共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
3.
4.
采用多孔氧化硅形成超薄SOI结构的研究 总被引:1,自引:1,他引:1
本文采用多孔氧化硅全隔离技术获得了硅膜厚度小于100nm、硅岛宽度大于100μm的超薄SOI(TFSOI)结构.用透视电子显微镜剖面分析技术(XTEM)、扩展电阻分析(SRP)、喇曼光谱、台阶轮廓仪和击穿电压测量等技术对多孔氧化硅超薄SOI结构进行了分析,结果表明其顶层硅膜单晶性好,硅膜和埋层氧化层界面平整.实验表明硅岛的台阶形貌及应力状况取决于阳极化反应条件.在硅膜厚约为80nm的TFSOI材料上制备了p沟MOSFET,输出特性良好. 相似文献
5.
随着对各种用途 LCDs 需求的不断增长如航空电子学、电信、办公自动化及家用电器。为了使 LCD 生产厂家的产品有令人满意的工作性能,适当地规定 LCDs 理想的电光特性已成为电子器件制造商们的主要问题。 相似文献
6.
采用CoSi2 SALICIDE结构CMOS/SOI器件辐照特性的实验研究 总被引:2,自引:0,他引:2
讨论了CoSi2SALICIDE结构对CMOS/SOI器件和电路抗γ射线总剂量辐照特性的影响。通过与多晶硅栅器件对比进行的大量辐照实验表明,CoSi2SALICIDE结构不仅可以降低CMOS/SOI电路的源漏寄生串联电阻和局域互连电阻,而且对SOI器件的抗辐照特性也有明显的改进作用。 相似文献
7.
讨论了CoSi2SALICIDE结构对CMOS/SOI器件和电路抗γ射线总剂量辐照特性的影响.通过与多晶硅栅器件对比进行的大量辐照实验表明,CoSi2SALICIDE结构不仅可以降低CMOS/SOI电路的源漏寄生串联电阻和局域互连电阻,而且对SOI器件的抗辐照特性也有明显的改进作用.与多晶硅栅器件相比,采用CoSi2SALICIDE结构的器件经过辐照以后,器件的阈值电压特性、亚阈值斜率、泄漏电流、环振的门延迟时间等均有明显改善.由此可见,CoSi2SALICIDE技术是抗辐照加固集成电路工艺的理想技术之一. 相似文献
8.
讨论了CoSi2SALICIDE结构对CMOS/SOI器件和电路抗γ射线总剂量辐照特性的影响.通过与多晶硅栅器件对比进行的大量辐照实验表明,CoSi2SALICIDE结构不仅可以降低CMOS/SOI电路的源漏寄生串联电阻和局域互连电阻,而且对SOI器件的抗辐照特性也有明显的改进作用.与多晶硅栅器件相比,采用CoSi2 SALICIDE结构的器件经过辐照以后,器件的阈值电压特性、亚阈值斜率、泄漏电流、环振的门延迟时间等均有明显改善.由此可见,CoSi2SALICIDE技术是抗辐照加固集成电路工艺的理想技术之一. 相似文献
9.
10.
针对沟道长度为50nm的UTB SOI器件进行了交流模拟工作,利用器件主要的性能参数,详细分析了UTB结构的交流特性.通过分析UTB SOI器件的硅膜厚度、侧墙宽度等结构参数对器件交流特性的影响,对器件结构进行了优化.最终针对UTB SOI MOSFET结构提出了一种缓解速度和功耗特性优化之间矛盾的方法,从而实现了结构参数的优化选取,使UTB SOI MOSFET器件的应用空间更为广泛. 相似文献
11.
针对沟道长度为50nm的UTB SOI器件进行了交流模拟工作,利用器件主要的性能参数,详细分析了UTB结构的交流特性.通过分析UTB SOI器件的硅膜厚度、侧墙宽度等结构参数对器件交流特性的影响,对器件结构进行了优化.最终针对UTB SOI MOSFET结构提出了一种缓解速度和功耗特性优化之间矛盾的方法,从而实现了结构参数的优化选取,使UTB SOI MOSFET器件的应用空间更为广泛. 相似文献
12.
13.
14.
15.
光盘装置因用的光点尺寸约为1μm,所以需要数值孔径约为0.5的具有衍射极限性能的物镜。最近,面向这种用途,批量生产非球面单透镜,根据高性能要求对波面像差进行全面检查。过去因为用干涉系统进行检查,所以测量时间很长,每1个约2分钟。因此,本文为缩短测量时间,提出了由光点强 相似文献
16.
17.
本文研究了新近发展的支持向量机(Support Vector Machine,SVM)算法用于无损确定组织光学参数的特性和规律。利用蒙特卡洛模拟的样本数据系统研究了训练集样本数量对SVM预测精度的影响,在训练样本数为15的条件下,对μs',μa预测误差仅为1%、5%。实验研究了基于CCD测量的漫反射光和SVM算法确定组织模拟液光学参数的可靠性与精度。结果表明,支持向量机能够实现对光学参数的准确测量,结合CCD技术可应用于实际确定生物组织光学参数。 相似文献
18.
19.
《固体电子学研究与进展》2017,(1)
以0.2μm SOI RF工艺平台为基础,对射频开关测试结构基本特性参数进行分析研究。研究内容包括:a)栅极和衬底通过反向二极管连接;b)浮体器件;c)衬底通过大电阻接地(HR GND);d)衬底通过大电阻连接到栅极控制端(HR,Vsub=Vg)等四种结构。比较分析了其插入损耗、隔离度及谐波特性,并阐明产生差异的机制。研究结果可以为射频开关器件结构和电路设计做参考。 相似文献
20.
高校体育馆和社会体育馆在使用功能上有其共同之处,但也存在明显的差别。针对北京5所高校体育馆的声学测量结果,结合高校体育馆以体育教学为主、空间设计灵活的特点,对高校体育馆建筑声学设计和衡量标准中存在的问题进行了初步的探讨。 相似文献