CPC—BF4^——PVC涂膜石墨电极示波电位滴定法测定硼

研制了一种能对ＢＦ４＾－响应的ＣＰＣ－ＢＦ４＾－－ＰＶＣ涂膜石墨电极。提出了一个快速测定硼的零电流示波电位滴定法。以氯化十六烷基吡啶（ＣＰＣ）为滴定剂,用涂膜石墨电极为指示电极,甘汞电极为参比电极。利用阴极射线示波器荧光屏上荧光点的突然位移来指示ＣＰＣ滴定硼的终点,具有灵敏、准确、快速等特点,用该法测定陶瓷中的硼,结果良好。     

流动注射计时电流法检测甲氧氯普胺

基于多壁碳纳米管修饰印刷碳电极对甲氧氯普胺的电催化作用,建立了测定甲氧氯普胺的流动注射计时电流法与印刷碳电极相比,多壁碳纳米管修饰印刷碳电极显著降低了甲氧氯普胺的氧化峰电位,提高了氧化峰电流．测定甲氧氯普胺的线性范围为8．04×10^-5-1．0×10^-3mol／L,检出限为5．0×10^-5mol／L（S/N=3）;1．0×10^-4mol／L的甲氧氯普胺测定的RSD为3．0％（n=9）．方法已成功应用于药片中甲氧氯普胺含量的测定．     

SO4^2—电化学传感器的研制与应用

以金属铅为基体电极，用电化学氧化手段修饰铅电极表面，制备了铅基ＰｂＳＯ４化学修饰的电极。实验表明，该修饰电极在选定条件下，对ＳＯ４＾２－离子有近似能斯特响应，是一种的ＳＯ４＾２－电化学传感器，并将该电极用于水泥试样中ＳＯ３的测定。     

对甲基苯酚在PLYS／TiO2—CS修饰电极匕的电化学行为

在含赖氨酸的磷酸盐缓冲溶液中,用循环伏安法在制备好的纳米二氧化钛-壳聚糖玻碳电极上聚合聚赖氨酸薄膜,采用循环伏安法和示差脉冲法研究对甲基苯酚在聚赖氨酸／二氧化钛-壳聚糖修饰电极上的电化学行为．实验结果表明：聚赖氨酸／二氧化钛-壳聚糖修饰电极对对甲基苯酚的氧化具有良好的电催化作用,对甲基苯酚的浓度在6．0×10^-6～1．0×10^-4mol／L范围内与峰电流呈良好的线性关系;检测限可达5．0×10^-7mol／L．该复合修饰电极可作为电化学传感器用于对甲基苯酚的含量测定及环境水体中实际样品的分析．     

C60—Nafion修饰电极测定双氯灭痛的研究

本文以Ｃ６０－Ｎａｆｉｏｎ修饰电极为工作电极，Ａｇ／ＡｇＣｌ电极为参考电极，用差分脉冲阳极溶出伏安法对双氯灭痛的伏安行为进行了研究，发现在酸性和中性介质中均能产生一尖锐的氧化峰，此峰可用于定量测定，也可以用于双氯灭痛药剂的测定。     

多巴胺在聚牛磺酸膜上的伏安行为及选择测定

在含牛磺酸的磷酸盐缓冲溶液中,用循环伏安法在玻碳电极上制备聚牛磺酸薄膜。采用循环伏安法研究多巴胺（DA）和抗坏血酸（AA）在聚牛磺酸膜修饰电极上的电化学行为。实验结果表明聚牛磺酸膜修饰电极对DA的氧化具有良好的电催化作用和选择性,DA与AA氧化峰电位差达220mV,对DA的电流响应灵敏度高出AA近十倍。在5×10^-6～1×10^-4mol／L范围内,DA的浓度与峰电流呈良好的线性关系,相关系数为0．9983,检测限为1．0×10^-6mol／L．该修饰电极能在AA共存时选择测定DA。     

单壁碳纳米管（SWCNT）修饰电极循环伏安法测定水样中的苯酚

采用循环伏安法研究了苯酚在单壁碳纳米管（SWCNT）修饰电极上的电化学行为。结果表明：在pH=6.0的HAc-NaAc缓冲溶液中,扫描速度为100 mV/s时,苯酚的氧化峰电流值（ipa）与其浓度在2.5×10^-7～5.0×10^-4mol·L^-1范围内呈良好的线性关系,回归方程为ipa（mA）=1.098c-3.04×10^-3（R=0.9988,c：mmol·L^-1）,检出限为8.0×10-8mol·L^-1（RSN=3）。将该修饰电极应用于水样中苯酚的分析测定,回收率为96.7%～105%,结果令人满意。     

