共查询到20条相似文献,搜索用时 46 毫秒
1.
在不同的熔制气氛条件下熔制玻璃料。利用红外光谱测试玻璃羟基含量;通过挑料、拉丝方法观察了不同熔制气氛条件下玻璃的粘度变化;利用光学显微镜观察了玻璃试样中的气泡形态与数量。研究结果表明:模拟全氧燃烧气氛条件下熔制的玻璃中水分含量达到了309~344μg/g,远高于未通入任何气氛条件下所熔制玻璃中的含水量。全氧燃烧条件下,炉气中会产生大量的水分,水分以羟基(—OH)的形式进入玻璃熔体,使得玻璃熔体粘度小于空气助燃的,从而有助玻璃的澄清,得到的玻璃熔体质量优于空气助燃的。全氧燃烧和富氧环境下的样品气泡大而少,而空气助燃下的样品气泡则小而多。也进一步说明了水分对玻璃熔体有一定的澄清作用。 相似文献
2.
浮法玻璃制造需要经历1 500℃以上的高温热工过程,由此会造成大量的CO2排放。要实现碳达峰、碳中和的国家发展战略,玻璃工业需要寻求新的低碳能源。以浮法玻璃为研究对象,探究了不同熔制气氛下浮法玻璃中羟基的含量,并对玻璃中羟基的形成原因进行了研究分析。结果表明,玻璃熔制过程中,气氛中H2O含量的增加,玻璃中溶解羟基的量也随之增加。由于熔化气氛的变化,玻璃结构中的羟基含量由279 g/m3增加到了581 g/m3。玻璃中四桥氧结构在玻璃网络中的含量,会随着羟基含量的增加而降低。随着玻璃结构中三桥氧和二桥氧结构的含量增加,可导致玻璃熔体的黏度略微降低。 相似文献
3.
乳白玻璃生产中出现的黄色条纹是一种缺陷,测定了黄色条纹和乳白基玻璃的氧化铁含量和密度,又在实验室作了熔制实验,证明黄色条纹是由铁着成的。 相似文献
4.
分析了耐火材料产生的结石和条纹、着色、气泡三种缺陷,在论述硅砖性能的基础上,分析了硅砖侵蚀受到材料本身显微结构和玻璃生产工艺条件双重影响缺陷的形成机理,并探讨了影响玻璃质量的原因。结果表明:工作面温度超过1470℃会在硅砖表面生成方石英晶体,高温烟气存留过多对碹顶和后山墙的冲击加剧,以天然气为原料,按照方案一实施2#炉的助燃风流量最高可达到7200 N m3/h。 相似文献
5.
丁振扬 《上海电力学院学报》2010,(3)
提出将偏振串扰分析仪用于光纤陀螺(FOG)保偏光纤(PMF)环绕制在线检测、原料PMF质量检测、成品PMF环总体检测和热应力检测。通过对原料光纤检测,可以有效减少原料光纤固有缺陷对光纤环的影响。通过PMF环绕制在线检测,可以有效检测出光纤环在绕制中的缺陷、监控绕制张力、定位绕制光纤位置和改进绕制工艺等。通过光纤环热应力检测,可以了解骨架、光纤固化胶由于热应力作用对光纤环性能的影响。研究表明,分布式偏振串扰测量是大幅提高PMF环质量的一个有效手段。 相似文献
6.
气辅注射成型制品气泡缺陷形成机理 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了气辅注射成型制品气道内壁气/熔两相界面处蜂窝状气泡的形成机理。在气辅注射成型工艺过程中,高压N2达到了超临界状态,导致N2流体向熔融的聚合物熔体内部扩散,泄压后扩散到熔体中的N2流体达到过饱和状态,靠近气/熔两相界面的过饱和N2流体通过界面扩散逸出,剩下的N2流体就在聚合物熔体内部靠近内壁界面处形成蜂窝状气泡。并据此提出了如何减少气道内壁气泡缺陷的工艺条件。 相似文献
7.
