微纳米线距标准样片的研制与应用

为了精确控制线宽尺寸参数,研制了一套周期尺寸为100nm～10μm的线距标准样片。首先,依据样片的应用进行了图形设计,分别采用电子束直写和投影光刻技术开发出线距标准样片,并对制备出的样片进行考核,考核参数包括线距尺寸、均匀性、稳定性。并与VLSI同等量值样片的质量参数进行了对比,以周期尺寸为100nm的样片为例进行表征,研制的样片均匀性为1.8nm,稳定性为0.6nm,VLSI的样片的均匀性为1.5nm；并使用CD-SEM对样片进行了定值,整体不确定度为3.9nm～23nm(k=2)。研制的线距样片不仅包括光栅结构,还包括格栅结构,可以对不同的测试设备进行现场校准。     

标准样片制备的测量数据分析方法研究

文章着重于研究标准样品制备中的测量数据分析技术。通过对标准样片各参数的测量数据进行分析考核处理,从而保证标准样片的重复性、稳定性程度、量值溯源到国家或国际标准的实现程度、特性量值给定程序和不确定度的确定过程等。     

一种数字集成电路标准样片的设计实现

标准样片是实现微电子量值溯源和传递的良好途径,论文着重于通过电路设计实现对数字集成电路参数的模拟,并对标准样片测量不确定度评估展开了相应的研究,用以提升标准样片参数的可编程性和量值的准确性,使之适合用于集成电路测试系统的检定、校准以及比对。最后给出了标准样片的不确定度评定和测量数据。     

微纳米台阶标准的制备和评价

台阶高度是半导体技术中重要的工艺参数,其准确度直接影响器件的整体性能。为了精确控制和表征台阶高度参数,制备了一套8nm～50μm的台阶高度标准进行测量技术研究。首先,通过半导体热氧化工艺、反应离子刻蚀工艺制备台阶标准。其次,基于白光干涉仪评估台阶上下表面平行度、表面粗糙度、均匀性和稳定性四项质量参数。结果表明,台阶上下表面平行度为0.4′～2.7°,标准台阶表面粗糙度为0.46nm～6.5nm,台阶两侧表面粗糙度为0.44nm～0.46nm;均匀性为0.5nm～5.9nm,稳定性为0.2nm～11.2nm。最后,与美国VLSI相同标称高度的台阶标准相比,标称高度50μm的台阶标准表面粗糙度较差,均匀性略好,其余质量参数均相当。     

基于线距标准样片的扫描电镜校准方法探讨

为解决微电子行业内扫描电镜的计量需求,结合现有扫描电镜的计量技术文件,研究了基于线距标准样片的扫描电镜校准方法.首先,采用半导体工艺研制了用于计量扫描电镜的线距标准样片,并对样片进行了质量参数考核.其次,分析了现有检定规程的局限性,并研究了扫描电镜放大倍数示值误差、重复性、图像线性失真度等参数的实际校准方法.最后,使用...     

质量参数评价在微纳米间距标准样板中的应用

微纳米间距标准样板作为微纳米几何量量值溯源体系中的重要组成部分,是纳米科技发展的基础保证。通过对微纳米间距样板作为标准物质基本要求的论述,指出了对比度、均匀性和稳定性考核在标准样板质量参数评价中的重要作用。以SEM作为测量仪器,对不同材料的样板进行了对比度测量;以CD-SEM作为测量仪器,对不同标称间距和不同生产单位的标准样板进行了均匀性、稳定性实验以及测量不确定度分析;通过质量参数评价实验和分析,为微纳米间距标准样板的制作和使用提供重要的理论依据。实验结果表明,质量参数评价在微纳米间距样板作为标准物质使用时具有十分重要的作用。     

SOI纳米波导的优化制备与弯曲损耗测试

主要针对目前SOI(Silicon-on-insulator)纳米光波导结构弯曲损耗严重的问题,系统地进行了理论仿真分析,设计出最佳的纳米波导结构,并采用MEMS工艺对其进行加工制备与优化处理。后利用了SEM(扫描电子显微镜)、AFM(原子力显微镜)、透射谱功率法等研究手段精确测试了在高纯氮退火和BOE腐蚀后处理不变的情况下,不同温度热氧化退火处理下的波导侧壁粗糙度和对应的弯曲损耗,结果表明:波导的侧壁粗糙度随退火温度的变化近似呈二次抛物线变化趋势,在900℃附近达到最低值2.1 nm,对应的半径15μm的环形波导的弯曲损耗为(0.0109±0.001)dB/turn,其损耗值与理论分析结果一致。利用这一结论就可以通过选择不同的优化处理条件来减小环形波导的弯曲损耗,从而实现光能量的高效传输。     

标准内容动态管理器的设计与实现

本文根据现存标准管理系统中对标准内容动态维护的不足之处,针对标准动态维护的问题,提出了一种符合标准维护需求、基于标准内容的动态管理器解决方案,并对实现的关键技术做了详细论述,最后将动态管理器的思想运用到标准信息管理系统中,实现一个通用、灵活、可扩展的标准管理平台。     

