Fe:LiNbO_3晶体生长及其光谱特性

叙述了用提拉法从熔体中生长了不同掺量的Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ_３晶体，并进行了氧化处理，对晶体进行吸收光谱测试表明，晶体的光谱特性与掺量、氧化处理条件有密切联系，是一种比较优良的大容量体全息记录介质材料．     

LiNbO_3晶体的光折变研究

首次观察到了532nm强激光束在LiNbO_3,LiNbO_3:Li,LiNbO_3:Li.Zn,LiNbO_3:Mg4种晶体中异常衍射花样,测量了LiNbO_3晶体的透过曲线和吸收曲线,另外,当强激光束的波长为694nm时异常衍射花样将消失,根据上述实验提出了LiNbO_3光折变的机理。     

Mg∶Mn∶Fe∶LiNbO_3晶体抗光致散射性能

用提拉法从熔体生长出6mol%Mg,0.1%Mn,0.03?-LiNbO3(Mg∶Mn∶Fe∶LN)晶体.切割后,分别对其中两块晶体进行氧化和还原处理.对晶体的抗光致散射能力和衍射效率进行测试,结果表明,晶体抗光致散射能力和衍射效率与氧化、还原处理条件有密切关系,其对晶体进行大容量体全息存储起重要作用.     

不同Hf浓度Hf:Ce:Fe:LiNbO3晶体居里温度和抗光损伤性能

通过单晶提拉法生长了一系列不同Hf~(4+)(2, 4, 6, 8 mol%)离子浓度的Hf:Ce:Fe:LiNbO_3晶体。为了研究不同Hf~(4+)离子掺杂浓度对Hf:Ce:Fe:LiNbO_3晶体居里温度和抗光损伤能力的影响,采用差热分析仪测量出Hf:Ce:Fe:LiNbO_3晶体差热分析曲线并且分析了晶体的居里温度变化,用光斑畸变法测量了晶体的抗光损伤能力。测试结果表明:当Hf~(4+)离子掺杂量4 mol%时居里温度提高了20℃并且达到最大值1 224℃。随着晶体中Hf~(4+)离子浓度的增加,晶体的抗光损伤能力提高。掺杂Hf~(4+)(8 mol%)离子浓度Hf:Ce:Fe:LiNbO_3晶体抗光损伤能力比掺杂Hf~(4+)(2 mol%)离子浓度Hf:Ce:Fe:LiNbO_3晶体提高了两个数量级。     

Li/Nb变化对Mg:Ho:LiNbO_3晶体光学性能的影响

采用提拉法生长了不同Li/Nb(Li/Nb=0.94,1.05,1.20 and 1.38)的Mg:Ho:LiNbO3单晶.测试了Mg:Ho:LiNbO3晶体的双折射梯度和抗光损伤能力.实验结果表明:Li/Nb=1.38的Mg:Ho:LiNbO3晶体有较好的光学均匀性,随着Li/Nb比的增加,晶体抗光损伤能力增强,并分析了其抗光损伤能力增强的机理.结合LiNbO3晶体的锂空位缺陷模型和占位机制解释了相关实验结果.     

Mg:Mn:Fe:LiNbO3晶体抗光致散射性能

用提拉法从熔体生长出6mol%Mg,0.1%Mn,0.03?-LiNbO3(Mg:Mn:Fe:LN)晶体.切割后,分别对其中两块晶体进行氧化和还原处理.对晶体的抗光致散射能力和衍射效率进行测试,结果表明,晶体抗光致散射能力和衍射效率与氧化、还原处理条件有密切关系,其对晶体进行大容量体全息存储起重要作用.     

Mg2+浓度对Ce:Fe:LiNbO3晶体光谱性能的影响

为探讨Mg2 浓度对Ce:Fe:LiNbO3晶体光谱性能的影响,在Ce:Fe:LiNbO3中掺入摩尔浓度分别为0%、2%、4%和6%的MgO,以提拉法技术生长了Mg:Ce:Fe:LiNbO3晶体.测试了Mg:Ce:Fe:LiNbO3的红外透射光谱.紫外可见吸收光谱的吸收边曲线随着晶体原料中镁浓度的增大而向短波长方向移动,当镁的摩尔浓度达到6%时,样品又开始移向长波方向.最后,探讨了Mg2 浓度达到阈值后,吸收峰的变化,并分析了镁离子在晶体中的占位.     

Zn2+浓度对Zn∶ Ce∶ Cu∶ LiNbO3晶体缺陷结构的影响

采用单晶提拉法生长了不同Zn~(2+)(1,3,5,7 mol%)离子浓度的Zn:Ce:Cu:LiNbO_3单晶,为了研究Zn~(2+)离子浓度对Zn:Ce:Cu:LiNbO_3单晶缺陷结构的影响,采用光致散射光强阈值方法来测定晶体的抗光损伤能力,用电感耦合等离子原子发射光谱(ICP-AES)测试Zn:Ce:Cu:LiNbO_3晶体中不同掺杂离子的有效分凝系数。试验结果表明:随着晶体中掺杂Zn~(2+)离子浓度的增加,晶体的抗光损伤能力增强,Zn~(2+)离子分凝系数随着晶体中Zn~(2+)浓度增加呈现先升高后降低的趋势,在Zn~(2+)浓度为5 mol%时达到最高点;Ce~(3+)和Cu~(2+)离子的分凝系数随着Zn~(2+)离子浓度的增加逐渐降低,结合LiNbO_3晶体的占位机制和锂空位缺陷解释了相关实验结果。     

