碳纳米管与聚苯胺混合物的场发射

本文研究碳纳米管和聚苯胺混合物的场发射.用N-甲基吡咯烷酮溶解的聚苯胺和单壁碳纳米管混合溶液滴在硅片上,在垂直于样品平面的稳恒静电场的作用下,制成了不连续的薄膜.薄膜由尺寸在(2～5)μm的岛组成,分布比较均匀.测试其场发射特性,开启电场(10μA/cm2)为8.06 V/μm.经过计算,得到升压过程和降压过程的场增强因子β分别为8.3×102和1.1×103.用透明阳极技术观测其场发射中心分布,荧光屏上的像点比较均匀,没有观察到明显的屏蔽效应.     

碳纳米管阵列密度对其场发射性能的影响

本具体研究了外电场，碳纳米管自身线度，尤其管的阵列密度对其场发射性能的影响，在均匀碳纳米管阵列模型下，从理论上给出碳纳米管阵列的尖端电场，电场增强因子以及最佳阵列密度的解析表示式，理论结果表明，电场增强因子的数量级为10^2－10^4，并且碳纳米管阵列的电场增强因子与其管密度之间有着敏感的依赖关系，即当密度取某一特殊值（又被称作最佳密度值）时，电场增强因子会明显增大，相对最佳密度而言，过高或过低的管密度都将削弱碳纳米管的尖端电场，进而晚管阵列的场发射性能。     

碳纳米管阵列栅极冷阴极场发射增强因子的计算

垂直于栅极冷阴极六角排列的碳纳米管(CNTs)阵列是最具有应用前景的CNTs场发射平面显示器结构.计算了该结构尖端及侧壁的电势和电场分布以及场增强因子.计算结果表明:CNTs尖端处电场强度很大,随着半径Υ的增加,电场强度急剧减小;CNTs长径比L/Υ越大,尖端电场越强;栅孔半径R越大,CNTs顶端电场强度越小.     

基于小波神经网络的图像表述

小波神经网络有机地融合了小波分析的时频特性和神经网络自适应优点。本文将小波神经网络应用于图像表述，提出相应的图像表述算法。分别采用两种小波函数作为网络激励函数，以验证图像表述效果。实验结果表明，小波神经网络能够有效地表述图像，其算法具有较强的鲁棒性。     

电介质TiO2粉体增强印刷碳纳米管薄膜的场发射性能

提出了一种可显著改善丝网印刷碳纳米管（CNTs）薄膜场发射特性的浆料制备方法。该方法以乙基纤维素为制浆剂,松油醇为溶剂,通过超声波把CNTs和TiO2粉体均匀地分散成CNTs/TiO2复合浆料,扫描电镜表明,丝网印刷的CNTs/TiO2薄膜在高温下烧结后形成连续的膜体,CNTs被球状的TiO2颗粒均匀隔离;场发射特性测试表明,与单纯的CNTs薄膜相比,CNTs/TiO2薄膜的开启电场降低了0.2V/μm,在电场强度为4.0V/μm时电流密度增加了26.5μA/cm2,结果说明,该方法对于提高CNTs的场发射特性有明显的作用,在CNTs发射显示器的制作中有很好的实际应用价值。     

基于小波神经网络的凝汽器故障诊断

引入小波变换优化神经网络,建立了凝汽器故障征兆参数集,利用小波神经网自适应能力强、收敛速度快、精度高的特点对凝汽器故障进行诊断。应用结果表明,该方法能够有效地对凝汽器故障进行准确诊断。     

基于DDE和小波分析的神经网络故障诊断

应用DDE技术对小波分解后的故障信号进行特征提取 ,利用BP网络进行故障诊断 ,并给出了齿轮箱的故障诊断实例 ,实验证明 ,此方法能取得较好的效果。     

CVD法和丝印法制作的碳纳米管场致发射冷阴极的研究

本文研究了丝网印刷法和CVD生长法制备的碳纳米管冷阴极的场致发射性能.结果表明,在没有模板的情况下,通过CVD生长的碳纳米管的直径与催化剂颗粒的直径有关,随催化剂颗粒的直径变化而变化,生长方向是随机的,但大电流发射稳定性较差;用丝网印刷方法制作的碳纳米管致发射冷阴极,场发射电流发射较稳定.     

电泳和电镀法增强碳纳米管场发射特性的研究

碳纳米管(CNT)和衬底的电学接触问题是获得高性能CNT电子器件的一个关键性的问题。本文采用电泳电镀方法制备CNT冷阴极,有效改善了CNT与衬底间接触电阻,增强了碳纳米管场发射性能。电泳电镀法制备的碳纳米管冷阴极场发射的开启电场(电流密度为10μA.cm-2时的电场)由2.95 V.μm-1降低到1.0V.μm-1,在电场为8V.μm-1时电流密度由0.224增加到0.8112mA.cm-2。在电流密度为800μA.cm-2时进行1h的场发射稳定性测试,结果表明,电泳电镀法所得CNT场发射电子源电流密度几乎不变,而且电流密度比较稳定;而只有电泳的方法获得的CNT场发射电子源电流密度波动较大,电流不稳定且呈较快的衰减趋势,1h后减少到原来的75%。采用电泳电镀方法制备CNT阴极,CNT的根部被纳米银颗粒覆盖和包裹,使CNT与衬底接触更加牢固而紧密,又由于银具有很好的导电性,从而大大减小了接触电阻,因此电泳电镀法能大大改善CNT与衬底的电学接触性能。     