Pb—Pb3（PO4）2化学修饰电极响应机理的探讨

初步探讨了Ｐｂ－Ｐｂ３（ＰＯ４）２化学修饰电极的响应机理，提出了该修饰电极在溶液中的界面模型，说明了该修饰电极电位的产生。     

lCP—AES法测定仲钨酸铵中微量硼

为了解决高纯仲钨酸铵中杂质元素硼的测定问题，采用ＩＣＰ－ＡＥＳ测定方法，对测定中基体效应及光谱干扰进行了研究，考察了酸度、蒸干程度、放置时间等因素对钨的沉淀程度及硼的回收率的影响；此外，将基体分离与干扰系数校正法相结合，建立了简便、快速、准确测定高纯仲钨酸铵中微量硼的新方法。结果表明：用该法测定硼的回收率大于９５．８％，测定仲钨酸铵中０．０００x％～０．００x％硼的相对标准偏差小于３％，其准确度及精     

电化学聚合N,N-二甲基苯胺修饰电极测定铅的研究

用电化学聚合的方法制备了聚N,N-二甲基苯胺高分子膜修饰玻碳电极。在碘离子存在的情况下,溶液中的Pb^2＋与I^-形成的络合阴离子,由于静电吸附作用被富集到带正电荷的修饰电极表面,然后用线性扫描伏安法进行测定。实验优化了各种参数（如富集底液、富集时间等）,并考察了其他金属离子对铅的测定的影响。在最佳实验条件下,铅离子浓度在5×10^-7-5×10^-5mol／L的范围内与氧化峰电流呈线性关系,最低检出限为5×10^-7mol／L。将该方法应用于实际水样的测定,结果满意。     

聚硫堇/纳米金修饰电极对NO2-的电催化氧化及分析应用

研究了一种基于聚硫堇/纳米金复合材料修饰电极对NO2-的电催化氧化。相对于裸玻碳电极,聚硫堇-纳米金协同催化效应使NO2-的氧化电流增强,过电位降低。详细讨论了聚合膜的厚度、纳米金吸附时间、pH缓冲介质、pH值以及干扰离子对NO2-氧化电流的影响。在最优实验条件下,测得NO2-的线性范围为3.0×10^-6～1.0×10^-3 mol/L,检测限为1.0×10^-6 mol/L。该修饰电极具有灵敏度高、稳定性和重现性好、抗干扰能力强的特点,可用于实际样品中NO2-含量的测定,结果满意。     

电位滴定法测定异辛酸钴中钴含量

本文提出了用电位滴定法快速测定钴的新方法。以钴标准溶液为滴定剂,用铂电极为指示电极,甘汞电极为参比电极,利用电位的突变来指示终点。具有灵敏、准确、快速等特点。用该法测定异辛酸钴中的钴含量,效果良好。     

电化学分析在环境监测中的应用研究（Ⅰ）示波极谱—Oxine滴定法测定工业废水中S^2—含量

研究了在HAc-NaAc-KCl介质（pH=5.5)中用Cu^2 离子沉淀Ｓ^2-离子,过量的Ｃu^2 离子用标准８－羟基喹啉溶液返滴,并以８－羟基喹啉在微铂电极交流示波极谱图上出现的敏锐切口指示滴定终点,废水的色度和浊度均不影响测定,试样勿需预蒸馏、分离吸收等繁杂的操作手续。方法简便、快速、准确,标准偏差小于０.050,变异系数小于０.60%,回收率为９８－１０２％。     

云母铁珠光颜料制备过程中铵的测定

实验选用氨气敏电极测定溶液中的铵离子，考察了影响氨气敏电极在尿素中和法制备云母铁珠光颜料过程中测定铵的各种因素：pH值、线性范围、最低检出限、响应时间、干扰物质等．通过大量的实验得出，pH值应控制在12左右，线性范围为l0^-5-10^-1mol/L；当铵离子浓度在10^-6～l0^-5mol／L时，采用两点定位法，可扩大其最低检出限到l0^-5mol／L．     

非配偶型铂电极上镓的零电流示波电位滴定法的研究

研究了在非配偶型铂电极上镓的零电流示波电位滴定。以ＥＤＴＡ为滴定剂，用两电极为指示电极，利用阴极射线示波顺荧光屏上荧光点显著位移指示ＥＤＴＡ滴定Ｇａ（Ⅲ）的终点，具有准确、灵敏、快速等特点，用于含镓矿样中镓的测定，结果令人满意。     

