PTC热敏电阻生产中二次掺杂量的修正

ＰＴＣ热敏电阻生产中二次掺杂量的修正成都宏明电子实业总公司吴敌１二次掺杂量修正的必要性在ＰＴＣ热敏电阻生产中，由于原材料含有一定的杂质，有些杂质，如Ｎａ＋、Ｆｅ（３＋）等，会妨碍半导化。特别是对于国产工业纯原料，施主掺杂ＢａＴｉＯ３半导化比较困难。因...     

钛酸钡基陶瓷材料晶界掺杂与PTCR效应

“晶界掺杂”是一个全新的概念,它针对的是陶瓷晶界。在钛酸钡材料中,晶界掺杂能明显地改变ＰＴＣＲ效应。在晶界上,施主杂质同某些受主杂质一样,也可以明显提高材料的ＰＴＣＲ效应。通过晶界掺杂引入的Ｐｂ２＋则对ＰＴＣＲ效应有明显的损害。     

不同施主掺杂的BaTiO3基PTC热敏陶瓷复合工艺的研究

设计了一种不同施主掺杂的ＢａＴｉｏＯ３基正温度系数（ＰＴＣ）热敏陶瓷的复合，论述了该复合陶瓷的工艺要点，得到了线性度为２％、线性温区宽度为１００℃的优质ＰＴＣ热敏陶瓷，并对结果进行了讨论。     

微波场中烧结BaTiO3系半导体陶瓷的研究

采用ＴＥ３１０３单模腔微波炉烧结ＢａＴｉＯ３系半导体陶瓷，对微波与陶瓷材料相互作用机制进行了探讨，分析了ＢａＴｉＯ３陶瓷微波结过程中各损耗随温度的变化规律；同时，分别在体系中引入受主杂质Ｃｒ＾３＋和施主杂质Ｎｂ＾５＋，研究微波场中杂质浓度对钛酸钡陶瓷晶粒生长的影响。     

BaTiO_3系PTC热敏电阻施主加入物的研究

常用的施主加入物是Ｙ３＋和Ｎｂ５＋，施主掺入量一般控制在ｘ＝０．２％～０．３％为宜。影响施主掺入量的因素有原料纯度、烧结助剂、掺入施主的工艺等。研究了常用施主加入物的理化特性对ＰＴＣ热敏电阻性能的影响，提出了施主加入物的技术标准。     

施主半导化BaTiO3 PTC陶瓷的电压效应

利用敏感半导体陶瓷的显微物理模型，研究了ＢａＴｉＯ３基ＰＴＣ陶瓷材料的电压效应。结果表明，ＰＴＣ陶瓷材料的电压系数与施主浓度、表面态密度、晶粒尺寸和晶粒尺寸分布等有关。这些结果与已有实验结果相符，它们为ＰＴＣ陶瓷电压效应的设计与测量提供了理论基础。     

施主半导化BaTiO3PTC陶瓷耐压特性

本文利用敏感半导体陶瓷的显微物理模型，计算了ＢａＴｉＯ＿３基ＰＴＣ陶瓷材料的耐压特性。结果表明，ＰＴＣ陶瓷材料的耐压性能与施主浓度、表面态密度、颗粒尺寸和颗粒尺寸分布及散热条件等有关。这些结果与已有实验结果相符，它们为ＰＴＣ陶瓷耐压设计与测量提供了理论基础。     

双施主掺杂对BaTiO_3基半导瓷结构和性能的影响

系统地研究了Ｓｂ~（３＋）、Ｎｂ~（５＋）掺杂对多晶（Ｂａ、Ｐｂ、Ｃａ）ＴｉＯ_３微观结构和电性能的影响。结果表明：双施主掺杂比单一Ｓｂ~（３＋）“或Ｎｂ~（５＋）更能降低试样的室温电阻率。比较了Ｌｉ~＋的存在与否对瓷料烧结性能、电性能及热稳定性的影响。     

Bi2O3蒸汽掺杂的Ba1—xSixTiO3半导化陶瓷的PTCR效应

施主掺杂的钛酸钡陶瓷的ＰＴＣＲ效应来源于晶界上的钡空位。在Ｂｉ２Ｏ３蒸汽两次掺杂的样品中发现了大于８个量级的ＰＴＣＲ效应。在烧成过程中的Ｂｉ２Ｏ３蒸汽掺杂时，高氧分压下可以产生更高的钡空位浓度，因而样品具有更高的ＰＴＣＲ效应。     

SrTiO_3系多功能陶瓷一次烧成中的掺杂行为

采用一次烧成法制备了ＳｒＴｉＯ３系多功能陶瓷，测试了样品的介电性能和压敏性能，分析了施主杂质和受主杂质的掺杂行为。研究结果表明，受主杂质Ａｇ＋、Ｎｉ２＋掺杂的样品均具有优良的介电性能和压敏性能，烧结气氛对施主杂质和受主杂质的掺杂行为产生重要影响     

