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相似文献
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1.
当前,传统陶瓷烧成温度普遍偏高,如何在传统陶瓷行业内尽快实现低温烧成,是陶瓷工作者和生产企业亟需解决的重要问题。本文综述了当前传统陶瓷行业降低烧成温度的常见技术措施,并结合多元相图和相关应用实例,探讨分析了多元组份体系在传统陶瓷行业中实现低温烧成的可行性,为传统陶瓷行业尽快实现低温烧成提供技术参考依据。  相似文献   

2.
低温烧结微波介质陶瓷的研究现状及展望   总被引:1,自引:0,他引:1  
舒新兴  饶平根  陈大博 《中国陶瓷》2005,41(1):43-45,48
微波介质陶瓷是现代通讯技术中关键基础材料,综述了低温烧结微波陶瓷的研究现状,介绍了几种重要的低温烧结微波陶瓷体系,指出了改善低温烧结的微波介质陶瓷性能的途径和预期进展.  相似文献   

3.
高介电常数微波介质材料是实现现代微波通信器件要求的微型化、集成化发展趋势的重要材料,针对多层结构设计的器件要求,需要微波介质陶瓷能与高电导率电极实现低温共烧。本文综述了近年来高介电常数微波介质陶瓷及其低温烧结研究的最新进展,指出进一步提高陶瓷的介电常数和研究新型低温烧结助剂是今后发展的趋势。  相似文献   

4.
陶瓷微波烧结技术研究进展   总被引:11,自引:0,他引:11  
林枞  许业文  徐政 《硅酸盐通报》2006,25(3):132-135
综述了近年来用微波方法烧结陶瓷在机理和应用上的进展,阐明了微波促进陶瓷体特别是在多元系统中烧结的原理,列举了近几年来微波烧结提高陶瓷性能的实例,指出了微波烧结陶瓷技术的发展前景.  相似文献   

5.
低温烧结工艺是目前陶瓷行业节约能源、降低燃耗、提高生产效率的有效途径,因此在低温条件下烧制陶瓷釉逐渐成为研究热点。为大幅度降低烧结温度,采用磷酸钠代替基础釉中的二氧化硅的方法,促使液相在低温形成,成功研制了烧成温度为890 ℃的基础釉。当磷酸钠质量分数达到33.25%时,基础釉的烧成温度降低了290 ℃。采用场发射扫描电镜分析了样品的表面和断口形貌,实验结果表明磷酸钠能够显著降低陶瓷釉的煅烧温度。通过在基础釉中加入显色剂,实现了在低温下制备红色陶瓷釉,并且烧成温度降低了350 ℃。实验结果表明,磷酸钠在低温陶瓷釉的制备过程中起到降低温度的重要作用。这些研究结果有助于彩色陶瓷釉的研制。  相似文献   

6.
传统方法制备微波介质陶瓷通常需要1 000℃以上高温,不仅工艺周期长、能量消耗高,而且难以实现多种材料体系的集成共烧。如今,无线通讯技术的不断革新和蓬勃发展对微波器件小型化、集成化提出了更高要求,低温共烧陶瓷/超低温共烧陶瓷技术被开发和广泛应用。研究烧结温度更低、烧结效率更高,且微波介电性能优异的节能环保型绿色制备工艺,已经成为全球范围内研究热点之一。液相烧结、热压烧结、微波烧结、放电等离子体烧结、闪烧等烧结工艺的提出促进了低温烧结微波介质陶瓷的发展。最近,又出现了一种新的超低温烧结工艺—冷烧结技术。冷烧结具有极低的烧结温度(一般≤300℃)、可在短时间内实现陶瓷高致密化,且在物相稳定性、复合共烧以及晶界控制等方面有着优势,为超低温烧结工艺以及微波介质材料体系的开发提供了新的契机。  相似文献   

