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SiCw/Al复合材料的研究重点已经转移到应用研究方面。制约其广泛应用的问题是二次加工,该问题的解决是SiCw/Al复合材料迈向广泛应用的关键[1～3]。本文即是针对该复合材料二次加工工艺之一的冷轧变形问题开展的研究。通过冷轧前的预先热挤压变形,实现了SiCw/L3复合材料的大应变冷轧变形,并用透射电子显微镜研究了冷轧组织结构。实验方法试验所用材料采用压力铸造法制备。所用晶须为国产β-SiCw,基体选用工业纯铝,晶须体积分数为15%。显微组织观察用PILIPSCM12透射电子显微镜。用机械方法磨试样至40μm,然后在带有低温冷却台的氩离子… 相似文献
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绝热剪切现象自４０年代提出以来，人们对它的研究一直没间断过［１，２，３］，但对爆炸焊接接合区出现的绝热剪切带（Ａｄｉａｂａｔｉｃｓｈｅａｒｂａｎｄｓ，即ＡＳＢ）报导较少［４］，尤其是采用ＴＥＭ对爆炸焊接中的ＡＳＢ进行研究的报道更少。本文对工业纯铝／低... 相似文献
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界面是影响复合材料性能的重要内容,对复合材料界面的研究一直受到广泛的重视。本文介绍我们利用大角度会聚束电子衍射(LACBED)研究Al基Al_2O_3颗粒增强复合材料界面应力场的初步结果。图1是这种复合材料的明场象,其中不规则形状的是增强体γ-Al_2O_3颗粒。图2是从Al基体中得到的靠近[013]带轴的LACBED花样,其中箭头所指阴影部分是图1中箭头指出的γ-Al_2O_3颗粒的阴影象。图2可以看出γ-Al_2O_3颗粒界面附近的HOLZ线发生明显的弯曲和分裂并变得模糊,这表明界面处Al基体中存在着应力场。应力场的进一步研究可以通过LACBED花样的动力学模拟得到。 相似文献
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一、引言 ZrO_2/Al_2O_3复合材料,因具有优良的力学和热力学性能,近年来受到普遍重视。在该复合材料中ZrO_2以二种方式存在,一是ZrO_2存在于Al_2O_3晶粒间,另一是ZrO_2呈球状形式嵌在Al_2O_3晶粒内。对处于Al_2O_3晶粒内ZrO_2曾研究了其在基体产生的应力分布和用高分辨电镜作了界面观察。虽然对于以Y_2O_3稳定的四方相ZrO_2(Y-TZP)已经明确指出ZrO_2中存在成核相变过程,但对于ZrO_2/Al_2O_3复合材料而言,其中晶粒内ZrO_2虽大多以四方相形式存在,并对周围基体产生应力,而对于晶粒内四方相ZrO_2在应力作用下成核和相变过程及晶粒内ZrO_2与基体Al_2O_3之间界面反应情况尚未见明确报导。本文对15～75vol％ZrO_2/Al_2O_3复合材料经1500℃-1650℃不同温度下热压而成材料中ZrO_2成核相变及其界面进行了研究。二、实验与材料制备 相似文献
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Ｍｏ／Ｓｉ多层膜界面离子束处理及ＴＥＭ观察薛钰芝Ｒ．Ｓｃｈｌａｔｍａｎｎ，林纪宁Ａ．Ｋｅｐｐｅｌ，Ｊ．Ｖｅｒｈｏｅｖｅｎ（大连铁道学院，大连１１６０２２）（荷兰ＦＯＭ原子分子物理研究所）软Ｘ射线多层膜（ＭｕｌｔｉｌａｙｅｒｓｆｏｒＳｏｆｔＸ－ｒａｙＯ... 相似文献
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碳／镁复合材料界面的显微结构武凤，朱静，陈煜，张国定（冶金部钢铁研究总院，北京１０００８１）（上海交通大学金属基复合材料研究所，上海２０００３０）用真空压力浸渍法制造的Ｃ／Ｍｇ复合材料，在混有一定比例的ＳｉＣｐ时，观察Ｃ纤维未经涂层处理情况下的材料界... 相似文献
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碳／镁复合材料界面的显微结构 总被引：3，自引：0，他引：3
碳纤维增强镁基混杂复合材料，用压力浸渍法制造时，碳与镁不发生化学反应，二者可以很好浸润，无须涂层处理，即可得到结合良好的材料，这种工艺得到一种由细小粒组成的界面层，界面层处晶粒分别在纤维表面和纤维间形核长大，这种形貌有利于应力的释放和界面结合。其形成原因与纤维表面状况，基体合金成分以及浸渍工艺有关。界面处铝元素的富集被观察到，有少量Ｍｇ１７Ａｌ１２相存在界面处和基体中。 相似文献
