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相似文献
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1.
从热疲劳故障的角度论述了倒装芯片底部填充的必要性,介绍了倒装芯片底部填充的参数控制。通过正确的底部填充,可提高倒装芯片组装的成品率和可靠性。  相似文献   

2.
如BGA、CSP等倒装芯片的SMT应用越来越普遍,底部填充胶水可以有效提高倒装芯片焊点的机械强度,以避免因热循环应力疲劳或机械冲击力而产生的失效。本文详细描述了底部填充技术的SMT应用细节,包括底部填充胶水介绍、PCB DFM设计、涂胶前准备、涂胶过程和注意事项、涂胶设备介绍等。  相似文献   

3.
底部填充包封材料起初应用于提高早期氧化铝(Al2O3)基材的倒装芯片的可靠性。在芯片最外围的焊点易疲劳而导致芯片功能失效.相对较小的硅片和基材间的热膨胀差异是芯片在经受热循环时产生这种问题的根源.这样,热循环的温度范围及循环的次数就决定了芯片的使用寿命.在芯片和基板间填充可固化的包封材料,可以很好地把热膨胀差异带来的集中于焊点周围的应力分散到整个芯片所覆盖的范围。 随着引入环氧材料作为倒装芯片的基材,底部填充材料的研发大大地加快了。为了延缓焊点的应力疲劳,较大的基材和芯片硅片材料间的热膨胀差异使得底部填充剂的应用成为必然.而在底部填充材料和芯片接合界面的分层及底部填充剂中的空洞是触发许多芯片产生问题的根本原因之一。本篇将要讨论的是减少底部填充剂中的空洞的一些方法.[编者按]  相似文献   

4.
有机基板上的倒装芯片一般采用底部填充技术以提高其封装的可靠性.有缺陷的芯片在倒装后难以进行返工替换,使得倒装芯片技术成本提高,限制了此技术的应用.提出新型可修复底部填充材料的开发成为解决这一问题的有效途径.介绍了倒装芯片的可修复底部填充技术和可应用于可修复底部填充材料的技术要求,并综述了国内外对于可修复底部填充材料的研究现状.  相似文献   

5.
底层填充密封剂是开发用于封闭倒装芯片IC的。一般来说,这类密封剂都是含有硅的环氧树脂,在毛细作用下,其在芯片的底部会出现芯吸的现象。经固化后,密封剂就会使焊点具有机械强度。倒装芯片的热膨胀系数(CTE)要比其组装基板的热膨胀系数低。在热循环过程中,这种CTE不匹配会导致倒装芯片和印板移动,以及焊点机械疲劳。循环疲劳最终会以IC故障而告终。  相似文献   

6.
近年来随着电子产品的小型化发展,窄节距倒装芯片互连已经成为研究热点。传统的倒装芯片组装后底部填充技术(例如底部毛细填充)在用于窄节距互连时易产生孔洞,导致可靠性降低,因此产业界开发了面向窄节距倒装芯片互连的预成型底部填充技术,主要包括非流动底部填充和圆片级底部填充。介绍了这类新型底部填充技术的具体工艺及材料需求,并提出了目前其在大规模量产以及未来更窄节距应用中存在的问题及挑战,总结了目前产业界在提高量产生产效率、提升电互连的可靠性以及开发纳米级高热导率填料等方面提出的解决方案,分析了该技术未来的发展方向。  相似文献   

7.
对倒装芯片不流动底部填充胶进行压迫流动填充,底部填料会对倒装芯片产生流体静态压力,阻碍芯片向下放置。根据牛顿流体挤压流动的静态近似分析估算出底部填料对芯片的作用力,分别计算在两种不同工艺条件下放置压力达到最大时,两种不同规格芯片与基板的间隔距离,比较与芯片凸点高度,然后计算使芯片凸点与基板键合区实现接触所需放置压力的最小保持时间,从正反两个方面讨论关键参数等对倒装芯片工艺设计影响。  相似文献   

8.
新的底部填充方法采用了喷射技术,它使得采用更多的倒装晶片级高密封装成为了可能。与传统的针筒式施胶方法相比,喷射型底部填料与其他半导体封装流体一样,是粘合剂应用方法的一个替代典范。在过去,经常依靠各种各样的泵来输送流体,他们的共同点都是把流体从针管挤压出来。喷射式方法放弃了针管,从而解决了与针管相关的所有问题,并开创了新的应用粘结剂的技术方法。同时,如果封装设计者乐于考虑不同的封装设计方法,他们可以参考关于大型芯片底部填充的新理念一如果需要的话可以采用零宽度边角。本论文将讨论关于喷射式毛细管作用底部填充方法和无流动底部填充方法的理论和过程,它是一项新的最小化填充时间的大型芯片底部填充方法,本论文还将回顾底部填充的基本原理。  相似文献   

9.
对于具有球形焊点且呈正三角形排列的倒装芯片,由于其待填充的空隙结构复杂,难以通过平均毛细压来建立底部填充的解析模型.因此通过能量变化来分析底部填充过程以避免平均毛细压的计算.首先分析了底部填充过程中表面能的变化、动能的变化和流道壁面对流动的阻力损耗;然后根据能量守恒定律得到了反映底部填充过程的新解析模型;最后用计算流体力学(CFD)软件对底部填充过程进行了三维数值模拟,以此验证了基于能量法的新解析模型.能量法更具有通用性,可用于研究焊点形状和排列方式复杂的倒装芯片底部填充过程.  相似文献   