7.
本文简要介绍了陶瓷低温烧结的四种基本途径;分析加入低融物实现低温烧结的可能性;提出瓷料低温烧结的五个基本条件。  相似文献   

8.
李悦彤  杨静 《硅酸盐通报》2011,30(6):1328-1332
本文评述了低温烧结助剂对氧化铝陶瓷烧结效果的影响及烧结助剂在氧化铝陶瓷低温烧结过程中的作用机理,并介绍了几种常用的复相烧结助剂体系及体系中各组分起到的作用,最后指出了目前采用的烧结助剂在进行低温烧结氧化铝陶瓷时存在的不足及需要解决的问题.  相似文献   

9.
低温烧结钛酸钡基陶瓷材料,有利于适应MLCC和LTCC的发展要求,并且降低能耗。本文综述了钛酸钡基陶瓷低温烧结方面的研究进展,包括各种低温烧结方法、机理和研究现状,着重介绍了助烧剂的作用机理,最后展望了钛酸钡基陶瓷低温烧结的发展趋势。  相似文献   

10.
利用低温共烧陶瓷(简称LTCC)技术设计制造片式多层微波器件已成为当今的研究热点。ZnO-TiO2系微波介质陶瓷具有介电常数适中、介电损耗低、频率温度系数可调和低温烧结等特点,它是具有开发价值的LTCC微波介质材料。实验结果表明:在ZnO-TiO2系统中加入微量的添加剂MgCO3与ZrO2,构成双元复合取代掺杂系统Zn1-xMgxTi1-xZrxO3,当x值取0.07时,最佳介电性能为:εr为29.4,Qf为4285GHz,τf为-8ppm/℃,且该微波介质陶瓷适合于水基流延成型和低温烧结,为LTCC微波介质陶瓷产业化打下了良好的基础。  相似文献   

11.
采用高能球磨法制备陶瓷,研究了0.75wt%V2O5和1.5wt%Li2CO3共掺杂对Mg4Nb2O9陶瓷的烧结性能和微波介电性能的影响。实验结果表明0.75wt%V2O5和1.5wt%Li2CO3共掺杂有助于Mg4Nb2O9陶瓷在烧结过程中形成液相,促进低温致密化烧结,进而降低陶瓷的烧结温度。900℃烧结Mg4Nb2O9陶瓷,结构致密、组织均匀,平均粒径0.75μm,εr=12.58,Q×f=5539 GHz。随烧结温度升高,晶粒长大,密度升高,εr和Q×f值增大。微波介电性能表征表明Mg4Nb2O9-0.75wt%V2O5-1.5wt%Li2CO3陶瓷在950℃下低温烧结,获得εr=13.07,Q×f=10858GHz的亚微米级陶瓷,其优良的微波介电性能使其有望成为新一代低温烧结低介高频微波介质基板材料。  相似文献   

12.
崔珊  王芬 《陶瓷》2010,(8):7-10
以自蔓延高温合成的AIN粉体为原料,Y2O3、Dy2O3、La2O3为添加剂,采用真空热压烧结工艺,实现了含有添加剂的AIN陶瓷体的低温烧结;研究了烧结温度对AIN烧结性能的影响。用XRD、SEM对AIN高压烧结体进行了表征。研究表明:粉体粒径、烧结工艺、烧结助剂对AIN陶瓷低温烧结真空热压烧结性能有很大影响;含烧结助剂的真空热压烧结能够有效降低AIN陶瓷的烧结温度并缩短烧结时间,使烧结体的结构致密。烧结温度1550℃条件下,真空热压烧结90min时,得到的AIN陶瓷的致密度最高。  相似文献   

13.
综述了Ln(B1/2Ti1/2)O3 (B=Mg, Zn, Co)型微波介质陶瓷的结构、低温烧结及改性研究现状. 少量烧结助剂可有效降低陶瓷的烧结温度,但有时会恶化品质因数(Q×f). 离子取代可显著提高Q×f值,对谐振频率温度系数(τf)无明显影响;而复合改性则可有效调节τf值至近0. 最后探讨了Ln(B1/2Ti1/2)O3型微波介质陶瓷研究中存在的问题和未来的发展趋势,简化和优化合成工艺、实现低温烧结和调节谐振频率温度系数、加强低温烧结、离子取代和复合改性的机理研究是未来重要的研究方向.  相似文献   

