DSW6000B型缩小投影光刻机

<正> 半导体器件的真正高集成化始于刚称得上超LSI的64KDRAM,让我们沿着记忆的层次,回顾一下其发展过程吧!MOS存储器正从64KDRAM向256KDRAM乃至1MDRAM方向迅速靠拢。伴随着器件日益高集成化,光刻技术也取得了很大的发展。其中,分步投影光     

掩模检查设备

<正> LSI、VLSI正以飞快的速度向微细化、高集成化方向发展着,目前已从批量生产的64K位DRAM向256KDRAM逼近。随着设计规划的缩小,将光掩模(以下简称掩模)图形转印到硅片上的光刻方法也正从接触式曝光向投影式曝光乃至缩小投影的步进曝光方式迅速变化着。     

光学曝光系统

<正> 半导体集成电路是在不断追求高密度和低成本的过程中发展起来的。今天,64KDRAM已发展到了全盛时期,256KDRAM 也进入了批量生产阶段。光学曝光设备也随着这些器件的发展,由接触式光刻发展到1:1反射投影式及缩小投影的分步重复式光刻,同时实现了高精度化及多功能化。上述发展的结果,导致     

M5K416S型自备刷新功能的64DKRAM器件

1980年,各公司都制作出了64K动态RAM(64K DRAM)样品,1981年将进入批量生产的竞争时代。 三菱电机公司于1979年11月开始提供5V单电流工作的高性能64KDRAM样品,其后又对其规格、特性和质量作了改进,1980年9月制作成功质量与16KDRAM一样的高性能64K DRAM(产品型号:M5K 4164S),并已达到批量生产水平。     

集成电路测试处理机

最近,集成电路的微细加工技术,已经能够形成1μ的图形,集成度从LSI推进到VLSI。从而64KDRAM、256KDRAM等集成度大的器件的大量生产如今已成为现实。集成度有以2倍/年的比例增加的倾向。可以预测,高集成化将会更加向前迈进。随着集成度的增加,器件高速化;随着位数和门数的增加,呈现出了多引线化的倾向。     

光刻胶处理系统

<正>半导体集成电路的大容量和高密度化异常惊人,以存储器为例,1M位的DRAM已经批量生产,而4M位的DRAM也有试制品发表。光刻技术是这些产品图形微细加工的关键之一。生产高密度器件要有高的成品率,就要提高膜和线宽的均匀性及无尘化等,所以要求改进光刻胶处理装置。在此介绍光刻胶处理装置近况并叙述今后发展的有关动向。     

实现4兆位DRAM的主要亚微米工艺技术

1M位DRAM已经突破了器件实用化研究阶段,工艺开发的重点已逐渐转移到4M位DRAM用的工艺上。4M位DRAM确实是用超微图形而大量生产出来的最早的LSI,但要突破1微米条宽这一大关,大量的技术革新是必不可少的。 日本三菱电机公司LSI研究所,在1984年国际固体器件、材料会议(神户)和VLSI讨论会(圣迭戈)上相继发表了实现4M位DRAM的关键——几种基本图片加工的部分技术。     

连载2 金属加工的新方法—高能密度加工法综述

2.放电加工如第一章中所述,放电加工(ED M;Electrical Discharge Machining)即电火花加工是电加工、特别是物理加工发展的起端,因此是电加工中付之于实用最多的。而且所发表的有关文献也     

卡诺FPA__1500型缩小投影光刻机

<正> 为了迎接256KDRAM正式大批量生产的到来,就要搞清楚做为关键生产设备——缩小投影光刻机的性能及光刻技术极限,人们对这种对未来生产具有潜力的设备寄于很大希望。在这种情况下,用户要求这种设备具有更高的分辨能力,更好的对准精度,更佳的生产效     

国外半导体专用设备发展趋势

<正> 目前集成电路已由16M DRAM向64M DRAM、256M DRAM的方向发展,因此图形线宽逐步缩小,1984年1M DRAM的图形线宽为1.2μm;1985年4M DRAM的图形线宽为0.8μm;1987年16M DRAM的图形线宽为0.5μm;1990年日本日立公司又首先制成64M DRAM,其图形线宽为0.3μm;预计1995年将推出256M DRAM     

