2×15W功率,为4（2提供1×30W功率;MAX9736B能够为8Ω负载提供2×6W功率,为4Ω负载提供1×12W功率。MAX9736A／B可通过引脚选择立体声／单声道模式,在立体声模式下采用12V电源电压可驱动4Ω负载,在单声道模式下可驱动2Ω负载。     

符合安全要求的开放架构电源

ECM140开放架构单输出AC／DC电源符合用于医疗设备的IEC60601～1／EN60601—1标准和用于工业和IT设备的IEC60950—1／EN60950—1标准。电源的尺寸为3in．×5in．×1．3in．,功率密度为7．9W／in．^3。     

12位／10位／8位8通道DAC

LTC2636在纤巧4mm×3mmDFN封装和MSOP封装中集成一个精确基准。性能特点：集成精确基准,2．5V10×10^6／℃（LTC2636-L）,4．096V10×10^6／℃（LTC2636-H）最大12位INL误差：     

实时荧光定量PCR检测人肝癌组织皮层肌动蛋白基因

目的建立实时荧光定量PCR检测皮层肌动蛋白基因表达水平的方法。方法提取人肝癌组织总RNA,RT—PCR扩增CTTN和GAPDH基因片段并分别构建两片段阳性表达载体。采用SYBR Green I实时荧光定量PCR绘制两基因拷贝数标准曲线,实测人肝癌标本并进行方法学评价。结果成功构建pMD18-T（＋）／CTTN和pMD18-T（＋）／GAPDH重组质粒。CTTN和GAPDH基因模板拷贝数分别在1．6×10^3-1．6×10^7和1．6×10^4-1．6×10^7之间时标准曲线有良好线性关系,R^2分别为0．996和0．985。由Ct值统计两基因组内变异系数分别为0．11％～2．25％和0．75％-3．63％;组间变异系数分别为0．83％～1．48％和0．47％～1．36％。组间无统计学差异（P〉0．05）。结论成功建立实时荧光定量PCR检测人肝癌组织CTTN基因的方法,为研究人肝癌组织CTTN基因表达水平奠定了方法学基础。     

ELAC MicroSUB 2010BT有源超低音

迷你型有源超低音,三围为150mm（W）×218mm（H）×178mm（D）,配备40W×2的功放。除了用于驱动内置的两个4．5英寸超低音,还可外接卫星音箱使用。同时具备蓝牙连接功能,可直接与手机、MP3是行无线音乐传输。     

长波双色AlxGa1-xAs/GaAs量子阱红外探测器的研制

介绍了长波双色AlxGa1-xAs/GaAs多量子阱红外探测器单元的设计、制作和测试。器件光敏面面积为300μm×300μm,光吸收峰值波长分别为10.8、11.6μm;采用垂直入射光耦合的工作模式,65K温度2V偏压下,两个多量子阱区的暗电流分别为4.23×10^-6、4.19×10^-6A;黑体探测率分别为1.5×10^9、6.7×10^9cm.Hz^1/2/W;响应率分别为0.063、0.282A/W。GaAs基量子阱红外探测器（QWIP）材料生长和加工工艺成熟、大面积均匀性好、成本低、不同波段之间的光学串音小,使得AlGaAs/GaAsQWIP在制作多色大面阵方面具有明显的优势。     

LTCC流延生瓷带的力学性能

选择邻苯二甲酸二丁酯(DOP)和聚乙二醇(PEG)作为复合增塑剂,采用流延法制备生瓷带。研究复合增塑剂中PEG和固含量对浆料黏度及生瓷带力学性能的影响。结果表明,复合增塑剂的增塑效果优于单组分增塑剂。随着PEG含量的增加,生瓷带拉伸强度减小,断裂伸长率先增大后减小;生瓷带的拉伸强度和断裂伸长率随固含量的升高而降低。当增塑剂中w(PEG)为30.0%～70.0%,w(固含量)为86.5%～87.3%时,生瓷带拉伸强度约为1.94MPa,断裂伸长率约为12.07%。     

超小型照度传感器IC

BH1620FVC和BH1720FVC专为适应以移动电话手机为首的便携式机器和液晶电视等的要求而开发,是具有良好光谱灵敏度特性的超小型电流输出型模拟照度传感器。此照度传感器IC具有与人的视觉灵敏度相似的光谱灵敏度特性,可以测量从暗处到日光直射环境那么宽范围的照度。与原来的WSOF6封装（3．0mm×1．6mm×0．7mm）相比,WSOF5封装（1．6mm×1．6mm×0．55mm）在体积上减小约60％。而且,原来的BH1600FVC（模拟输出型）／BH1710FVC（数字输出型）照度传感器分别有±35％和土38％的灵敏度偏差,     

意法半导体推出新型“陀螺仪”角速度传感器

意法半导体（STMicroelectronics）日前推出新款MEMS单轴航向陀螺仪LISY300AL,这款产品采用7mm×7mm×1．5mm的表面贴装封装,角速度测量性能高达300°／s（全量程）。该产品灵敏度高,扩大了电源／稳压器电压范围（2．7～3．6V）,省电模式可选。新产品还有助于降低游戏手柄、直观指向设备、车用或个人用导航仪等设备的待机功耗,且图像稳定。     

退火时间对ZnO：Al薄膜性能的影Ω响

采用溶胶-凝胶法在石英玻璃衬底上制备了Al／Zn原子比为0．1％的ZnO：Al薄膜,在500℃的氩气中进行了1～5h不同时间退火处理,利用X射线衍射（XRD）、光致发光（PL）、透射光谱和四探针法研究了退火时间对薄膜性能的影响。结果显示,退火1h时,样品出现了C轴择优取向,深能级发射（DLE）提高,可见光区光学透过率约为80％,电阻率仅为4×10^-2Ω·cm。更长时间退火后,随着退火时间增加,薄膜结晶质量逐渐变差,电阻率逐渐增大。     

RF磁控溅射功率对ZnO：AI薄膜结构和性能的影响

采用RF磁控溅射技术以ZnO2Al2O3（2wt％Al2O3）为靶材在石英玻璃衬底上制备多晶ZnO：Al（AZO）薄膜,通过XRD、AFM、AES以及Hall效应、透射光谱、折射率等手段研究了RF溅射功率（50-300w）对薄膜的组织结构和电学,光学性能的影响。分析表明：所制备的AZO薄膜具有c轴择优取向,并且通过对不同功率下薄膜载流子浓度与迁移率的研究发现对于室温下沉积的AZO薄膜,晶粒间界中的O原子吸附是影响薄膜电学性能的主要因素。同时发现当功率为250W时薄膜的电阻率降至最低（3．995×10^-33Ω·cm）,可见光区平均透射率为91％。