TSSG法生长KYb(WO4)2晶体及其振动光谱研究

采用TSSG法生长出尺寸为30mm×15mm×10mm的KYb(WO4)2晶体,XRD分析表明为低温相的KY-bW晶体,计算其晶格常数为a=10.61,b=10.29,c=7.49,β=130.65°。测得样品的红外和拉曼光谱,结果表明KYbW晶体有较强的拉曼活性,钨氧双桥键WOOW和单桥键WOW基团的振动在200~1000 cm-1范围内,对峰值与相应的振动进行了指认。     

Ce：Fe：LiNbO3晶体生长及其在红光波段的体全息存储特性

用提拉法从熔体中生长了Ce:Fe:LiNbO3晶体,研究了Ce:Fe:LiNbO3晶体在633nm波段的体全息存储特性,对不同掺杂浓度的Ce:Fe:LiNbO3晶体和Fe:LiNbO3晶体进行了全息时间常数和吸收光谱的测定与比较。实验表明,Ce:Fe:LiNbO3晶体晶体对红光的灵敏度优于Fe:LiNbO3晶体,它是一种优良的体全息记录材料。     

LiNbO_3:Fe晶体全息写入中的光感应光散射

研究了两种典型的光束几何配置下 ,Li Nb O3:Fe晶体的光感应光散射。实验表明 ,晶体散射图样的几何结构相同 ,强度分布和偏振状态不同。在双光束作用下 ,以双光束为公共母线、以其交点为顶点形成四个散射光锥 ,各向异性散射出现在 c轴方向。入射光束偏振平面平行于光轴时比垂直于光轴时更易产生光感应光散射。讨论了光生伏打电流以及衍射效率与入射光的角度关系对光感应光散射空间分布和时间特性的影响。结果表明 ,光感应光散射不仅与光生伏打电流的方向有关 ,而且还受初始散射光分布及衍射效率随光束夹角变化的影响     

掺铁钽酸锂晶体的生长及其光学性能的研究

在LiTaO3(LT)中掺进不同摩尔分数的Fe2O3,用提拉法生长Fe:LiTaO3晶体,测试了晶体的晶格常数、吸收光谱和红外光谱.发现晶体的晶格常数随着Fe2O3掺入量的增加而变大.晶体的吸收边随着铁含量的增加而发生红移,并在520 nm处有一吸收峰,是对Fe2+ 离子的吸收.LiTaO3晶体的OH-吸收峰位置在3 477 cm-1,当掺杂Fe2O3后,吸收峰的位置仍然在3 477 cm-1附近,红外光谱的吸收基本上没有变化.利用二波耦合光路测试了晶体的指数增益系数,计算了有效载流子浓度.测试结果表明,随着掺铁量的增大,其指数增益系数和有效载流子浓度都增大.     

Ce:Fe:LiNbO_3晶体生长及其在红光波段的体全息存储特性

用提拉法从熔体中生长了 Ｃｅ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体．研究了 Ｃｅ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体在 ６３３ｎｍ波段的体全息存储特性,对不同掺杂浓度的 Ｃｅ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３和Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体进行了全息时间常数和吸收光谱的测定与比较．实验表明,Ｃｅ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体对红光的灵敏度优于Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体,它是一种优良的体全息记录材料．     

映射变换法的收敛性证明及其在抗力分项系数计算中的应用

通过对映射变换法的迭代计算步骤进行分析,证明映射变换法可以避免设计验算点超出随机变量定义域情况的出现,保证迭代收敛.在此基础上,探讨了映射变换法在计算分项系数设计表达式的抗力平均值及相应的抗力分项系数中的应用,给出了采用映射变换法计算抗力平均值的迭代计算步骤与相关公式.算例分析表明,该方法在避免设计验算点超出随机变量定义域、保证迭代收敛方面是有效和可行的,且易于利用计算机程序实现.     

化学计量比和铜离子对Fe:LiNbO3晶体光学性能的影响

以K2O作助溶剂,采用顶部籽晶溶液生长法生长近化学计量比Cu:Fe:LiNbO3晶体.测试了晶体的红外光谱,吸收光谱和抗光损伤能力.由红外光谱OH-吸收峰位置,确定Cu:Fe:LiN-bO3晶体是近化学计量比.吸收光谱显示出Cu:Fe:LiNbO3晶体的吸收边相对LiNbO3晶体发生红移.其抗光损伤能力比Fe:LiNbO3晶体提高一个数量级.对红外光谱OH-吸收峰移动机理,吸收光谱吸收边移动机理和抗光损伤增强机理进行讨论.通过二波耦合光路测试并计算了近化学计量比Cu:Fe:LiNbO3晶体的衍射效率、响应时间、擦除时间、灵敏度和动态范围.近化学计量比掺杂LiN-bO3晶体的光学性能优于Fe:LiNbO3晶体.