TFT制造工艺的简化

随着TFT—LCD电视市场的需求，TFT—LCD基板尺寸不断扩大，使TFT制造工序简化已是迫在眉睫。一般TFT制造工序有5～8道光刻工艺，韩国LG菲利蒲公司于2000年开发了4道光刻TFT制造工序，并于2004年7月起该公司80％TFT生产线采用4道光刻技术。目前该公司正在开发3道光刻技术，而且三星公司也采用了4道光刻技术。4道光刻技术不仅简化了TFT制造工艺，降低制造成本，而且将成为TFT制造主导技术。     

TFT阵列工艺简化

三星电子成功开发了3套掩模版TFT阵列工艺技术。一般TFT阵列工艺采用5或4套掩模版技术制作TFT阵列，3套掩模版工艺与4套掩模版工艺相比较，缩短工序，降低生产成本，生产能力提高20％，将增强企业的竞争力。     

汽车TFT彩屏仪表开发技巧

本文基于飞思卡尔的MPC5606S芯片,介绍了MPC5606S针对TFT彩屏控制的显示器控制模块（DCU）,且对于TFT彩屏上的各种动画效果,进行逐一解析如何在MPC5606S上实现。简单易行的控制,展示出MPC5606S是一款针对TFT彩屏汽车仪表开发的专用芯片,能够迅速使得工程师从传统段码式/点阵式仪表的开发,过渡到TFT彩屏汽车仪表的开发,以满足汽车仪表市场对于TFT彩屏应用需求的日益增长。本文网络版地址：http：//www.eepw.com.cn/article/170166.htm     

三道光刻TFT制造技术

LG菲利蒲公司开发了三道光刻TFT制造技术，而现在的TFT制作普遍采用四～五道光刺技术。随着光刻技术的减化，不仅压缩了工艺流程，降低成本，而且提高生产能力减化工艺也是TFT企业竞争的主要手段之一，因而LG菲利蒲公司靠三道光刻工艺技术将提高TFT—LCD产品的竞争力。     

TFT制造工艺简化

三星电子公司开发了三次套刻工艺来制造TFT器件。一般TFT制造采用四次或五次套刻工艺来完成。采用三次套刻工艺后，比四次套刻工艺不仅提高生产能力20％，而且节省原材料、缩短生产节拍，将提高产量，提高竞争力。     

TFT LCD常见点缺陷的检测与修复

TFT—LCD在制程中会产生亮点、暗点、闪点、碎亮点等常见点缺陷。说明了检测点缺陷的装置、方法和过程。采用ITO隔离、激光炸射等方法对点缺陷进行修复或者淡化,其中ITO隔离法修复或淡化效果显著。修复成功率从45％提升到80％。     

TFT基板低功耗显示驱动方法研究

TFT的低功耗特性能够减少电子设备的能量消耗，从而达到节省能源、延长电池寿命、降低使用设备温度、提高显示质量的目的。因此，低功耗TFT在电子设备的设计和制造中具有十分重要的作用。TFT基板的结构有很多种类，通常可分为一般型、高温多晶硅型、低温多晶硅型、金属氧化物半导体型和柔性材料基板型。本文对现有的TFT基板显示器件的低功耗研究进行总结分析，主要包括两大方面：对TFT基板本身驱动进行优化；对TFT基板外设驱动进行优化。本文对两大方面的低功耗研究进行了综述，并对近年来国内外TFT低功耗方法研究进行详细介绍。根据所介绍的方法的特点与其尚未攻克的困境，对TFT基板显示设备低功耗驱动的未来发展进行了展望。     

中小型TFT—LCD市场

中小型TFT—LCD为25．4cm（10in）以下TFT—LCD屏。主要应用于手机、数码照相机、车载显示等。2005年中小型TFT—LCD产量比2004年增加56．3%，但价格降低一半。其市场预测如下：     

TFT制程中高厚度ITO残留因素的研究

氧化铟锡(ITO)是薄膜晶体管工艺中最常用的透明导电薄膜,随着OLED技术的发展,ITO作为透明阳极材料也被广泛应用。在高厚度(尤其是大于70nm)非晶ITO工艺过程中,由于多种因素的影响,很容易产生残留,发生残留后会严重影响产品质量和项目进度。本文通过多次实验测试,综合多种不同厚度,尤其是针对高厚度非晶ITO,分析了TFT制程中影响残留的多种因素,考察重点因素及影响规律,有效地修正工艺条件,为之后的项目和生产过程提供了很好的参考价值。     

TFT制程曝光色差研究

在TFT制程中,曝光工艺直接影响到薄膜的最终图案质量.为了分析与解决曝光色差问题,需对面板的点灯现象与制备工艺进行调查与研究.首先,通过扫描电子显微镜分析、错位曝光试验、数据分析等方法进行不良原因调查.同时,借助开源软件GIMP和Fiji进行图像处理得到面板灰度数据,对色差程度进行定量评价.然后,通过调整曝光设备照度均...     