PT／P（VDF—TrFE）复合材料的压电和热释电性能

采用压塑方法成功地制备了掺钙钛酸铅／偏氟乙烯与三氟乙烯共聚物Ｐ（ＶＤＦ－ＴｒＦＥ）０－３型复合材料。对两种极化样品的方法进行了讨论，其一是仅仅让复合样品中的陶瓷极化，另一种是让两相均被极化，当陶瓷和聚合物在同一方向极化时，其二相的压电性能部分抵消，而热释电性能增强，因此，在一定的体积比下，陶瓷与聚合物复合材料存在热释电性而无压电性，最后，测量和讨论了样品的压电常数ｄ３３，厚度耦合系数ｋｒ和热释电系     

高温PTC陶瓷研究进展

概述了高温ＰＴＣ陶瓷近几年来的研究进展，着重介绍了（Ｂａ、Ｐｂ）ＴｉＯ３高温ＰＴＣ陶瓷体系中Ｐｂ对居里点移动的影响，以及掺杂种类和陶瓷制备工艺等方面的研究进展，简要论述了ＰＴＣＲ的唯象分析理论，展望了高温ＰＴＣ陶瓷的研究前景。     

Bi掺杂BaTiO_3基PTC陶瓷的制备、微结构和电性能

采用液相掺杂及低温固相反应法制备了Bi掺杂BaTiO3纳米晶体,然后经烧结制得了Bi掺杂BaTiO3基PTC陶瓷。分析了所制Bi掺杂BaTiO3晶体的物相、晶粒大小及微结构,研究了烧结条件对所制PTC陶瓷电性能的影响。结果表明:Bi掺杂BaTiO3晶体在常温下为立方晶系,颗粒基本呈球形且大小均匀,粒径约为60 nm;在烧结温度为1 330℃、保温时间为20 min条件下所制PTC陶瓷性能最佳:室温电阻为26.29,升阻比为3.585×104。     

双施主掺杂对BaTiO_3基PTC陶瓷性能的影响

研究了Nb2O5和Y2O3双施主一次掺杂对PTC BaTiO3陶瓷性能的影响。探讨了Nb2O5和Y2O3的作用机制,结果表明:Nb2O5主要是起施主作用;而Y2O3既可作为施主,又可起受主作用。添加适量的Y2O3,不仅可以降低电阻率,还可以提高升阻比。另外,还对改变施主掺杂顺序所产生的PTC效果进行了比较,发现施主二次掺杂的效果不如一次掺杂好。     

几种电子陶瓷材料的研究与思考

给出了氧化铝陶瓷、微波陶瓷及PTC热敏陶瓷等几种电子材料的一些研究成果。发现95%~97%Al2O3陶瓷的机械强度不仅和晶体大小,而且和形貌及分布有关。制备的(Zr,Sn)TiO4微波陶瓷的?r为35~41,?f为(-14~+20) ×10-6℃-1和Q0≥5 000 (10 GHz)。采用化学共沉淀法制备了超细 (Ba,Sr,Pb) TiO3粉并获得了高性能PTC热敏陶瓷。对研究成果产业化进展提出若干思考问题并进行了探讨。     

溶液反应法制取钛酸钡

介绍了溶液反应法制取钛酸钡（ＢａＴｉＯ３）的工艺，对主要的工艺条件进行了探讨，并用ＢａＴｉＯ３微粉制备了ＰＴＣ陶瓷和压电点火陶瓷，测试了有关电性能。结果表明，这种ＢａＴｉＯ３微粉具有纯度高、结构均匀、组成准确的特点。ＰＴＣ陶瓷和压电陶瓷都具有较好的性能。     

Sol-Gel法制备全组分高温PTC陶瓷材料

采用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法制备全组分高温ＰＴＣ陶瓷材料，与常规固相反应法相比，对于相同配方和烧结工艺，可明显降低高温ＰＴＣ陶瓷材料的电阻率，同时具有良好的ＰＴＣ效应     

低电阻率、大升阻比BaTiO_3基PTCR陶瓷材料

研究了Sb2O3和Ta2O5双施主掺杂对低电阻率的BaTiO3陶瓷PTC特性的影响。在Sb2O3和Ta2O5的摩尔分数分别为0.1%和0.01%时,得到了室温电阻率为4.59 Ω·cm,升阻比为3.4的优质PTCR陶瓷材料。通过XRD 、SEM显微结构分析;复阻抗测试,估计晶粒和晶界电阻值,探讨了Sb2O3和Ta2O5的作用机制。     

添加碳对BaTiO_3 PTC陶瓷之影响

在ＢａＴｉＯ_３ＰＴＣ粉体中添加碳粉，可制成多孔性的陶瓷材料，同时对材料的ＰＴＣ特性及批量生产的重现性有明显改进。     

PTCR元件化学镀镍电极的最优工艺条件

采用正交试验法研究了络合剂浓度、镀液 pH值、施镀温度与时间对BaTiO3 陶瓷PTCR元件化学镀镍电极的影响 ,得到制备化学镀镍电极的最优工艺条件。重复试验证明 ,在该工艺条件下获得的以Ni镀层为底层电极的PTCR元件 ,其耐电压和耐工频电流冲击性能良好。