世界最小型1兆位DRAM

三菱电机公司研制成功世界最小的1兆位DRAM(动态随机存取存储器)已投放市场。该存储器采用三菱电机公司独自的极小封装技术,体积仅为以前的1兆位DRAM的四分之一,堪称是面向办公室自动化设备和书本型个人计算机等市场的战略商品。这一称作“VSOP封装”的新产品由于采用了比以往产品高一级的0.9μm处理工艺,既达到超薄型的封     

将多支激光器集成在一块芯片上

英国标准电话电缆公司标准电信实验室的最新研究成果是将多支激光器集成在一块芯片上。在目前的技术水平上，这种集成由于使激光器工作需要高电流强度而不实用。在为降低产生强激光所需的电流阈值的研究中，该室科学家在1300毫微米半导体激光器上获得了目前世界上最低的电流阈值。     

采用降低功耗技术的实验性1兆位DRAM

实现一兆位DRAM需要解决的严重问题之一就是与数据线充、放电有关的功耗问题。为解决这一问题,本文提出了能使功耗减少大约1/4的三种方法:多路数据线结构、512刷新周期以及芯片电压限制电路。通过46平方毫米的实验性n-MOS1兆位DRAM芯片的设计和分析,证明这些方法是有效的。当周期时间为260毫微秒、快速存取时间为90毫微秒时,制作的1兆位DRAM芯片额定工作功耗是295毫瓦。还论述了进一步降低功耗的可能性。     

兆位级DRAM掩模版的检测技术

针对华晶科研所设计的JSC71095CFAR电路来阐述兆位级DRAM掩模版的质量要求，从而建立兆位级掩模版检测程序，以及切实有效的质量参数指标。并重点描述掩模版“0”缺陷的实现和CD尺寸、套准精度的测试技术及SPC质量统计技术。     

实现4兆位DRAM的主要亚微米工艺技术

1M位DRAM已经突破了器件实用化研究阶段,工艺开发的重点已逐渐转移到4M位DRAM用的工艺上。4M位DRAM确实是用超微图形而大量生产出来的最早的LSI,但要突破1微米条宽这一大关,大量的技术革新是必不可少的。 日本三菱电机公司LSI研究所,在1984年国际固体器件、材料会议(神户)和VLSI讨论会(圣迭戈)上相继发表了实现4M位DRAM的关键——几种基本图片加工的部分技术。     

下一代网络控制器与交换芯片加快数据中心万兆位以太网应用

数据中心业务量的爆炸性增长导致了对万兆位以太网服务器的需求,未来几年这种需求还会加速,预计从2010年到2014年每年都会有成倍的增长。     

集成元件PCB（上）

集成元件印制板(Integrated Componcnt Boards)是指把无源元件(如电阻、电容和电感等分别或综合)集成到PCB内部(层)的一类印制板。它是新一代HDI/BUM板发展的一个重要方面。由于高密度互连(HDI)PCB是一种厚度薄、面积大和平整度要求高的产品,所以要求欲集成到PGB内部的无源元件(passive component)应是薄膜(Thin—film)或平面     

日本NEC增加在美DRAM芯片产量

日本电气公司(NEC)5月底宣布计划于一年内增加其在美国的D-RAM半导体芯片的产量,目的是降低成本。 NEC控制着日本个人计算机50％以上的市场,它在美国加利福尼亚州的罗斯维尔设一家芯片制造厂。NEC将提高该工厂16兆位动态随机存取存储器(D-RAM)芯片的产量,达到每月产150万只。工厂目前     

USB OTGG外设／控制器可在一块芯片上实现

手机中照相功能更加接近于独立数字相机性能，这一发展趋势，再加上手机不断增加的多媒体功能，意味着对更佳显示质量的需求。Sharp公司正在手机中使用其CGS（连续颗粒硅）硅技术，并期望很快能提供半透反射式（transflectives）产品，以改善在阳光下的显示性能。另一方面，在等离子体技术供应商不断推出最大屏幕尺寸的竞争性产品的情况下，     

