薄膜厚度的EDS测量

薄膜厚度的ＥＤＳ测量赵家政徐洮（中国科学院兰州化学物理研究所固体润滑开放实验室，兰州７３００００）在电镀膜、真空蒸发膜、表面处理膜、溅射膜、润滑转移膜等的扫描电子显微分析中，除观察其表面形貌外，还希望同时测得薄膜的厚度。薄膜厚度的测量，尽管有光学法［...     

用红外热成像系统测量薄膜厚度的方法

薄膜涂层通常是用来保护表面或增强表面功能的。为了提高涂层的经济效益,涂层的厚度有变小的趋势。随着厚度的变薄,涂层厚度的均匀性就变得越来越重要了,因此就需要对涂层进行测量。     

测量聚合物薄膜厚度的一种简便方法

本文介绍了用准波导耦合ｍ线技术测量聚合物薄膜厚度的方法。测量结果表明，薄膜样品厚度的误差为３．６２×１０＾－２μｍ。并对测量精度作了分析和讨论。     

薄膜厚度的电子探针测定

由于电子束的穿透本领很低,在使用较低的加速电压时更是如此,因此用电子探针测定薄膜厚度是很灵敏的。据估计,对重金属膜可测出nm量级的差别。关于电子探针测量有衬底薄膜厚度已有不少的文献报导,在此基础上,本文采用改变加速电压的方法,测量了不同衬底上,不同厚度铝薄膜的X射线归一化强度,画出归一化强度和加速电压的关系曲线,得出归一化强度恰等于1的电压值E_d,然后选择X射线激发深度公式,计算出薄膜的质量厚度。并将此结果与化学分析法,重量法等的试验结果,以及Monte Carlo模拟计算值加以比较,结果说明:电子探针测定有衬薄膜厚度是一种简易可行,又有着一定准确度的方法。     

用多通道传感器测量薄膜厚度

本发明提供一种用以分析薄膜特性的系统和方法。由于采用了具有多个探测通道的红外传感器和合适的滤光片,该系统能够瞬时探测干涉条纹的特征。该测量系统的工作步骤如下:     

用简单的器件测量薄膜厚度

液体-蒸气界面之间的薄膜厚度可以揭示与流体-机械系统性能有关的大量信息.管子内壁上致冷剂液膜的厚度则可以帮助我们确定致冷剂向内和向外传热的情况,而且还可以表明最佳的液压量.喷射到内燃机油缸壁上的太多的燃料可以预示无效的运转.同样,在蒸气发电厂内,如果内部管壁上缺乏水分,那么就可以表明这是一种危险的情况.     

用EDS测量薄膜的厚度及其元素的深度分布

在扫描电子显微观察的同时，用ＥＤＳ测量薄膜的厚度及其元素的深度分布［１，２］简便可行。薄膜厚度的测量例１．载玻片上的ＣｏＣｕ膜。对载玻片、Ｃｕ底膜和ＣｏＣｕ膜，用ＥＤＳ分别进行了测量，其数据列入表１。根据电子在膜中的穿透深度（４０ｋＶ时在Ｃｕ膜中穿透...     

InGaAsP/InP外延薄膜折射率与厚度测量

本文报道一种应用波导耦合光栅测量InGaAsP/InP外延薄膜折射率与厚度的方法。该法测量精度高,具有非破坏性与工艺实时性优点。外延薄膜折射率与厚度测量精度分别可达到±2×10~(-3)与±1×10~(-2)μm,这完全满足DFB与DBR等一类半导体激光器以及有源导波光学器件的设计需要。     

基于光学相干层析成像技术的薄膜厚度测量

为了对薄膜厚度进行测量,采用白光谱域光学相干层析成像的测量方法,进行了理论分析和实验验证,对以玻璃为基片的单层和多层薄膜样品进行了层析成像实验,获得了样品的2维层析图像。结果表明,该系统不仅能显示薄膜样品内部的微观结构,而且能从2维层析图像中得到单层和多层薄膜的厚度(分别为68μm和30μm),测量值与理论值相吻合,从而验证了测量理论正确性。该系统具有较高分辨率,可实现快速成像,满足实际工业测量需要。     