介绍了以Na2O-B2O3-SiO2玻璃为原料,采用熔融法制备钠硼硅玻璃,并通过对钠硼硅玻璃的组分,熔制温度的讨论,以及对热处理,酸浸析等后处理过程工艺参数进行调节,得到制得纳米SiO2颗粒的最优化条件。采用差示扫描量热法对热处理前的钠硼硅玻璃进行测试,用X射线衍射分析对不同温度热处理的钠硼硅进行测试,用场发射扫描电子显微镜对酸浸析后二氧化硅颗粒形貌进行表征,并对最佳的工艺条件进行了讨论。制得的SiO2颗粒粒径范围为60~100 nm,并具有比表面积大、分散性好、成本低等优点。 相似文献
8.
采用机器视觉技术和LabVIEW Vision Assistant对玻璃缺陷进行检测分析,以亚克力玻璃常见的缺陷划痕、气泡为主,通过LabVIEW图像处理模块进行灰度变换、形态学处理、阈值分割,最后对图像进行颗粒分析。该研究用模板匹配的方式,对玻璃存在的缺陷进行识别。多次检测研究后表明,该方式较准确地检测到划痕、气泡的存在,并对缺陷的位置及数量做出判断,正确率达到94%。 相似文献
9.
SiO2-B2Ox-Na2O系统是熔制高硅氧玻璃纤维常用的母体玻璃系统,该系统玻璃在熔化过程中常产生B2O3严重挥发的现象.作者采用石英砂、硼酸、纯碱为原料高温熔制高硅氧玻璃,分析了石英砂对高硅氧玻璃中B2O3挥发的影响.研究结果表明:石英砂粒度越小,高温熔制过程组成中的B20。挥发越小,粒度为300~360目的石英砂可以有效地将B2O3。挥发量降低到4%. 相似文献
10.
以鸟嘌呤为原料经酰化得N(2)乙酰鸟嘌呤(Ⅰ),再与AcOCH2CH2OCH2OAc缩合,采用低压液相层析和低压干柱层析法分离缩合物得N(2)乙酰基9(2乙酰氧乙氧甲基)鸟嘌呤(Ⅱ)和N(2)乙酰基7(2乙酰氧乙氧甲基)鸟嘌呤(Ⅲ),(Ⅱ)最后氨解得到阿昔洛韦(Ⅳ),总收率为57.6%.(Ⅰ)、(Ⅱ)、(Ⅲ)和(Ⅳ)的结构均经UV、NMR和MS证实. 相似文献
11.
针对轴件表面缺陷机器视觉检测方法中的水渍残留误检率高和人工复检效率低问题,提出一种基于特征与形貌重构的轴件表面缺陷检测方法. 对轴件工业高速线扫描图像进行预处理,基于改进的阀值迭代算法完成图像分割,通过去除背景、噪点和干扰提取缺陷图像. 建立基于曲线簇包络轮廓的轴件表面缺陷特征模型,结合分割图像各连通域的面积、面积占比、粗短度训练逻辑回归分类器,对凹坑、裂纹和麻点等轴件表面典型缺陷进行识别,并结合图像深度信息进行缺陷形貌重构,消除水渍等伪缺陷,提高轴件表面缺陷检测鲁棒性. 实验结果表明,所提出的轴件表面缺陷检测方法有效,具有较高的缺陷识别率和鲁棒性能,平均识别时间为3.69 s,缺陷轴加权识别率为98.86%,可以对3类典型缺陷和水渍进行准确识别. 相似文献
12.
提出了一种基于织物纹理结构异常的织物疵点检测算法。首先计算代表正常纹理的主邻域结构图;其次通过比较每个像素的邻域结构图与主邻域结构图的差异来定义该像素的显著性,进而得到显著图;最后采用迭代最优阈值分割方法对显著图进行分割得到疵点区域。试验证明,该算法操作简单、计算速度快、鲁棒性强,具有较强的自适应性。 相似文献
13.
利用光学传输矩阵法对3种基于均匀结构光子晶体的一维缺陷态光子晶体进行了比较研究.研究发现,对于每种结构,当缺陷介质层厚度变大时,缺陷模中心波长向长波区移动,且缺陷模式的带宽随之增加,当缺陷层介质厚度增加到一定数值时会出现多个缺陷模.对于缺陷层两侧为高折射率介质层的结构一和结构三,缺陷模波长与缺陷层厚度呈非线性比例增加关系;对于缺陷层两侧为低折射率介质层的结构二,缺陷模波长与缺陷层厚度呈线性比例增加关系.对于结构一和结构三,在特定的中间缺陷层厚度时光子禁带区内的缺陷模会消失,而对于结构二,禁带区域内始终存在缺陷模式. 相似文献
14.