碳纳米管增强铝基复合材料的研究进展

主要从制备方法和力学性能两方面综述了碳纳米管增强铝基复合材料的研究现状,分析了各种制备方     

碳纳米管场发射特性的研究

将CVD方法制成的碳纳米管沉积在钼针尖上 ,测试了这种材料的场发射特性。结果表明这种材料可作为一种新型高效的场发射体。同时还将其与纯钼针在场发射方面进行了比较     

碳纳米管的薄膜场发射

薄膜场发射特性是碳纳米管 (CNT)研究的重要课题之一 ,它直接关系到CNT场发射阴极在将来的实际应用。本文就CNT的场发射做一综合评述 ,主要涉及性能指标、结构模型、图形化方法和工艺等     

丝网印刷制备碳纳米管场发射阴极的研究

碳纳米管(CNT)是理想的场发射阴极材料.本文分析了CNT的长度、直径以及排列密度与CNT阴极场增强因子的关系,研究了大面积CNT场发射阴极的丝网制备技术,包括CNT浆料配制、阴极电极的制作、阴极烧制方法和表面处理方法.文中实际制备了CNT阴极,利用二极管结构测试了对其表面处理前后的场发射性能.实验结果证明,采用本文所研究的制备技术能够印制高性能的场发射CNT阴极,该研究为制备大面积CNT阴极阵列提供了技术基础.     

电泳法制备碳纳米管场发射阴极的研究

利用传统的电泳方法,在玻璃基片上成功地制备了场发射用碳纳米管阴极薄膜.用扫描电子显微镜和拉曼光谱观察了薄膜的形貌和结构,并测试了所制备的薄膜阴极的场发射特性.实验结果表明在玻璃的银浆导电层上沉积了一层较薄而均匀的碳纳米管膜,其场发射特性与丝网印刷工艺制备的阴极有相似甚至更佳的性能,具有更好的发射均匀性.采用电泳方法制备场发射阴极具有简单易行,成本低廉等优势,可以避免丝网印刷工艺带来的有机杂质污染和发射不均匀等问题.     

用FEM/FIM研究单壁碳纳米管束

利用范氏力将单壁碳纳米管样品组装到钨针尖上 ,用FEM/FIM对同一碳纳米管样品用热处理方法和场脱附方法进行了研究。场离子显微镜是具有原子级分辨能力的尖端表面分析工具 ,由场离子像推测这次组装的样品是由三根单壁碳纳米管突起组成的碳纳米管束。清洁碳纳米管束样品的场发射像和场离子像有极好的对应关系。场脱附后的碳纳米管束的场发射特性较好地符合Fowler Nordheim场发射模型。通过比较碳纳米管束吸附态和热处理后以及场脱附后的Fowler Nordheim曲线的斜率变化 ,得出碳纳米管束样品逸出功的变化 ,再结合场发射像的变化推断出场脱附与热处理结合是一种较理想的获得清洁碳纳米管表面的方法     

Field Electron Emission from Layers with Very Long and Sparse Carbon Nanotubes

For carbon layers with very long and sparse nanotubes (nanofilaments) field electron emission at very low average electric field was observed. Field emission current of 10 µA was obtained at the average electric field E_av=0.16 V/µm and the value of the field amplification coefficient β reached 45,000. At high emission currents (exceeding 30-50 µA) one or several luminous nanotubes (nanofilaments) heated by the emission cuurent have been observed in the gap between the sample and the anode.     

利用场发射显微镜研究单壁碳纳米管的场发射特性

利用场发射显微镜研究了单壁碳纳米管(SWCNTs)的场发射特性.由于实验中所用的SWCNTs的长度基本一致,因此能同时观察到多根SWCNTs的场发射像.SWCNTs的场发射像随着热处理温度的升高而变化,直至热处理温度过高而塌缩.在一定的实验条件下,观察到了具有精细结构的单根碳纳米管顶端"帽子"的场发射像.电流-电压(I-U)曲线分析表明,SWCNTs的电流来源于场发射.     

碳纳米管的制备及其场发射应用研究

由于碳纳米管（CNTs）具有独特的结构和性能，因而自被发现以来一直受到人们的关注。本文介绍了其制作方法；列举了其场发射性能的主要指标；阐述了影响其场发射性能的因素，比如结构、定向性、阵列密度和环境气氛；并介绍了其在平板显示方面的应用。     

碳纳米管复合材料场发射性能研究现状

碳纳米管具有管径小、长径比高的结构以及物理化学性能稳定等优良特性,被认为是真空冷阴极场发射电子源和场发射平板显示理想的阴极材料。加之碳纳米管兼具有机械强度高、韧性好等出众的力学性能,使其成为复合材料的理想添加相,将其与其他材料复合,可以制备出具有更加出众性能的复合材料。近年来有关碳纳米管及其复合材料场发射研究已成为一个备受关注的热点。概述了阴极场发射理论以及与碳纳米管场发射相关的几种场发射物理机制,介绍了碳纳米管复合场发射阴极的研究现状及制备方法,最后对碳纳米管复合阴极场发射的发展前景进行了展望。