中芯国际启动32nm工艺技术开发已获批准

中芯国际集成电路制造（SMIC）将从2009年1月正式启动32nm工艺技术的开发。开发得以启动的原因是美国政府批准向SMIC提供32nm工艺技术。在得到美国政府许可后，SMIC将在该公司拥有尖端技术的全部工厂启动32nm逻辑工艺的开发。并且，该公司还有可能从2009年1月开始，利用SMIC在武汉的300mm晶圆生产线，启动32nm工艺闪存的研究开发。SMIC在此前已经与美国Spansion就探讨制造32nm工艺的闪存达成了协议。     

英特尔完成下一代32nm工艺过程开发工作

英特尔公司完成了下一代制造工艺的开发工作，进一步把芯片电路缩小至32nm。英特尔计划将于2009年第四季度推出基于高能效．更密集的晶体管的产品。     

Spansion与XMC半导体宣布开展32nm闪存合作

日前,Spansion公司与武汉新芯(XMC)共同宣布,双方将进一步扩大合作,开发与生产Spansion誖32nmNOR闪存。XMC根据Spansion现有在300mm工艺授权生产65nm和45nm的闪存基础上,双方将进一步扩大业已成功的合作。基于Spansion的32nmMirrorBit电荷捕获技术,由XMC生产的并行和串行NOR产品将在2015年正式面世。近期,Spansion还推出了业界首个采用45nm技术的8GbNOR闪存,在     

193 nm ArF浸没式光刻技术PK EUV光刻技术

2006年11月英特尔决定采用193nm ArF浸没式光刻技术研发32nm工艺。2007年2月IBM决定在22nm节点上抛弃EUV光刻技术,采用193nm ArF浸没式光刻技术。对于32nm/22nm工艺,193nm ArF浸没式光刻技术优于EUV光刻技术,并将成为主流光刻技术。     

NEC开发32nm逻辑LSI多层布线技术

NEC和NEC电子开发出了面向32nm工艺逻辑LSI的多层布线技术，布线间隔为100nm。通过改变low-k膜的成膜方法，达到了32nm工艺LSI所需的性能，同时解决了绝缘耐久性过低的问题。     

32 nm工艺及其设备

2007年9月英特尔推出全球首款32nm SRAM,2007年11月IBM推出32nm SRAM;2007年12月台积电推出32nm测试芯片。业界认为,2009年下半年量产32nm芯片。32nm芯片将采用193浸没式光刻与双重图形,高k电介质/金属栅极,超低k电介质,高kSOI等技术。为了使双重图形技术用于32nm节点,ITRS2006修正版提出了具体的要求。2007年ASML推出XT:1900I,2008年尼康推出NSR-S611C,以用于32nm光刻工艺。     

联电试制采用high-k金属栅极的45nm工艺SRAM

台湾联华电子采用high—k栅极绝缘膜和金属栅极技术,试制出45nm工艺的SRAM,至此,实现32／28nm工艺用high—k／金属栅极技术的第一阶段已完成。该公司2008年10月试制出了28nm工艺的SRAM,加上此次的成果,预计2010年能够开发32／28nm工艺技术。     

荷兰设备商Mapper获欧盟350万欧元资助 开发无掩膜光刻技术

<正>EE Times日前报道:IBM、Rohm&Haas电子材料部日前签署了一项共同开发协议,针对目前光刻技术的主要问题,为32nm及以下节点设计开发新型抗反射材料。双方计划开发全新248nm和193nm波长材料,包括底部抗反射涂层(BARC)和顶端抗发射涂层(TARC)。"我们没有开发全新光阻材料,但关注于BARC和TARC。"Rohm&Haas发言人表示,"我们也并非单纯关注于248nm,而是关注于制作193nm和248nm注入层的抗反射材料。"     

英飞凌与英特尔合作开发高密度SIM卡解决方案

英飞凌公司日前宣布与英特尔公司开展战略技术合作，开发面向高密度（HD）SIM卡优化的芯片解决方案。根据合作协议，英飞凌将利用英特尔提供的4MB至64MB存储器打造模块化芯片解决方案。英飞凌将利用在安全硬件方面的突出技术专长，开发基于现有SLE88系列的32位安全微控制器，以应用于HDSIM卡。英特尔将提供领先的闪存技术、功能和制造工艺。     

业界快讯

<正>NEC开发32nm逻辑LSI多层布线技术NEC和NEC电子开发出了面向32nm工艺逻辑LSI的多层布线技术,布线间隔为100nm。通过改变low-k膜的成膜方     

