有机非线性光学晶体——二苯甲酮的研究

本文首次报道了有机非线性光学材料二苯甲酮(DPK)单晶生长条件和方法。采用降温法在乙醇溶液中培养出50mm×80mm×50mm大尺寸的单晶,对单晶进行了定向形貌分析,测定了红外光谱和质谱,用紫外光谱测试了晶体的透射波段,用1064nm的Nd~(3+):YAG激光辐射晶体产生532nm的倍频光,其倍频强度近似KDP单晶。     

高重复率电光Q开关Nd:YAG激光器

研制了高重复率电光Q开关Nd:YAG激光器,激光谐振腔是曲率半径为10m的全反镜和反射率为4%的输出镜组成的平凹腔,选用2支脉冲氙灯(7mm×130mm)串联作为Nd:YAG激光棒(8mm×140mm)的泵浦源,电光晶体选用KDP。为了实现高脉冲能量、窄脉冲宽度和高重复率的激光输出,设计了新型的IGBT氙灯斩波放电电路和雪崩管电光Q开关电路。应用上述方法和装置,成功地获得了重复率3～20kHz、脉宽10～25ns、脉冲能量300～500mJ的重复率脉冲Nd:YAG激光。     

微型声光调Q开关

该文介绍了应用于激光器系统中的微型声光调Q开关的设计、测试及应用。通过有限元数值分析各因素对声光调Q开关衍射损耗的影响,提出了一种新型优化声光调Q开关的设计方案。选用氧化碲（TeO2）晶体作为光电偏转材料,利用集成电路兼容工艺加工得到封装尺寸为17.8 mm×6.8 mm×17.8 mm,工作波长1 064 nm,光脉冲上升时间28.99 ns的微型声光调Q开关。该微型声光调Q开关具有优异的性能,其体积缩减到原来产品的40%;光孔径为0.8 mm;在全温范围（-45~70 ℃）内稳定工作,衍射损耗保持在35%（±2%）。     

高平均功率Nd:GGG板条激光器特性

本文介绍Z字形光路Nd:GGG板条激光器的性能特性。晶体尺寸有6~(?)mm×10~(?)mm×100~(?)mm和10~(?)mm×18~(?)mm×167~(?)mm两种。这些板条表面的抛光平直度为λ/5(λ=6328A),表面光洁度为8A rms,表面平行度为10s。正常模式振荡时,在较小板条中得到了45W平均输出功率;在较大板条中得到了145W。在Q-开关工作时,得到了平均输出功率11W、脉冲宽度10ns、重复率20Hz。还把滤除紫外的滤光片放在抽运谐振腔中抑制Nd:GGG紫外辐照,从而延长了运转寿命。     

南京电子器件研究所研制成功微波单片组装模块

<正>南京电子器件研究所在研制成功MMIC的基础上,用多芯片微波组装技术,研制成功了四种接收机前端。 (1)C波段前端 由单片低噪声放大器、单片混频器及单片前置中频放大器组成。整个前端封装于20mm×25mm×5mm的管壳中构成小型模块。信号频率为C波段,中频为40～1000MHz,本振功率5mW,总增益大于30dB,噪声系数典型值3dB,最优值2.5dB。 (2)脉冲接收机前端 包括单片开关、单片低噪声放大器、单片混频器三部分,组装于20mm×25mm×5mm管壳中,重量为6克。工作频率为C波段,开关隔离度大于40dB,噪声系数小于8dB。 (3)前置放大器模块 该模块组装于9mm×l8mm×4mm微带管壳内,也工作于C波段,含有AGC功放,AGC范围0～18dB,输出功率P_(-1dB)分别为35,150,580mW三种,用户可根据需要组合成功率放大链。 (4)脉冲前置放大器模块 模块尺寸与(3)同,C波段性能为P_(-1dB)150,580mW。     

男士贵族型(适合18岁-25岁)

机型:诺基亚6600参考价格:3900元性能指标:网络类型:GSM900/1800/1900MHz/GPRS;尺寸体积:108.6mm×58.2mm×23.7mm;手机重量:122克;手机颜色:淡灰、玫瑰、金黄;显示屏:176×208像素,65536色TFT彩异;WAP上网:WAP v1.2.1,并支持XHTML格式的网员浏览;通话时间:120～240分钟;待机时间:150～240小时。     