金刚石薄膜衬底表面预处理技术

本文介绍国内外低压合成金刚石薄膜中对衬底表面预处理的几种典型的工艺方法；探讨衬底表面预处理对低压下合成金刚石薄膜的影响。     

薄膜机械强度测试方法

用物理气相沉积技术(PVD)及化学气相沉积技术(CVD)制备的金属或金属化合物(如TiN、TiC等)薄膜,涂复在机械零件及刀、磨具的表面上,获得了日益广泛的应用。而薄膜的机械强度,是评价薄膜性能优劣的一个重要指标,本文试就薄膜抗拉强度和耐压强度的几种测试方法进行了归纳和论述,并对这些方法的适用范围及局限性进行了比较。     

金属基BSiN薄膜结合力测试及AES分析

我们采用低温等离子体ＣＶＤ技术在金属表面成功地淀积了ＢＮ－ＳｉＮ复合陶瓷薄膜。并用ＢＦ－１型薄膜附着力测定仪测试了它的结合力，以及用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）分析其成键状态。结果表明：这种薄膜与基体之间具有较强的Ｆｅ－Ｂ键结合力。     

薄膜镱压力传感器的特性与制造

镱压力传感器在０─３ＧＰａ范围内，与锰铜传感器和碳阻传感器相比，更适合于冲击波的动态测量。用微细加工技术制造的薄膜镱传感器，兼有镱材材和薄膜器件的优异特点。本文叙述了镱传感器的特性与制造。     

用SiO2气凝胶做隔热层的铁电薄膜红外探测器性能与铁电薄膜层厚度的关系

研究了铁电薄膜红外探测器响应率等器件参数随铁电薄膜厚度的变化.器件的隔热层结构采用气凝胶二氧化硅.实验发现器件的热释电系数,吸收率以及热导均随膜厚增加而增加.铁电膜层厚度为240nm的器件,其热导与微桥结构器件的热导相近,都为10-7W/K量级,证明气凝胶二氧化硅做隔热层能够制备出性能优良的热释电红外探测器.随着薄膜厚度增加,热导急剧增大,这是引起器件响应率降低的原因.制备铁电薄膜过程中的多次650°高温退火可能降低了二氧化硅多孔率.     

采用X射线测量硬质薄膜宏观内应力的拉伸法

本文讨论了一种采用拉伸释放薄膜宏观内应力的Ｘ射线应力测量方法，并用此方法测量了含有梯度过渡层的ＴｉＮ薄膜的内应力。     

BiFeO3薄膜中的电学输运性质

报道了铁酸铋薄膜样品在80K~300K温度范围直流电学输运性质的研究结果.利用同一前驱体不同老化时间,用化学溶液沉积法在钛酸锶衬底上制备出两种样品.在低阻样品中,低场下电流随电压变化遵从欧姆定律,电阻不随温度变化;而在中等强度外场下显示出肖特基二极管性质.在高阻样品中,低场下电流密度沿晶界分布,输运中的势垒能级为0.57eV;高场下电流的传输则遵从Frenkel-Poole模型,相关势垒能级0.12eV.低阻和高阻两种样品在85K温度下可测最大剩余极化分别为2.6μC/cm2和28.8μC/cm2.     

在有机玻璃基底上制备ITO透明导电膜

使用直流辉光和微波电子回旋共振两种等离子体辅助反应蒸发法在有机玻璃基底上制备了透明导电ＩＴＯ膜。在实验中详细地研究了氧分压对膜的透光率和方阻的影响。由于等离子体对膜料的活化和对基片表面的轰击效应．降低了沉积温度。     

高温超导膜微波滤波器

我们用氧化锆单晶衬底GBCO高温超膜研制了超导膜悬微波低通滤波器。在77K测试获得:通带插损在0—2GHz,0—4GHz和0—6GHz通带内,分别为0.326dB,0.507dB和1.393dB。文中阐明悬置微带电路用于研制高介电常数衬底的高温超导微波无源器件是适宜的。     

热成像系统测试技术

系统地综述了热像系统主要性能参数的主，客观测试方法，以及有关测试设备的校准，标定方法，并分析了这些测试技术的理论依据。