集成在一张芯片上的光探测器

日本大阪大学的西原浩教授与横河电机公司联合开发出小型、高性能且全集成在一张芯片上的光探测器。在一张基板上集成了光源、光接收元件、波导、发挥透镜和反射镜作用的衍射光栅,作为利用光干涉现象的探测器,用一张芯片实现所有的功能为世界首创。该探测器可用于试制评价位置、位移传感器和光盘用拾音器,现已确定其功能。不过,由于对温度变化非常敏感,故要达到实用     

超高集成、低功耗的DRAM

三菱电机、松下电器工业、松下电子工业等三家公司开发出了用于携带图像装置的超高集成、低功耗混装ＤＲＡＭ核。从 1998年 12月开始 ,在有效运用ＤＲＡＭ混装技术和高速逻辑技术的基础上 ,三家公司对第 2代系统ＬＳＩ技术进行了共同开发。在开发产品中 ,实现了世界上最小尺寸的混装ＤＲＡＭ核 18 9ｍｍ2 (约 32Ｍｂ) ,并且也实现了采用 0 13μｍ高集成逻辑、 1 0Ｖ电源电压下 ,2 30ＭＨｚ的低电压、高性能。另外 ,还成功地使峰值时的功耗降到了 198ｍＷ (约 32Ｍｂ)。超高集成、低功耗的DRAM@晶…     

光子集成芯片：世界上最快的光芯片

在美国硅谷实验室中．Infinera研发的创始人DavidWelch手持着一个2cm宽的金色长方体，这就是用磷化铟等材料制成的半导体光子集成芯片。在这个外表看似简单的芯片中．集成了大量的复杂光电器件。使得光通信从此进入了一个更低成本、更高容量的新时代。     

12个发光二极管集成于同一芯片

应用单片集成光电子学技术制作器件取得明显进展。AT&T贝尔实验室存一个芯片上做出有12只发光二极管阵列,并用12根标准光纤将它们和12个pin探测器(阵列)连接起来。这项发展意味着采用普通技术可以把十二条光波线路作为一条建在大致同一空间,在设计和使用方面     

用于TFT-LCD驱动芯片的内置DRAM设计

TFT-LCD驱动芯片中需要较大容量的内置存储器,相对于静态存储电路而言,动态存储电路节省了芯片的面积,有利于芯片成本的降低.文章讨论了用于TFT-LCD驱动芯片内置DRAM的分块设计方法,结合芯片物理特点将其分为左右对称两块.采用改进的3-T结构DRAM存储阵列,省去了伪存储单元,节省了面积,降低了功耗.优化了DRAM的刷新电路,省略了判断信号与RAS和CAS先后顺序的仲裁电路.结合芯片本身的特点设计了行、列译码电路.对于芯片的仿真,采用了模拟验证和形式验证相结合的前端设计验证方法,同时又采用了结构化抽取寄生参数和建立关键路径的后仿真.     

DRAM芯片的最新研制进展与发展趋势

介绍了动态随机存取存储器(DRAM)的最新制造技术、0.1 μ m特征尺寸理论极限的突破和相关新技术的进展,并展望了3种非易失性随机存取存储器(NVRAM),如FRAM、相变RAM、MRAM和BiCMOS技术的开发前景与发展趋势.     

世界上最快的DRAM

美国IBM公司宣称,它生产的1Mb DRAM只要22ns就可存取任意位,其速度是目前市售的最佳1Mb产品的两倍。     

16M DRAM的第三代芯片问世

据报道，16MDRAM第三代芯片的样品已开始销售，日立制作所，NEC，韩国Sams－ungElectronicsCo．等公司将于1994年至1995年初开始销售。芯片尺寸为70mm2，使用64M技术的缩版（Cut－down），例如，日立公司把64M单元的鳍型叠层结构用于6M的第三代版中。另外，64M方面，在已销售样品的NEC公司月产为数千个，达到使用阶段。同步版也问世。富士通公司从1994年8月开始销售样品。0．35μm样品的芯片面积为232mm2。16M DRAM的第三代芯片问世@一凡