栅氧短路故障对于集成电路的稳定性有着重要的影响,故障行为会在不产生逻辑错误的情况下导致参数失效。该文使用了一种电路级的故障模型模拟栅氧短路故障,研究了栅氧缺陷对与非门电路的影响,选取了适合于电流测试的测试矢量,对未发生逻辑错误的故障电路的动态电流进行分析。在实验中采用了TSMC 0.18μm CMOS工艺,仿真结果显示通过分析电源通路上的动态电流可以检测有潜隐性故障的器件。与电压测试方法相比,动态电流测试能更好地对栅氧短路缺陷进行诊断。 相似文献
15.
简要叙述了直拉硅中缺陷工程的研究进展.提出了采用中子辐照或掺杂技术,在硅中引入杂质缺陷,并通过其相互作用实现对硅中杂质和缺陷的控制与利用.此项研究是硅片缺陷工程的新内容. 相似文献
16.
陈应波 《武汉理工大学学报(材料科学英文版)》2003,18(1):65-68
1 IntroductionSteelfiberreinforcedconcrete (SFRC) ,anewtypeofcompositewithsatisfactorypropertiesandwideapplica tions ,isakindofreinforcedconcretewithnon directionalsteelfibersscattered .Recently ,theapplicationsofSFRChavepermeatedallfieldsofcivilengineering… 相似文献
17.
现有成品率及关键面积估计模型中。假定缺陷轮廓为圆。而70%的实际缺陷轮廓接近于椭圆.提出了椭圆缺陷轮廓的成品率模型,该模型与圆模型相比更具有一般性.而圆模型轮廓的成品率模型仅为新模型的特例.比较了新模型与真实缺陷及其圆模型引起的成品率损失。表明新模型在成品率估计方面更加精确. 相似文献
18.
基于缺陷分析来预测缺陷排除成本,有利于分析软件过程质量、平衡软件成本和控制开发进度。传统上,一般采用单个缺陷排除成本的平均值乘以缺陷数的方法,来预测缺陷排除总成本,这种方法忽略了不同类型的缺陷排除成本差异,导致较大的成本预测偏差。论文提供了另外一种成本预测方法:基于项目历史数据,拟制软件开发阶段不同缺陷类型的排除成本矩阵,来预测项目的缺陷排除成本。改进的成本预测方法能够较好地弥补传统方法的不足,可得到较为准确的缺陷预测数据。 相似文献
19.
结合第一性原理计算方法,利用最大局域化Wannier函数方法研究了纤锌矿AlN中反位和间隙点缺陷引起的电子结构变化及成键性质.研究发现:在N反位缺陷结构中,反位N原子只与[0001]方向上最近邻的N原子成键,未成键的孤对电子局域在反位N原子及其余最近邻的3个N原子附近;在Al反位缺陷中,反位Al原子与垂直于[0001]方向的底面上3个最近邻Al原子成键.研究同时发现:在反位和间隙缺陷中,N间隙对电子结构影响最小,间隙N原子与下方最近邻的3个Al原子成键;尽管Al间隙对电子结构影响最大,但间隙Al原子并不与周围原子成键.无疑,相比于传统的电子结构分析方法,最大局域化Wannier函数方法更加直观便捷,能给出清晰的物理图景. 相似文献
20.
基于特征提取的缺陷图像分类方法 总被引:2,自引:0,他引:2
针对缺陷图像表面复杂多变、特征不宜提取的特点, 提出了一种归一化转动惯量特征和不变矩特征相结合的时域分析方法来构建缺陷图像的统计特征量, 同时增加缺陷矩形框区域内压缩度、距离极值比和线度特征量作为缺陷分类的依据;提出了在缺陷频谱图像内提取特征量的频域分析方法, 并将矩形框区域内所有像素点灰度平均值和灰度方差值作为缺陷分类的另一重要依据;同时将BP神经网络应用于缺陷图像的自动分类中, 构建了系统的缺陷分类器, 并对现场采集的常见6种缺陷类型进行了实验.结果表明, 该特征提取方法在很大程度上提高了特征的分类有效性;该BP分类器识别率较高, 现场整体识别率达到90%以上, 在一定程度上解决了缺陷图像分类难的问题. 相似文献