网上选课系统的应用开发

本文详细叙述了网上选课系统的结构设计。并介绍了对于系统安全,可以从软件系统、系统结构、网络拓扑结构等方面所采用的一些方法;最后,对系统中的改进措施进行了讨论。     

一种支持多线宽直线反走样算法

直线绘制中出现的锯齿现象称为走样,消除走样的方法称为反走样。文中通过对直线走样产生的原因进行理论上的分析,总结了现有的反走样技术。通过对经典的DDA直线绘制算法和Wu直线反走样绘制算法的研究,在二者结合的基础上,给出了一种任意宽度和复杂背景色下的直线反走样快速绘制算法：对于直线f（x）=mx＋b,0≤m≤1,x轴上每移动一个像素单位,根据直线所需绘制的宽度,在y轴上进行跨度像素着色,填充的色深值取决于该像素到对应直线边缘线的距离、原有背景色深和当前直线绘制色深。对算法进行了去浮点优化,给出了复杂度分析和实验结果,实践证明,该算法有很好的执行效率和反走样效果。     

基于亚像素精度的任意宽度直线反走样算法

针对地图可视化中地图及地图符号边界出现走样现象,提出了亚像素精度的任意宽度直线反走样算法,结合数值微分(DDA)算法和亚像素精度直线反走样算法,计算有宽度直线的边界像素点的整数坐标位置以及像素点的覆盖面积,从而计算边界像素点的绘制亮度,再结合直线的本来亮度值来确定边界像素点的最终亮度值,从而使边界像素变化平滑,减少边界的锯齿.仿真结果表明,改进算法的像素亮度等级能够达到较高等级,生成的地图符号边界比较细腻,反走样效果好,在地图可视化中得到较好的应用.     

凌钢中宽热轧带钢生产线自动化系统改造

凌钢中宽热轧带钢生产线R2轧机、热卷箱、飞剪部分“三电”改造工程以高性能工控机、PLC及全数字传动控制系统为核心,传动系统与PLC之间通过Profibus进行通讯,从而改变了原系统装置水平低下,技术落后的状况;并且通过对软件系统即控制模型的优化和改进,弥补了原系统存在的缺陷,提高了系统整体工艺控制水平。系统改造后控制准确,运行可靠。由此又提出了对整条轧线自动化系统做进一步改造的必要性。     

薄膜线条宽度对坡莫合金AMR性能的影响

利用半导体标准工艺,在8英寸工艺平台上,通过光刻和剥离工艺制备出不同线条宽度的坡莫合金材料Ta(5 nm)/NiFe(12 nm)/Ta(2 nm),然后再进行表面钝化、电极引出和TO-94封装以后进行测试.测试结果表明:在常温条件下,不同薄膜线宽对材料AMR值影响不大,而对薄膜材料的饱和磁感应强度影响巨大.当线宽从1...     

索尼推出内置USB线标清数码摄像机

<正>索尼近日宣布发表标清数码摄像机新品DCR-SX85E。201 1年伊始即向广大入门级用户推出了这款好拍易用的闪存型标清数码摄像机DCR-SX85E。DCR-SX85E,可自动识别36种场景创造出理想的拍摄效果;其变焦能力在去年SX系列最高60倍的基础上提升到了70倍光学变焦;新型的电子防抖(增强模式)更提升了影像在广角端的稳定性。SX85E具有黑色、红色和银色三款机身并首次运用Handycam的内置式USB线。把USB线隐藏于手带中,内置PMB软件,使影像     

串扰对纳米级设计的影响

寄生参数越来越受到人们的关注。针对目前集成电路工艺水平的特点,简要介绍了串扰对纳米级设计的影响以及解决方案。     

AutoCAD图形插入Word中线宽和文本方向的控制

讨论了AutoCAD图形用几种方法插入到Word中图形线宽和文本方向的控制,对几种插图方法作了比较,对层的概念进行分析,找到了一种最佳方法来编辑线宽和文本,编辑完后对图形的缩放不影响线宽,提高了插图的质量。为书籍、期刊编排人员和科技论文的作者提供了参考。     

基于LVDT的纳米级位移测量系统设计与实现

提出了一种基于数字信号处理器的线性可变差动变压器LVDT (linear variable differential transformer)解码方案,设计了解码器的硬件系统和软件系统.其中采用脉宽调制技术PWM(pulse width modulation)产生LVDT的激励信号,应用Goertzel算法进行实时数字信号处理,采用黄金分割算法优化BP神经网络结构实现LVDT零点附件的非线性补偿,使用程控放大器实现非线性部分的高分辨率测量.系统克服了基于模拟电路的LVDT解码电路存在的老化、零漂等问题.最后,通过实验验证了解码系统的可行性,实现了LVDT零点附件的线性化.     

智能化高精度脉宽数字滤波电路的设计

在信号的传输过程中,噪音信号不可避免地会干扰正常信号.如何对混合信号进行信噪分离,是目前业界普遍关注和研究的问题.针对高频方波信号的信噪分离问题,提出了智能化脉宽数字滤波的技术方案,并设计了一种实用的脉宽数字滤波电路,消除了测量信号中的尖峰干扰成分.实践证明：该电路能有效地实现高频方波信号与尖峰脉冲干扰信号的信噪分离.