元器件与组件

性能经改良的电子继电器PVT412A微电子继电器可取代机电式继电器,在交流/直流负载切换应用中,在240mA下的额定电压为240V交流有效值和300V直流,在360mA下直流负载高达300V,4000V交流有效值输入输出抗电强度满足最严格的国际电力安全要求。International Rectifierhttp://www.irf.com微型表面贴装红外传输开关QVE00033型光电晶体管红外传输开关采用微型sidelookers封装,外壳为耐高温的黑色塑料盒,封装尺寸为7.50mm×4.05mm,高度为5.40mm。砷化镓发光二极管通过带0.4mm开孔的2mm间隙,与硅光电晶体管正对,红外传输波长的峰值为940nm,表面…     

多栅砷化镓单片集成双刀双掷功率开关

南京电子器件研究所业已研制成功的GaAsMMICDPDT开关采用全离子注入、全平面干法技术，它是一种多栅结构的MESFET功率开关。具有承受功率大、功率线性好、插人损耗小、单片集成面积小等优点。设计中采用实验建模方法取得了三栅FET的等效模型。建模中选择的三栅的椰长为1μm，椰宽为3060μm，源漏间距为11μm。GaAsMMICDPDT开关的芯片尺寸为1．41mm×1．25mm×020mm。获得的典型结果见表1。此开关的突出优点是受控电压低、功率线性好，非常适合于移动通讯中数字手机用的双刀双掷开关。多栅砷化镓单片集成双刀双掷功率开关@陈继义…     

隔离度大于95dB的Ku波段微带型开关

研究了具备高隔离度性能的Ku 波段基于PIN 二极管的微带型开关电路,通过采用含有多个子单元电路的拓扑结构以及合理优化子单元电路参数,解决了微带型开关在微波频段难以实现高隔离度的难题. 所研制的开关电路在15.75~16.25GHz频段范围内,隔离度大于95dB,插入损耗小于4dB,输入端S11均小于-12dB,输出端S22均小于-20dB, 电路体积仅为34mm×11mm×5mm.     

男士实用型(适合18岁-25岁)

机型:摩托罗拉C375参考价格:1620元性能指标色彩:碧水绿、银灰尺寸: 100mm×43mm×19mm净重:85克通话时间:240～320分钟待机时间:130～230小时外观特色:色彩搭配和谐新颖,身材匀停清雅可人,令人顿时眼前一亮。     

Wide angular aperture image up-conversion

Infrared images at 1.06 μ are up-converted in KDP with an angular aperture of more than 20°. The images are up-converted by scanning the orientation of the KDP. The technique is applicable when noncritical phase matching does not allow sufficient angular aperture.     

基于LTCC技术的手机天线开关滤波器

采用LTCC工艺进行手机天线开关滤波器的设计,用于手机天线开关发射端GSM850/900MHz、GSM1800/1 900MHz。整个LTCC滤波器体积为2.5mm×3.2mm×0.75mm,其中包含两个低通滤波器,用于二次谐波和三次谐波的抑制。GSM850/900通带插损小于0.75dB,带内二次谐波抑制度大于23dBc,三次谐波抑制度大于40dBc;GSM1 800/1 900通带插损小于0.7dB,带内二次谐波抑制度大于26dBc,三次谐波抑制度大于28dBc。     

一种特殊的单片晶体滤波器模块

介绍了一种进口中频滤波器微电路模块.该中频微电路模块是中心频率为12.1 MHz,3 dB带宽240 kHz,体积仅35 mm×25 mm×5 mm的一种复合型宽带有源单片式晶体滤波器,其采用叉指结构对单片晶体滤波器的性能进行改善.通过实验证明叉指结构对单片晶体滤波器具有改善矩形系数,增加带外抑制和精密微调频率的作用.     

一种单片集成有源开关滤波器组设计

集成化发展趋势是射频系统的重要发展趋势之一,其中,有源开关与无源滤波器组的组合是射频集成宽带系统的常用电路单元之一。由于二者采用了不同的制造工艺,其加工工艺与材料组成均不同。因此,将二者高密度集成时须借助于其他介质。文中根据集成无源器件技术和高密度封装技术的发展进度,完成了一种S波段的有源开关带通滤波器组的研制,产品尺寸为7.0 mm×5.5 mm×1.14 mm,且内集成隔直电容和电源去耦电容,在实现了小型化、轻量化的同时,其工程应用将十分便利。     