14.
中介电常数微波介质陶瓷是现代通讯技术中4GHz~8GHz频率范围内的关键基础材料,综述了低温烧结中介电常数微波陶瓷的研究现状,介绍了几种重要的低温烧结中介电常数微波陶瓷体系,指出了几种体系材料存在的问题以及努力的方向和预期进展.  相似文献   

15.
PMN—PZN—PFW—PZT多元系统压电电陶瓷低温烧结   总被引:2,自引:0,他引:2  
黄泳  黄亚锋 《中国陶瓷》2000,36(2):30-32
本文研究了PMN-PZN-PPW-PZT多元系统低温烧结压电陶瓷,并讨论了钙钛矿相的合成方法以及添加剂对压电陶瓷性能的影响。  相似文献   

16.
陶瓷低温烧结的研究及展望   总被引:11,自引:0,他引:11  
综述了实现陶瓷低温烧结的一些方法,包括粉体的制备、处理、成型及烧结工艺,并对其前景进行了展望.  相似文献   

17.
低温烧结钒和钨掺杂钛酸锌介电陶瓷的相转变   总被引:6,自引:1,他引:6  
采用化学法结合传统的氧化物固相烧结法制备钛酸锌陶瓷.研究了原料形态和掺杂V2O5和WO3对钛酸锌陶瓷相稳定性、显微组织以及低温烧结行为的影响,讨论了相转变机制和低温烧结机制.研究表明:以V2O5和WO3作为烧结助剂降低陶瓷的烧结温度,钛酸锌陶瓷的低温烧结行为对所选取的原料极为敏感,TiO2的活性对陶瓷低温烧结行为的影响大于ZnO.V2O5和WO3的掺入使钛酸锌陶瓷的烧结温度降至900℃以下,但同时降低了六方相ZnTiO3的分解温度;V2O5和WO3掺杂具有不同的烧结机制,前者主要是液相烧结机制,后者主要是固相反应烧结机制.掺杂导致的相分解和生成的异相降低了陶瓷的介电性能.  相似文献   

18.
gua一赛隆基陶瓷gn热辐射陶瓷涂层的研制及其性能的研究a历分散和双分散系统传导性的渗滤评定特点gn氧化铝的初始类型对低温烧结刚玉陶瓷性能的影响the经高速熔融物凝结法制得的.4O3-eq-YZq系粉末的烧结性与其初始热处理的关系a对氧化钙的烧结与性能610某些含eq超分散粉末的分散性与相组成611特种全陶瓷和金属陶瓷工作面不平滑度允许范围的计算612硅酸盐材料的结构缺陷与性能613冷等静压是一种制取高物理机械性能陶瓷制品的方法614在加热多元陶瓷粘合剂时氧化物相热力稳定性的研究615关于Mto-A12q-Siq系统中固相可逆化学反应机理问…  相似文献   

19.
采用两组复合烧结助剂Y2O3-CaF2,Y2O3-CaF2-Li2CO3在1600℃烧结AlN陶瓷,对AlN陶瓷烧结密度,热性能和电性能进行了测试,并分析了AlN陶瓷物相变化和微观结构。结果表明,复合烧结助剂在低温下能明显促进AlN陶瓷致密化及晶粒生长发育,尤其是添加3wt%Y2O3-2wt%CaF2作烧结助剂,1600℃常压烧结4h制备了结晶良好,相对密度为98.4%,热导率为133.62W/m.K,同时具有较低相对介电常数的AlN陶瓷。在低温常压条件下制备出性能较高的AlN陶瓷。  相似文献   

20.
本文研究了PMN -PZN -PFW -PZT多元系统低温烧结压电陶瓷 ,并讨论了钙钛矿相的合成方法以及添加剂对压电陶瓷性能的影响。  相似文献   

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