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Si3N4薄膜淀积速率对MOS电容器存储时间影响很大。在850℃下,栅介质SiO2膜厚度100nm,MOS电容器存储时间420s。在50Pa真空压力下,通过淀积70nm厚Si2N4薄膜后,MOS电容器无存储时间。经900℃O2气氛退火40min,MOS电容器的存储时间也不到2s。采用声7孔径降低气体流速,从而降低淀积速率,在840℃下,栅介质SiO2膜厚度100nm,MOS电容器存储时间420s;在60.71Pa真空压力下,淀积70nm厚Si3N4薄膜后,MOS电容器存储时间曲线不正常,经900℃O2气氛退火40min,曲线恢复正常,MOS电容器存储时间达到400s以上。 相似文献
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刻划的富硅二氧化硅/p-Si结构的光致发光和电致发光 总被引:1,自引:1,他引:0
以磁控溅射方法于 p- Si上淀积富硅二氧化硅 ,形成富硅二氧化硅 /p- Si结构 ,用金刚刀在其正面刻划出方形网格后在 N2 气氛中退火 ,其光致发光 (PL)谱与未刻划的经同样条件退火的对比样品的 PL 谱有很大不同 .未刻划样品的 PL 谱只有一个峰 ,位于 840 nm (1.48e V) ,而刻划样品的 PL 谱是双峰结构 ,峰位分别位于 6 30 nm(1.97e V)和 840 nm.80 0℃退火的刻划富硅二氧化硅 /p- Si样品在背面蒸铝制成欧姆接触和正面蒸上半透明金电极后在正向偏压 10 V下的电致发光 (EL)强度约为同样制备的未经刻划样品在同样测试条件下的 EL 强度的 6倍 .EL 谱形状也有明 相似文献
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自从索尼在ECS2004上公布了Hi-MD的规格以后,全世界无数的MD发烧友都在期待着它的上市。不过,Hi-MD的上市日期计划是在6月份,为了弥补这个空档,索尼悄无声息地推出了最新的Net MD MZ-N920。在Hi-MD已经兵临城下的今天,N920担当起了传统Net MD最后的重任。 相似文献
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期待已久的诺基亚顶级DV手机N93今天终于到手了,当然逃不过被拆解的命运。这次拆解程度高达90%。在拆机之前让我们先了解一下N93的各项数据吧。N93分两个版本发售,一种是在国内销售的大陆版,代码是RM-153;另外一种是国外及中国香港销售的双模手机,支持WCDMA网络,代码是RM-55。这两个版本的区别在于: 相似文献
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从2004年N900开始,NEC一连推出了多款小巧可爱以“轻簿”为卖点的机型,与初期N900上市时8888元的高价策略不同,NEC此后的小巧机型都随行就市,上市价格并不高。今天介绍给大家的N6206,就是这样一款落入凡间的“小精灵”。[编者按] 相似文献
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诺基亚N70按键偏小,操作起来略感不便。如果有电脑在身旁的话,通过蓝牙或数据线把N70和电脑连接起来,N70上的很多操作就可以在电脑上完成。这样一来,省时省力。下面,笔者用图解的方式为大家介绍一下如何在电脑上修改N70名片夹。[编者按] 相似文献
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日本NEC公司生产的NC-840B型彩色摄象机,其灵敏度比普通CCD摄象机高约4000倍。它具有遥控功能,能在白天和夜间工作。不带透镜系统,售价350万日元(合35000美元)。为了增强灵敏度,该摄象机使用一种累积时间控制系统,将CCD的累积信号电荷结合到视频存储系统,使得该摄象机能在0.0051X的光照下摄录目标物,这一光强仅相当于一弯新月的光。NC-840B摄象机装备NEC公司自己生产的低噪声CCD和低噪声信号处理电路,分辨率达到700水平电视线。它能在强增益工作过程中消除噪声。其销售目标为每年300台.NC-840B灵敏型CCD彩色摄象… 相似文献
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论述了PLC在数控机床中的功能作用,指出西门子840D系统 PLC的特点;结合实例,阐述了利用 PLC状态信息和840D 数控系统故障的原因、检测方法,准确地判断西门子840D系统数控机床故障的方法。 相似文献
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