大直径锗单晶制备工艺研究及其指标分析

采用直拉法(Czochralski method)生成了直径为100 mm、200 mm和300 mm的N型红外用锗单晶,研究了拉晶工艺参数对拉晶的影响,讨论了拉晶速度、成品率和单位质量锗单晶电耗与单晶直径的关系,并对不同直径单晶的晶帽差异进行分析。     

切克拉斯基拉制大晶埚径比大直径锗单晶

在配置Φ１５０ｍｍ坩埚的单晶炉内，合理地调整了温度和分布场与控制条件，成功地拉制出一根Φ１２８￣１４０ｍｍ，有效长度为１２ｍｍ的Ｎ型锗单晶。     

切克拉斯基法拉制大晶埚径比大直径锗单晶

在配置Φ１５２ｍｍ坩埚的单晶炉内，合理地调整了温度分布场与控制条件，成功地拉制出一根Φ１２８～１４０ｍｍ，有效长度为１２ｍｍ的Ｎ型锗单晶     

精馏塔回收锗的生产实践

阐述了精馏塔富集高价值金属锗的生产实践。通过真空蒸馏处理富锗B^#锌，锗在锌精炼系统中的回收率由40％提高到60％。     

精馏塔回收锗的生产实践

阐述了精馏塔富集高价值金属锗的生产实践。通过真空蒸馏处理富锗B#锌,锗在锌精炼系统中的回收率由40%提高到60%。     

直径76.2毫米吸杂硅片

上海有色金属研究所研究成功的“直径76.2毫米吸杂硅片新工艺”已于1986年10月在九江通过鉴定。鉴定会由上海市科委委托上海有色总公司主持。该材料主要用于CMOS和TTL集成电路,对于改善材料内在质量(如器件电参     

国内锗单晶生产技术概况

一、简介 (1)发展概况我国是在1955年开展锗的研究工作的,1956年7月1日,北京有色金属研究总院从含锗的煤中提炼出锗金属,1957年研制出1公斤锗单晶.1969年全国锗单晶的产量便超过了1吨,1977年达到10吨,并成功地试制出高纯锗探测器用锗单晶.1979年试制出用于红外光学的直径为225毫米的锗单晶.     

锗雪崩光电二极管(Ge-APD)用的单晶锗

为了适应光纤通讯的发展,上海市科委组织了上海交通大学、上海冶金所和上海冶炼厂联合研制长波长探测器——锗雪崩二极管(Ge-APD),上海冶炼厂提供锗单晶材料。锗雪崩二极管对锗单晶材料的要求是高纯度、低补偿和高完整性的结构。该厂采用了“分次提纯”法来提高单晶原材料的纯度,并采取措施,严格防止拉晶过程中的杂质沾污,以保证单晶的纯度及低补偿度,通过改革拉晶工艺条件及采用无位错工艺提高了锗单晶晶体结构的完整性,使材料达到雪崩二极管的技术要求,获市科技新产品三等奖。     

红外大直径成型多晶锗

红外大直径成型多晶锗北京有色金属研究总院采用模铸定向凝固新工艺，研制成功了φ１８８～２５７ｍｍ成型多晶锗。该法可直接获得所需尺寸的透镜毛坯，与目前普遍采用的由单晶或多晶锭经切割、滚圆和磨削而成型透镜毛坯相比，省去了切、滚、磨等加工工序，简化了工艺，节...     

锗单晶脆断强度的研究

不同生长条件和冷却方式下拉制的锗单晶按规定晶向切、磨成一定尺寸的试样片状,用CP-4A腐蚀液抛光,使表面光亮、平整,无划痕,无位错蚀坑,用三点弯曲方法测出脆断强度;研究了脆断强度与拉晶条件的关系;应用位错模型说明了锗单晶的脆断过程,探讨了锗单晶的脆断机理。     

4英寸低位错锗单晶生长

采用直拉法生长 4 英寸低位错锗单晶,研究了热场温度梯度、缩颈工艺、拉晶工艺参数对单晶位错密度的影响,测量了单晶位错密度,结果表明位错密度小于3000.cm-2,满足空间GaAs/Ge太阳电池的使用要求.     

探测器级锗单晶的制备工艺

简要叙述了探测器锗单晶的制备工艺和各种主要的材料提纯以及晶体生长的条件。定性的讨论各种参数与多晶纯度,晶体完整性的关系和现行工艺所达到的水平以及产品质量。对影响分辨率的各种陷阱中心作了评述并指出了消除陷井的方法。特别对深、浅杂质的来源与控制;各种中性杂质和络合物的形成、性质、位错、空位对探测器性能的影响也进行了扼要的讨论。     

锗单晶红外透射特性的探讨

本文主要从实验角度阐明锗单晶的杂质、位错密度、晶体取向及环境温度对其透射性能的影响,着重研究了大气窗口的情况,归纳整理了大量的测试数据,从而发现了某些规律性。     

锗单晶位错的产生与消除

一、引言锗单晶中的位错对材料的电学性质和器件的参数影响很大。位错使品格畸变,改变了能带位置,影响载流子复合过程。刃位错的悬空键产生受主能级相当于一个半径为3.4×10~(-8)厘米大小的电子陷阱,降低了少数载流子寿命。位错加速锗中杂质的扩散。不均匀位错分布会使器件参数分散,位错堆集会影响P—N结的平整,引起器件局部击穿。     

研制大直径钨单晶新工艺

日本东京钨有限公司开展一项由政府投资3.4亿日元,为期三年的研究项目,旨在开发大直径钨单晶生产新工艺。这种钨单晶将用于制造直径100mm 或更大的丝材、板材和管材。以往的加工方法,如拉制或悬浮熔炼仅限于制造直径10mm 的材料。该研究项目     

关于350毫米料层烧结的生产实践

我们本钢一铁烧结车间自七九年初采用“低碳厚料”的烧结制度后,烧结料层不断地提高。八○年三月中旬又将料层提高到350毫米。几个月的生产实践表明,在设备和原料条件均无很大变动的条件下,350毫米料层的操作是成功的,并且获得较好的效果。     

锗单晶内低阻管道现象探讨

通过对锗单晶生长过程中诸多工艺团素的考察，找出锗单晶内出现的低阻管道现象成因。合理控制单晶生长条件，以消除低胆管道现象。     

退火对锗单晶导电性能的影响

退火工艺对锗单晶的导电性能有很大的影响。退火温度超过550℃会导致N型锗单晶电阻率升高,750℃以上温度退火甚至会发生N型锗单晶的导电型号变为P型。同时,退火温度超过550℃会导致锗单晶电阻率径向分布均匀性变差,这是Cu杂质与晶体缺陷共同作用的结果。     

锗单晶中位错密度的影响因素

直拉法生长的空间太阳能电池用锗单晶中位错密度的影响因素有:籽晶中位错延伸对晶体中位错密度的影响;温度梯度对位错密度的影响;固液界面形状对位错密度的影响;机械因素对位错密度的影响。通过dash技术排除籽晶中位错的影响;通过调整晶体所处的热场(改变埚位和保温筒高度)、改变熔体中轴向负温度梯度的状况(增加坩埚杆的保温效果和开双加热器)和通过设计出轴向温度梯度为线性温度梯度径向温度梯度较小的热场来减小温度梯度对位错密度的影响;通过调整固液界面形状(改变拉速、埚转和晶转)来改善由于固液界面形状不佳带来的位错增值现象。通过上述措施可以基本消除单晶中位错排、位错堆以及小角晶界,得到低位错密度的单晶。