松下与瑞萨确立32nm晶体管技术量产应用目标将用于便携产品及数字家电用系统LSl

松下与瑞萨科技日前宣布,在两公司共同推进的32nm系统LSI用半导体工艺技术开发方面,确立了32nm晶体管技术等的量产应用目标。两公司计划将该技术应用于便携产品及数字家电用系统LSI。此次,两公司开发的是具有高介电率（high—k）栅极绝缘膜及金属栅极堆栈结构的晶体管技术以及采用超低介电率（low—k）材料的布线技术。     

特许半导体透露40nm、32nm和28nm制程进展

为了在代工市场上获得更领先的地位,新加坡特许（Chartered）半导体透露了公司的全新发展路图,其中包括可能于明年开发出28nm制程。特许已公开发布了45nm制程,目前已推向市场,现正在悄悄开发40hm半节点制程。据特许副总裁WalterNg介绍,特许目标在2008年内投产40nm制程产品。他同时透露了32nm制程将于2009年推出,但Ng拒绝对28nm技术进行详细介绍。     

SST与TSMC合作90nm闪存技术

闪存厂商超捷（SST）和台积电公司（TSMC）已达成了一项新的技术开发和授权协议，以推出首项可授权90nm嵌入式闪存技术。根据该协议，TSMC将授权SST的新一代90nm超快闪（SuperFlosh）技术作为TSMC嵌入式闪存记忆技术组合的一部分。     

ARM,特许半导体,IBM及三星联手打造高效能32nm和28nm片上系统

<正>IBM、特许半导体制造有限公司、三星电子有限公司以及ARM公司日前宣布:他们将在high-kmetal-gate(HKMG)技术的基础上开发一个完整的32nm和28nm的片上系统(SoC)设计平台。HK-MG技术是由IBM领导的联合开发团队所开发。在这一将历时数年的合作中,ARM将为IBM、特许半导体和三星的CommonPlatform技术联盟开发和授权一个包括逻辑、存储和接口产品在内的物理IP设计平台,用于他们向客户销售的产品。ARM同时宣布:     

ARM和TSMC签署65nm和45nm技术的物理IP长期协议

近天，ARM公司和中国台湾积体电路制造股份有限公司（TSMC）签署协议把公司的长期合作关系扩展至开发一套全新的ARM Advantage^TM产品，该产品是Artisan物理IP系列产品的一部分，用来支持TSMC的65nm和45nm工艺。通过该协议，用户可以从ARM Access Library Program获得针对TSMC先进技术的ARM Advantage产品。     

ARM和TSMC签署65nm和45nm技术的物理IP长期协议

日前，ARM公司和台湾积体电路制造股份有限公司（TSMC）签署协议把公司的长期合作关系扩展至开发一套全新的ARM^R Advantage^TM产品，该产品是Artisan^R物理坤系列产品的一部分，用来支持TSMC的65nm和45nm工艺。通过该协议，用户可以从ARM Access Library Program获得针对TSMC先进技术的ARM Advantage产品。     

ARM和GLOBALFOUNDRIES联手研发20nm移动芯片

ARM和GLOBALFOUNDRIES日前宣布,双方将联手研发20nm工艺节点和FinFET技术。ARM之前和台积电进行了紧密合作,在最近发布了若干使用台积电28nm工艺节点制作的硬宏处理器。但ARM日前又和GLOBALFOUNDRIES签订了合作协议,旨在为后者即将推出的、使用FinFET技术的20nm工艺节点开发SoC优化设计。     

工艺极限将是半间距32nm吗?

许多有关人士在议论,基于现有技术,工艺的发展可能会在目前开发的45nm工艺的下下一代到达极限。即工艺节点为22nm,半间距(布线宽度和布线间距之和的1/2,大致为工艺节点的1/0.7)为32nm的工艺,预计它将在2015年左右投入实用。     

Spansion扩展与台积电合作

闪存解决方案供应商Spansion公司日前宣布扩充与代工厂台积电签署的代工，增加采用φ300mm晶圆的90nm MirrorBit技术。两家公司同意，在现有服务协议基础上，即为Spansion的110nm技术提供代工生产，增加了90nm的生产能力。台积电从2006年第二季度开始生产采用110nm技术的闪存晶圆。90nm技术的目标量产时间为2007年下半年。     

英飞凌与TSMC携手开发汽车和芯片卡应用所需的65nm嵌入式闪存工艺

英飞凌科技与台湾积体电路制造股份有限公司共同宣布．双方将在研发和生产领域扩大合作，携手开发面向下一代汽车。芯片卡和安全应用的65nm嵌入式闪存（eFlash）制造工艺。根据该项协议，英飞凌与台积电将携手开发65nm工艺技术，用于生产符合汽车行业严格的质量要求及芯片卡和安全行业苛刻的安全要求的嵌入式闪存微控制器（MCU）。