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激光重熔Ａｌ－Ｓｉ合金层间隙析出Ｓｉ中缺陷研究赵云飞李斗星（中科院金属所固体原子像开放研究实验室，沈阳１１００１５）在Ｓｉ中，６０°全位错一般分解为３０°和９０°半位错，其间夹着一片层错。这种扩展位错具有较为复杂的不同组态结构，可分为Ｓｈｕｆｌｅ（混... 相似文献
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本文主要利用电子透射显微镜观察硅片直接键合界面,在界面处存在一无定型过渡区,证实了依靠硅片表面吸附的羟基作用完成键合时,在界面会留下极薄的硅氧化物无定形区. 相似文献
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采用真空热压烧结工艺在580℃下制备了35%(体积分数)SiCp/2024铝基复合材料,利用透射电镜(TEM)、能谱(EDS)、高分辨透射电镜(HRTEM)对复合材料中SiC/Al,合金相/Al的界面结构进行了表征,研究了增强体SiC和基体Al以及热处理前后合金相与基体Al的界面类型,取向结合机制。结果表明,SiC/Al界面清晰平滑,无界面反应物和颗粒溶解现象,也无空洞缺陷。SiC/Al界面类型包括非晶层界面和干净界面。干净界面中SiC和Al之间没有固定或优先的取向关系,取向结合机制为紧密的原子匹配形成的半共格界面。热压烧结所得复合材料中的合金相以Al4Cu9为主,与基体Al的界面为不共格界面,热处理后,合金相Al2Cu弥散分布于基体中,与基体Al的界面为错配度较小的半共格界面。 相似文献
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采用快速凝固的A390铝合金粉体和SiC颗粒,通过粉末冶金法+热挤压工艺制备了SiCp/A390复合材料,并对复合材料进行了T6处理,利用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)及高分辨透射电镜(HRTEM)对复合材料时效过程中第二相的析出形貌及界面结构进行了表征,测定了复合材料的力学性能,探讨了析出相的演变规律、析出相与基体的界面结构及其对力学性能的影响.结果表明:SiCp/A390复合材料经固溶+时效处理后,合金元素从基体中析出形成GP区,然后转变为颗粒状的δ″相.随着时效时间的延长,这些颗粒状δ″相继续长大成δ′相和δ相;同时,时效析出相与基体之间界面结构随时效时间的延长发生着转变,其转变规律为:完全共格界面GP区→共格界面的δ″相→半共格界面δ′相→非共格界面δ相;SiCp/A390复合材料的抗拉强度随着时效时间延长先增加后降低,在时效6h时,复合材料的力学性能达到最大值. 相似文献
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用TEM研究了离心铸造的SiCp/ZL109复合材料中15R SiC/Si界面。SiC/Si界面结合紧密，无孔洞，无过渡层。15R SiC与其周围的Si保持以下位向关系：（11^-05)SiC//(1^-11^-)Si,[112^-O]SiC//[1^-12]Si。 相似文献
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随着微电子技术的迅猛发展，集成电路的集成度不断增大，器件的尺寸不断缩小。当MOSFET尺寸缩小到0．1nm的尺度以下时，栅氧化层的等效厚度（在保持栅电容值不变的条件下，以相对介电常数为3．9的SiO2作为标准得到的栅介质层厚度）需要小于3nm。如仍采用传统的氧化硅作为栅氧化层介质，电子的直接隧穿效应和栅介质层所承受的电场将变得很大，由此引起栅介质的漏电流增大和可靠性下降等严重问题，严重阻碍了MOS器件的进一步发展。因此，人们提出了采用高介电常数的栅介质（通常称为高K栅介质）替代传统氧化硅的解决方法。利用高K介质材料替代传统氧化硅作为栅介质，可以在保持等效厚度不变的条件下，增加介质层的物理厚度，因而可大大减小直接隧穿效应和栅介质层承受的电场强度。新型高K栅介质研究已成为国际微电子领域的热门研究课题之一。 相似文献
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