10.
底部填充工艺探讨   总被引:1,自引:0,他引:1  
底部填充工艺是倒装芯片封装过程中的一个必不可少而且很关键的组成部分,底部填充工艺的成败将直接影响到封装的可靠性。本文针对底部填充工艺中需考虑的多个方面,如分配模式、胶水体积计算、硬件选择等,阐述如何改进工艺,增强底部填充的自动生产的能力。  相似文献   

11.
随着封装工艺的不断发展,芯片I/O数越来越多,高密度芯片封装必须采用倒装焊的形式。底部填充作为芯片倒装焊封装后的加固工艺,填充胶与倒装焊使用的助焊剂的兼容性对于研究倒装焊电路的长期可靠性至关重要。分析了底部填充胶与助焊剂的兼容性,以及助焊剂的残留对底部填充胶加固效果的影响。若助焊剂清洗不干净,会导致底部填充胶的粘接力下降,影响器件的质量。  相似文献   

12.
在BGA、CSP以及倒装芯片表面贴装过程中,此类器件的液态底部填充过程非常重要,液态点胶的最新技术值得加以关注。  相似文献   

13.
业界对信号完整性和电学性能提出了越来越高的要求,因而开始向更薄基板的方向发展,Amkor Technology Inc.开发出一种使用模塑底部填充(MUF)而非毛细底部填充(CUF)的倒装芯片模塑球栅阵列(FCMBGA)封装技术,使得无源器件与倒装芯片的间距更小,同时还提供了更优的薄芯基板变形控制,并可以获得更好的焊料连接可靠性。  相似文献   

14.
面对面芯片叠加使一颗芯片置于另一颗芯片的倒装凸块阵列中,从而极大减小了封装厚度。POSSUMTM封装是指两颗或多颗芯片用面对面的方式叠加,其中较小的芯片置于较大芯片上没有互联倒装凸块的区域。较小的芯片在薄化后通过铜柱微块组装到较大的芯片上。因此,薄化了的较小芯片和它的铜柱微块的总体高度就比其附着的较大芯片的倒装凸块经回流后的高度要低很多。一旦组装完毕,较小芯片就被有效地夹在上面的较大芯片和下面的基板中,同时被一环或多环倒装锡凸块包围。底部填充剂的使用同时保证了铜柱和无铅锡凸块在测试和使用中的可靠性要求。因为信号在两颗芯片的表面运行,所以互连线极短,可以实现近距离信号匹配,和小电感的信号传输。这种面对面芯片叠加方式保证了很好的芯片间信号传输的完整性,是穿硅孔(TSV)封装技术的低成本的有效替代。  相似文献   

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20 0 10 2 0 1 倒装片的可返修的底部填充工艺—HarryHinchcliffe ,DarrylSmall.ElectronicPackaging&Produc tion ,2 0 0 0 ,4 0 ( 11) :52~ 59(英文 )底部填充工艺对倒装片组件可靠性是必不可少的 ,同时它也可提高BGA和CSP的使用寿命 ,但是由于底部填充胶粘剂的不可返修性使它的应用受到了限制。现在可返修的底部填充材料已开发成功 ,正在应用于板级倒装片组装的生产中。新开发的底部填充材料将缩短返修时间 ,改善组件的热性能。本文从倒装片底部填充工艺、CSP底部…  相似文献   

16.
倒装片,系统级芯片,可编程逻辑器件,电子设计自动化,专用集成电路,数字信号处理等等技术是1999年中国电子界的技术热点。本文就倒装片和底部填充材料的现状与趋向作一介绍。1.倒装片倒装片(FlipChip)是在60年代发明的,是表面安装技术(SMT)最早使用的半导体封装片,也是最早...  相似文献   

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当操作CSP器件不小心掉片时,应力会使CSP焊点破裂或至少引起开裂,这将导致以后的失效。采用底部填充工艺将CSP粘接到基板,有助于分散这一应力,不像倒装片,底部填充的目的是改善热性能,CSP的目的是提高抗冲击和抗震动能力,目前底部填充工艺有多种方法,但怎样才能使成本最低,周期最短,操作最方便呢,本文从底部填充点涂技术, 流出量涌塞,双路点涂、温度控制等方面详细介绍了CSP底部填充工艺。  相似文献   

18.
东丽宣布开发出了用于以智能手机等便携式电子产品为中心广泛采用的倒装芯片封装和三维封装的薄膜,将于2011年1月正式销售。上述用途过去采用的是底部填充树脂。此次的薄膜与底部填充树脂相比,具有可支持10μm以下的狭缝、能够简化封装工艺和降低成本等优点。该公司表示,将把使用此次薄膜的  相似文献   

19.
简要介绍了主要倒装焊技术,重点研究了实用性强、可行性好的超声热压倒装焊、导电环氧粘接倒装、ACA粘接倒装以及MCM—C基板上的芯片倒装焊区制作、倒装后芯片的下填充等工艺技术,总结了芯片倒装互连质量的主要检验要求。  相似文献   

20.
倒装芯片助焊剂NC-510是一种专为保持锡球形状而设计的无卤、免清洗、晶圆级芯片尺寸封装助焊剂。这种助焊剂可提供一致的可焊性,与各种底部填充剂兼容,并具有均匀的可印刷能力。迄今有两种使用焊料完成的晶圆植球标准工艺,它们分别是:焊膏印刷和焊料电镀。这两种工艺具有多种局限,从而催生了第三种更加灵活的方法。新方法包括助焊剂印刷(通常为模板印刷或丝网印刷)和焊球贴装两个阶段。  相似文献   

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