新颖的TFT LCD制作工艺

日本三菱电气公司新近开发了 a-Si TFT 的新工艺,为实现高性能 TFT LCD 创造了条件。下面作一介绍。1.制作工艺(1)TFT 结构TFTs 具有反相交错结构,图1为a-Si TFT 的剖面图。TFT 的 W/L 比为12μm/12μm。TFT LCD 的象素节距是318μm(V)×106μm(H),开口率为60%。     

IGZO TFT与ZnO TFT的性能比较

分析比较了ZnO TFT与IGZO TFT的主要光电学特性以及阈值电压稳定性。结果表明:ZnO薄膜与IGZO薄膜在可见光波长范围内都有着较高的光学透过率;在同等制备条件下,IGZO TFT器件的场效应迁移率、开关电流比、阈值电压及亚阈值系数等方面的特性均明显好于ZnO TFT;二者都有着较低的泄漏电流,并且差别很小。另外,ZnO TFT在正负偏压下阈值电压都有漂移,而IGZO TFT在正偏压下阈值电压漂移比ZnO TFT的小且在负偏压下阈值电压没有漂移,由此可见IGZO TFT比ZnO TFT有着更好的稳定性。总之,IGZO薄膜比ZnO薄膜更适合作为下一代TFT的有源层材料。     

22cm反射式彩色TFT LCD

据报道，日本索尼公司采用低温多晶硅技术，开发了像素数为1024×384，反射率为30％，对比度为17：1的22cm反射式彩色TFTLCD。该器件具有4096显示色，响应速度为18ms，功耗为350mW。据说之所以能取得如此高的反射率和对比度，主要是采用了像素电极的凸凹结构。其次是尽量地提高色纯度．关键是解决相位差极与液晶材料复折射的大小问题，以减少波长分散的发生。该器件计划1999年一季度进行批量生产。22cm反射式彩色TFT LCD@孙再吉     

低温多晶硅TFT技术的发展

本文综述低温多晶硅（LTPS）TFT技术的最新进展情况。该技术目前的研究前沿是：（1）制作高性能的TFT；（2）在柔性衬底上制作LTPS TFT；（3）驱动有机发光器件的TFT；（4）LTPS TFT的新应用。同时还展望了LTPS TFT技术的未来发展趋势。     

用于VGA和超级VGA的TFT LCD

富士通有限公司开发的26cmVGA和28cm超级VGA显示器作品已在1995会计年度商品化。富士通在Yonago的子公司制造26cm和8cmTFTLCD，主要提供给母公司。第二条生产线将于1996年4月开始投产，预计每日产量为100000块板。在完成今年会计年度的大批量生产计划以后，这个子公司将向外公司出售LCD。第二条生产线的投资是：1995会计年度为280亿日元，1996会计年度为40～50亿日元。用于VGA和超级VGA的TFT LCD@曾小球     

基于自相关性和模版匹配的TFT缺陷电路重构算法

在TFT的制程中会造成许多不可避免的工艺缺陷,需要逐个判断其对TFT电路所造成的影响,这种缺陷检查方式需要大量人力且速度慢、精度低,因此,将人工识别替换成计算机自动化识别就显得尤为重要。自动识别中的一个关键部分就是将TFT电路进行定位。针对因缺陷颜色、形状、位置、大小不固定等原因导致现有图像处理算法无法准确定位出TFT电路位置的问题,本文提出基于自相关性和模版匹配的TFT电路图像重构算法。首先,对全自动光学检测(AOI)相机采集的缺陷图片进行区域提取,估算出偏角并校正图像;根据边缘图像的灰度垂直响应的自相关估计函数来估算电路的重复周期,再由周期灰度均值来确定一组的电路纵贯线位置,利用TFT电路周期特征重构出其余纵贯线;通过角模版匹配算法重构TFT电路硅岛部分。实验结果表明,本文提出的算法能够重构出被缺陷遮挡、图片模糊、电路缺失等情况下的电路,定位准确率达96%以上。基本满足TFT缺陷自动化识别中的电路定位要求。     

14．新材料TFT“比柔性显示器更精细、更明亮”

日本东京工业大学教授细野秀雄与日本科学技术振兴机构组成的一个联合研究项目，日前使用开关特性(Switching Behaviour)比非晶硅与有机半导体还要高10多倍的半导体材料，开发出了可弯曲的TFT。设想在业界正在广泛进行研究研发的可弯曲显示器领域，将其应用于开关像素的元件中。开关特性如若得到提高，就能将TFT设计得更小，     

TFT—LCD面板设备的投资动向及市场动向

1．设备投资的现状分析 对于将不同世代TFT—LCD面板进行混合投资的规模，可以使用的方法之一就是进行面积换算。总的来看，2007年的增产将遇到阻碍，目前的状况是：并不是2007年全部的投资计划没有到位，今后将会进一步增长。     

超薄型TFT—LCD

东芝-松下显示技术公司开发了笔记本电脑用超薄型TFT—LCD模块，其厚度为2．75mm，约是原来模块厚度的一半。采用LED背光和屏的减薄技术，28．2cm（11．1in）TFTLCD模块重量为146g。     

多家PCB厂跨入LED散热板

TFT LCDPCB雅新、竞国都已投入开发LED散热板领域。佳总在LED散热板下层采压合铝板制程。雅新成立光电事业部门，并运用既有的PCB基板技术、封装制程，研发自有的PCB表面粘装LED零件。竞国目前切入的LED背光源封装用PCB，采用较特殊的镀金线制程，目前先以应用于小尺寸面板背光源及手机数字相机闪光灯为主。