加密IC卡AT88SC102及其应用

加密ＩＣ卡ＡＴ８８ＳＣ１０２的访问受到密码，熔丝，该区读写属性位和该区擦除钥匙的保护，安全性较普通Ｅ＾２ＰＲＯＭＩＣ卡好许多，本文介绍其特点，工作原理及编程方法，并给出了一个ＡＴ８８ＳＣ１０２卡与ＭＣＳ－５１系列单片机接口的应用实例。     

数字信号处理器TMS320C25之等待电路设计

ＴＭＳ３２０Ｃ２５数字信号处理器是一种高性能的单片信号处理器。它不仅广泛应用于各种信号处理系统，也广泛应用于各种控制系统。由于ＴＭＳ３２０Ｃ２５信号处理器各方面的优越性，故采用它作为中央处理单元（ＣＰＵ）构成的系统越来越多。在用ＴＭＳ３２０Ｃ２５构成的系统中，为了使此高速ＣＰＵ能够与低速外围器件接口，系统中必须设置等待电路。等待电路是以ＴＭＳ３２０Ｃ２５为ＣＰＵ所构成的系统的基本配置。本文提出了一种有别于ＴＭＳ３２０Ｃ２５用户手册的等待电路的设计，并在实际中得到了应用。     

国外设备在SMT,THT生产线中所使用的接口标准

本文简要介绍了国外ＳＭＴ．ＴＨＴ生产线设备连接时采和的接口标准，并列举了国外ＳＭＴ．ＴＨＴ生产线上设备连接时所用的几个接口的电路，该文章对ＳＭＴ．ＴＨＴ生产线连接及配套厂家所应依据的接口标准对设备进行适当设计具有一定的指导作用。     

pH—ISFET器件及其电路的SPICE模拟方法

本文提出了用ＳＰＩＣＥ软件模拟ｐＨ－ＩＳＦＥＴ器件及其电路的方法。通过ＳＰＩＣＥ内部的ＭＯＳＦＥＴ参数和引入一些信号源来实现对ｐＨ－ＩＳＦＥＴ传感器及其电路的ｐＨ灵敏度关系，瞬态响应以及温度特性的模拟，所得结果与实验观测结果基本相符。     

Ku波段无耗型MESFET混频器单片电路研究

本文对无耗型ＭＥＳＦＥＴ漏极注入混频器电路工作原理进行了分析，在对这种混频器进行了ＣＡＤ研究中，提出了ＭＥＳＦＥＴ模型扩展技术，在此基础上，进行Ｋｕ波段无耗型ＭＥＳＦＥＴ混频器单片集成电路的设计与研制，混频器电路的测试结果与计算相符，性能达到，变频地益－２ｄＢ，噪声系数－７－８ｄＢ。     

低通滤波器结构的改进分析及模拟

在高频域，ＭＯＳＦＥＴ的分布参数对全集成ＭＯＳＦＥＴ－Ｃ滤波器的特性有很大影响，本文应用ＳＰＩＣＥ（Ⅱ）通用模拟电路程序，采用非理想运算放大器单极点电路模型，考虑到ＭＯＳＦＥＴ的寄生电容，对一个六阶切比雪夫低通滤波器全ＭＯＳＦＥＴ－Ｃ平衡结构应用传输线模型进行了仿真分析。     

自对准硅化物SOI／CMOS技术研究

在ＳＯＩ／ＣＭＯＳ电路制作中引入了自对准钴硅化物（ＳＡＬＩＣＩＤＥ）技术，研究了ＳＡＬＩＣＩＤＥ工艺对ＳＯＩ／ＭＯＳＦＥＴ单管特性和ＳＯＩ／ＣＭＯＳ电路速度性能的影响。实验表明，ＳＡＬＩＣＩＤＥ技术能有效地减小ＭＯＳＦＥＴ栅、源、漏电极的寄生接触电阻和薄层电阻，改善单管的输出特性，降低ＳＯＩ／ＣＭＯＳ环振电路门延迟时间，提高ＳＯＩ／ＣＭＯＳ电路的速度特性。     

自对准硅化物CMOS／SOI技术研究

在ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸＳＯＩ电路制作中引入了自对准钴（Ｃｏ）硅化物（ＳＡＬＩＣＩＤＥ）技术，研究了ＳＡＬＩＣＩＤＥ工艺对ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ单管特性和ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路速度性能的影响．实验表明，采用ＳＡＬＩＣＩＤＥ技术能有效地减小ＭＯＳＦＥＴ栅、源、漏电极的寄生接触电阻和方块电阻，改善单管的输出特性，降低ＣＭＯＳ／ＳＯＩ环振电路门延迟时间，提高ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的速度特性．     

封面介绍

封面介绍Ｓ、Ｃ波段相控阵Ｔ／Ｒ组件Ｓ、Ｃ波段相控阵Ｔ／Ｒ组件，采用ＭＭＩＣ芯片和小型化ＭＩＣ电路混合形式，运用微组装工艺制作而成。其中ＬＮＡ，ＳＰＤＴ等使用了５片ＭＭＩＣ芯片；限幅器、移相器等电路则采用二极管芯片组装完成。功率放大器输出级是大功率ＦＥ...     

X波段GaAsMESFET功率放大器的设计

给出了根据给定的电路拓扑结构和ＦＥＴ的Ｓ参数，借用Ｓｍｉｔｈ圆图设计思想进行放大器设计的机辅设计方法，并用该方法设计了Ｘ波段ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ功率放大器。实验调试结果表明运用该方法能很好地满足设计指标且简单有效。