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用FeCl2 NiCl2 ZnCl2组成的还原液和CH3COONH4 NH3H2O NaNO2组成的氧化液不断地向转盘上的玻璃基片喷镀,在90℃下反应制备了厚度1~2 μm的Ni-Zn铁氧体薄膜.X射线衍射(XRD)显示制备的薄膜具有尖晶石结构铁氧体的特征衍射峰.当氧化液的pH值从8.0增大到8.8时,薄膜的沉积速率和表面粗糙度都相应提高.氧化液pH值等于8.8时薄膜组成为Ni2 0.43Zn2 0.09Fe2 0.48Fe3 2O4.制备的薄膜显示了210.3kA/m的高饱和磁化强度和1.218kA/m的低矫顽力.这种优良的软磁薄膜可应用于射频感应器和微波频段的电磁干扰抑制器. 相似文献
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Nd2O3掺杂对NiZn铁氧体电磁性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了Ni0.4Zn0.6NdxFe2-xO4铁氧体的电磁性能,从材料的微观结构出发,着重讨论了Nd^3+离子对NiZn铁氧体起始磁导率μ,品质因素Q,截止频率fc电阻率ρ以及居里温度TC的影响。 相似文献
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软磁铁氧体材料的本征特性,通常用闭合磁路的标准样环测量确定。而实际应用的磁心形状各异,尺寸大小不同,与此密切相关的涡流损耗、谐波失真(THD)、频率特性等数据往往同标环大相径庭。国际电工委员会新公布的测量标准IEC62044-2(2005年3月)指出,不可以环形结果代表磁心,但可以在这种磁心中心打孔作为环形来测试。本文依据基本磁路定律,导出了单只与配对磁心稳定性参数间的定量关系,并立足于穿心绕线测量的试验事实,确定了单只抽测方法的合理性与可靠性,从而保证了测量数据更符合整机使用实际。 相似文献
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通过添加适量CuO和Bi2O3,将Ni-Zn铁氧体材料的烧结温度降至870—920℃,达到Ni-Zn铁氧体材料与Ag电极共烧匹配的目的。试制了片式抗电磁干扰滤波器,并对其插入损耗特性进行了计算机模拟,表明所研制的抗电磁干扰滤波器不仅适合高密度表面封装技术的要求,也可满足宽频域抗电磁干扰需要。 相似文献
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采用旋转喷涂法在低温下成功制备出结晶完整、无杂相的Co铁氧体纳米薄膜,并研究了反应温度、平台转速等实验参数对铁氧体薄膜制备及性能的影响.分别采用扫描电子显微镜,X射线衍射仪|振动样品磁强计和原子吸收光谱仪来表征样品的形貌、晶体结构、宏观磁性以及薄膜成分.实验发现,反应温度控制在90℃以上时,薄膜生长的反应才能进行完全,且适宜的平台转速为150 r/min.在该条件下得到成分为Co0.6Fe2.4O4纳米薄膜的饱和磁化强度接近370 kA/m,矩形比接近0.6,垂直膜面的矫顽力约为215 kA/m. 相似文献
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以普通陶瓷工艺结合精细球磨制备了Li0.365Zn0.27MnaFe2.365-aO4和Li0.51Zn0.15Ti0.17MnaFe2.17-aO4铁氧体超细粉.研究了球磨时间和球质对粉料粒度的影响.实验表明,平均粒度随球磨时间的延长而减小,超过15h球磨效率就十分低了,获得了<0.2μm的平均粒度.钢球和ZrO2球的球磨效果相近.给出了氧化物法、880(20℃下烧结的Li0.365Zn0.27MnaFe2.365-aO4的密度、收缩率和Ms、△H与烧结温度的关系,显示出良好的低温烧结特性.获得了在880±10℃烧结温度下△H≤14kA/m,Ms=400(±5%)kA/m的磁性能.SEM照片表明氧化物法低温烧结样品的气孔率比Sol-Gel法样品的明显低. 相似文献
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