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本文研究了新型陶瓷刀具材料JX-2-I(Al2O3/SiCp/SiCw)的力学性能,同A(Al2O3),AP(Al2O3/SiCp),AW(Al2O3/SiCw)和JX-1(Al2O3/SiCw)材料相比,JX-2-I具有较高的抗弯强度(σbb)和断裂韧性KIC,研究结果表明,在JX-2-I陶瓷刀具材料中确实存在增韧补强原协同作用,陶瓷刀具材料JX-2-I的主要增韧机理是界面解离,裂纹偏转和晶须拔 相似文献
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本文研究了新型陶瓷刀具材料JX-2-Ⅰ(Al_2O_3/SiCp/SiCw)的力学性能,同A(Al_2O_3)、AP(Al_2O_3/SiCp)、AW(Al_2O_3/SiCw)和Jx-1(Al_2O_3/SiCw)材料相比,JX-2-Ⅰ具有较高的抗弯强度(σ_(bb))和断裂韧性K_(Ic);研究结果表明,在JX-2-Ⅰ陶瓷刀具材料中确实存在增韧补强的协同作用,陶瓷刀具材料JX-2-Ⅰ的主要增韧机理是界面解离、裂纹偏转和晶须拔出。 相似文献
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本文利用TEM研究了新型复相陶瓷刀具材料JX-2-I的界面结构,结果表明,在JX-2-I中Al2O3/SiCw(氧化铝/碳化硅晶须)界面和Al2O3/SiCp(碳化硅颗粒)界面结合良好,形成了具有较高强度的微观结构,发现在SiCw,SiCp和Al2O3晶粒上均有位错产生,在SiCp和Al2O3上有孪晶产生,分析表明,位错和孪晶的产生均吸收大量的断裂能,提高材料的断裂韧性,改善JX-2-I材料的整体 相似文献
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本文利用TEM研究了新型复相陶瓷刀具材料Jx-2-Ⅰ的界面结构,结果表明,在Jx-2-Ⅰ中Al_2O_3/SiCw(氧化铝/碳化硅晶须)界面和Al_2O_3/SiCp(碳化硅颗粒)界面结合良好,形成了具有较高强度的微观结构;发现在SiCw、SiCp和Al_2O_3晶粒上均有位错产生,在SiCp和Al_2O_3上有孪晶产生;分析表明,位错和孪晶的产生均吸收大量的断裂能,提高材料的断裂韧性,改善JX-2-Ⅰ材料的整体性能。 相似文献
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SiCp/6061Al复合材料激光表面熔化及合金化显微组织与耐蚀性 总被引:1,自引:0,他引:1
为提高颗粒增强铝基复合材料耐蚀性,对SiCp/6061Al复合材料进行激光表面熔化和激光表面合金化。结果表明:激光表面熔化后,因熔化层中形成大量耐蚀性低的针状Al_4C_3相及Al_4SiC相而使激光表面熔化层耐蚀性降低,以Ni-Cr-B粉末为原料对SiCp/6061Al复合材料进行激光表面合金化后,合金层耐蚀性明显提高。 相似文献
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毛友德 《微电子学与计算机》1993,10(11):47-48,F003
利用直流辉光放电分解碳氢气体来淀积a-C:H膜,通过测量Al/a-C:H/SiMIS结构的高频C-V曲线讨论了a-C:H/Si界面的电子特性,结果表明a-C:H/Si膜有可能用作半导体器件的表面钝化膜。 相似文献
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本文提出了以各子电池的载波子输运方程为基础、用串联等效的方法模拟多结电池的J-V特性,并用该方法模拟分析了P/I界面态。P/I缓冲层带隙梯度对Glass/TCO/a-Si/a-Si/Al双结电池光电特性的影响,各子电池本征层为常数带隙的Glass/TCO/a-Si/a-SiGe/Al三结电池的光电特性及其所存在的优势。 相似文献
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以常规TEM为工具,对SiCp/ZL109复合材料中SiC颗粒及其界面进行了研究,除观察到大量α型六方6H SiC外,还观察到少量α型六方4H和菱形15R SiC。观察到的都是单一的SiC/Al及SiC界面,无论是SiC/Al或SiC/Si界面,界面清洁,结合紧密,无孔洞,无反应过渡层。 相似文献
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对具有Al-Si-Pd/TiN/Ti/PtSi/Si(样品A)和Al-Si-Pd/Ti/PtSi/Si两种新型金属化结构的微波管的EB结在不同温度、相同电流条件下进行加速寿命试验,得到其中值寿命相差近一倍,激活能分别为0.92和0.79eV,并给出了在温度和电流力下EB结反向击穿特性的变化规律。 相似文献
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硅基异质结光电探测器用材料的应用研究进展 总被引:2,自引:0,他引:2
综述当前GeSi/Si、GaAs/GaAlAs、HgCdTe、PtSi和GaN光电探测器用材料的工作原理、特点、研究现状及发展趋势。以新型薄膜外延技术-分子束外延制备的GeSi/Si等人工超晶格材料倍受关注,硅基异质子阱材料成为新一代光电探测材料的发展方向。 相似文献
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本文利用XRD,RBS,AES,SEM和电学测量技术系统地研究了反应溅射制备的TiWyNx薄膜的组份,结构和扩散势垒特性,实验结构表明,膜的组份,结构和特性受溅射时N2流量影响和溅射功率的影响,这种TiWyNx膜经550℃30分钟退火后,仍能有效防止Al-Si扩散,从而改善了A1-TiWyNx/CoSi2/Si浅结接触的热稳定性。 相似文献
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Al栅a—Si TFT栅绝缘膜研究 总被引:1,自引:0,他引:1
Al栅可明显降低AM-LCD中a-Si TFT矩阵的栅总线电阻及栅脉冲信号延迟,有利于提高高密显示屏的开口率与图像质量。本文详细分析了Al栅的阳极氧化技术,获得了适于a-Si TFT复合栅的Al2O3栅绝缘材料。 相似文献
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在Tegal1512e反应离子刻蚀(RIE)设备上,利用Cl_2和SiCl_4为主要刻蚀气体,进行了AlSi0.8%-Cu2%的RIE工艺研究,详细讨论了影响工艺的诸多因素,涉及AlSiCu材料本身结构的差异,RIE工艺各参数,后处理等许多方面;给出实用化的工艺程序;最小加工线宽达到2μm,体刻蚀速率达870nm/min,均匀性±5%,线宽损失小于10%,对热氧化SiO_2的刻蚀选择比为4∶1,对AZ1450J正性抗蚀剂的刻蚀选择比大于1.8∶1;该工艺使用效果良好,达到实用化水平。 相似文献