基于Q-MMIC技术的W波段低成本PIN管开关

采用低成本方法设计了一款W波段单刀单掷开关。通过在单独加工的石英基片无源电路上安装倒装PIN管,获得了一款W波段准毫米波单片（Q-MMIC）开关。为了获得低损耗、高隔离度性能,开关设计中采用了3-D PIN管模型和电路补偿结构。测试结果表明开关在88GHz时插入损耗最小,最小值为0.5dB;在80-101 GHz频率范围内,开关导通时的插入损耗小于2 dB;在84-104 GHz频率范围内,开关隔离度大于30 dB。整个开关电路尺寸为1.5 mm× 3.0 mm。     

大口径KDP晶体夹持方式对面形的影响

对大口径KDP晶体的夹持方式以及夹持对面形的影响进行了研究。利用ANSYS建立KDP晶体侧面和正面夹持的有限元模型。研究了侧面均布荷载、侧面均匀及非均匀两点荷载作用时KDP晶体面形,得出了总荷载大小是影响晶体面形的关键因素。讨论了理想状态和实际状态下KDP晶体正面夹持面形,得出了元件表面平面度是影响晶体夹持面形主要因素。通过分析和计算,找到了降低元件平面加工精度对晶体正面夹持面形影响的理论技术方案。     

一种新型无源MEMS万向碰撞开关

采用MEMS体Si加工工艺和圆片级封装技术,开发了一种基于特种运输中的新型无源MEMS万向碰撞开关。开关选用弹簧-质量-阻尼的典型碰撞结构,对惯性加速度计敏感,以碰撞接触的形式提供导通电阻信号,并拥有500g径向360°和1000g纵向碰撞触发,单个器件可以实现多个器件的功能。经过仿真设计和工艺研究,最终完成了开关的制作,封装后体积后为6.6mm×5mm×2.4mm。经测试表明开关实现了初始的设计阈值,导通电阻约10Ω,导通时间约10μs,验证了抗5000g冲击能力,它具有体积小、重量轻、高可靠、低成本,可反复使用等特点,在可靠性跌落试验、汽车安全碰撞试验和飞行器上具有广泛的应用前景。     

一种测试半导体制冷器的瞬态方法

ZT值、最大制冷温差和响应时间是表征半导体制冷器性能的重要参数.文中介绍了一种能同时测量这三个参数的瞬态方法,并讨论了热沉对测试结果的影响.利用一个由恒流脉冲发生器和数据采集卡组成的简单测试系统测得制冷器在小电流下的电阻电压和塞贝克电压,通过这两个电压推导出ZT值、最大制冷温差.这种瞬态方法是非接触式测量,准确度高,可用于薄膜热电器件测试;另外瞬态方法耗时短,可大大缩短半导体制冷器可靠性测试的周期.采用这种方法对4mm×4mm×2.4mm的热电制冷器进行实验,环境温度300K时,测得ZT值为0.39,最大温差58.5K,响应时间20s.     

一种L～Ka波段的双边多触点型RF MEMS单刀六掷开关

目前通讯、导航等领域对单刀多掷开关有广泛的需求，而此类开关存在体积大、工作频带窄、插入损耗大、隔离度低等问题。文章设计了一种串联接触式双边多触点型RF MEMS单刀六掷开关。开关的下电极上设有三个圆形触点，远端连接有喇叭状过渡带，其上是带有带状孔的“X”形上电极，通过减小接触电阻和耦合电容来改善射频性能。经HFSS软件仿真优化，该开关工作频率可覆盖L～Ka波段，且在26.5 GHz下，插入损耗≤0.3 dB,隔离度≥37 dB,性能良好，尺寸为1.05×1.05×0.5 mm³。结果表明，设计的单刀六掷开关射频性能具有较大优势，同时满足小型化的要求，因此在L～Ka波段的导航、认知无线网络以及微波测试等领域具有较大的应用前景。     

基于GaN HEMT的13～17 GHz收发多功能芯片

基于GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺设计制作了一款收发(T/R)多功能芯片(MFC),主要用于射频前端收发系统.该芯片集成了单刀双掷(SPDT)开关用于选择接收通道或发射通道工作,芯片具有低噪声性能、高饱和输出功率和高功率附加效率等特点.芯片接收通道的LNA采用四级放大、单电源供电、电流复用结构,发射通道的功率放大器采用三级放大、末级四胞功率合成结构,选通SPDT开关采用两个并联器件完成.采用微波在片测试系统完成该芯片测试,测试结果表明,在13～ 17 GHz频段内,发射通道功率增益大于17.5 dB,输出功率大于12W,功率附加效率大于27％.接收通道小信号增益大于24 dB,噪声系数小于2.7 dB,1 dB压缩点输出功率大于9 dBm,输入/输出电压驻波比小于1.8∶1,芯片尺寸为3.70 mm×3.55 mm.