抗坏血酸在L-半胱氨酸自组装膜修饰电极上的电化学特性

制备L -半胱氨酸自组装膜修饰金电极,并研究抗坏血酸在修饰电极上的电化学行为,同时建立了利用修饰电极催化作用快速测定抗坏血酸的方法.在含有抗坏血酸的0.1mol/L HAc-NaAc(pH＝4.0)缓冲溶液底液中,在-0.20～0.60V(vs,SCE)电压范围内,用修饰电极作为工作电极进行循环伏安扫描,抗坏血酸分别在峰电位Epa=0.264V,Epc=0.199V(vs.SCE)处产生灵敏的催化氧化还原峰.修饰电极对抗坏血酸的催化氧化峰与抗坏血酸的浓度在4.0×10-7～7.0×10-4mol/L范围内呈良好的线性关系.用该方法测定抗坏血酸检出限可达1.0×10-7mol/L.利用该方法测定维生素C丸中的抗坏血酸含量,结果令人满意.     

钛基二氧化铅电极的制备及在电合成4—吡啶甲酸中的应用

钛基二氧化铅电极（Ti/PbO2)具有较好的耐腐蚀性和导电性，析氧过电位高且硬度大，是一种理想的不溶性阳极材料，该电极由半导体中间层和电沉积的二氧化铅组成，经过实验获得了最佳的电极制备参数，中间层Sb2O3的质量分数为15％－25％，电沉积液中的添加剂NaF可使PbO2镀层致密，浓度为0．4mg/L,pH值为1－2，电流密度为50mA/cm^2，将该钛基二氧化铅电极应用到电解氧化4－甲基吡啶合成4－吡啶甲酸的实验中，以反应的转化率，电流效率和电极的腐蚀速度为依据，考察了电极的活性，镀层的质量和电极寿命，并通过极化曲线评价了电极的导电性及X－衍射光谱表征了二氧化铅的晶型为β-PbO2。     

电位滴定法测定锡基合金中的铅

报告了用铅离子选择性电极为指示电极，电位滴定法测定锡基合金中铅的新方法，在测定体系中加入过量的EDTA标准溶液络合铅，再用Pb(NO3)2标准溶液滴定过量的EDTA，电位实跃明显，方法简便、快速，结果准确可靠，加标回收率达99.95%-100.02%。     

有序介孔碳修饰电极的制备及电化学检测赛庚啶

利用有序介孔碳具有巨大的比表面积、均一可调的介孔孔径以及良好的稳定性和导电性等优良性能,制备有序介孔碳修饰电极,并研究盐酸赛庚啶在有序介孔碳修饰电极上的电化学行为及其测定方法.采用滴涂法制备的有序介孔碳修饰玻碳电极作为工作电极,用循环伏安法测定盐酸赛庚啶.优化后的试验条件为:pH=6.0的磷酸盐缓冲液,分散液的修饰量为4μL,扫描速率为0.19 V/s.在优化条件下,盐酸赛庚啶的浓度在4.0×10~(-6)～1.0×10~(-4)mol/L内与对应的峰电流呈线性关系,检出限为1.2×10~(-6)mol/L.修饰电极用于盐酸赛庚啶片中盐酸赛庚啶的测定,回收率为98.9%～100.5%.实验结果表明:有序介孔碳修饰玻碳电极对盐酸赛庚啶有较好的电催化活性,与玻碳电极相比电流响应增强;该修饰电极易再生,稳定性和重现性较好,易操作、灵敏高;有序介孔碳修饰电极循环伏安法是一种简单快速检测赛庚啶的方法.     

磺胺甲基异恶唑在Nafion修饰玻碳电极上的伏安测定

本文用循环伏安法、差分脉冲溶出伏安法研究了磺胺甲基异恶唑（ＳＭＺ）在Ｎａｆｉｏｎ修饰玻碳电极上的伏安特性，并且测定了复方新诺明片剂中ＳＭＺ的含量发现在０．０２ｍｏｌ／Ｌ ＨＣｌ底液中，ＳＭＺ在＋１．０５Ｖ（ｖｓ．Ａｇ／ＡｇＣｌ）处产生一灵敏而尖锐的氧化峰，峰电流在１×１０＾－６－４×１０＾－４ｍｏｌ／Ｌ范围内呈现良好的线性关系。其检测限为５×１０＾－８ｍｏｌ／Ｌ．Ｎａｆｉｏｎ修饰电极比未修饰的玻碳