具有折式位线的HM4864

半导体IC生产迅速发展的重要原因在于大容量RAM已经能够大量地用在从大型计算机到游戏机等各种数字装置中。其中以体积小、价格便宜、已走向技术革新尖端行列的动态RAM数量最多。并且,现在正加快步伐把最先进的3μm技术用于64KDRAM的试制和生产。预计这种单5V电源器件在今后的数年内将促进数字机的进一步普及和发展。     

中国电子新闻

首钢日电试投产0.56微米4M位动态存储器 0.56微米4M位动态存储器日前在首钢日电电子有限公司投入试生产,它标志着我国集成电路产业跨进亚微米时代。自1995年初首钢与日方开始制订新的技术升级方案,即:前工序由6英寸1.2微米技术升级为6英寸0.5微米、以4M位动态存储器为代表产品的新技术;后工序由目前封装4M位动态存储器升级为16M位动态     

NXP玩转ARM MCU/DSC

NXP已经和正在采用ARM所有用于MCU／DSC的Cortex—M系列芯核开发芯片。新动向有：1．过去NXP的8051内核8位MCU曾风靡市场,但现在NXP已经逐步转向Cortex—M0,因NXP认为M0在占位尺寸、效率、低功耗方面比8051具有优势;2．Cortex—M3 MCU定位16位和32位MCU和DSP,已大量推出产品;     

零齿差齿轮加工技术探讨

本文详细分析了零齿差齿轮径向及切向变位机理,实现变位加工方法及变位时应进行的修正计算,变位后M值推导计算。     

九十年代的半导体设备

<正> 送走80年代,迎来90年代。从产品DRAM来看,80年代为K时代,90年代为M时代,90年代DRAM的主流产品为1M、4M、16M、64MDRAM。从芯片加工最小线宽来看,80年代为微米、亚微米时代,90年代为亚微米、半微米时代,即芯片加工最小线宽从0.8μm至0.2μm。从圆片加工尺寸来看,80年代以4、5英寸为主,90年代将以6、8英寸为主。大家都说;“一代设备、一代技术、一代产品。”那么90年代半导体设备是什么?其特点如何?我们该怎么办?     

ST：压赌Cortex-M3，出击16位MCU

Cortex—M3，是ARM家族近两年推出的一个超低价位的新架构。ARM公司的决策者不仅满足32位市场的战果，还计划向传统的8／16位市场进军，并深信，Cortex—M3必将取代传统的MCU结构。     

在一块芯片上集成225万个元件的1兆位DRAM

日本的东芝公司于去年11月1日发表了新一代超大规模集成电路的文章,它采用1.2μm的微细加工技术及新的元件隔离技术(BOX),在一块芯片上集成了约220万个元件的1M位动态RAM。 存取时间70ns 此超LSI,在4.78×13.23平方毫米的硅芯片上集成的元件是目前已达到实用化的最先进的超LSI-256k位DRAM的4倍,并将这种器件封装在与256k位DRAM     

泰利特发力亚洲市场

近日,泰利特（Telit）动作频频,先是在北京召开记者交流会、走访运营商介绍公司的发展业绩;后又赶赴中国台北参加了＂M2M技术与应用趋势＂研讨会,向与会人员介绍泰利特的产品和各方面的优势。     

超薄栅介质的可靠性研究

一、概述 随着亚微米工艺的日趋成熟,MOS集成电路的集成度也随之大幅度提高,所用的SiO_2在不断地减薄。例如,64KDRAM(动态随机存贮器)的氧化层厚度为30～40nm,256KDRAM的氧化层厚度为15～25nm,1MDRAM和电可擦可编程序唯读存贮器(EEPROM的氧化层厚度小于10nm。如图1所示。 氧化层不仅可用作MOSFET的栅介质,还可构成动态存贮器的存贮电容,并提供器件之间的隔离层。随着集成度的提高,芯片面积不断增大,器件尺寸按比例缩小,栅介质的不稳定和击穿等成为MOS集成电路失效的主要原因。例如,在EEPROM中,隧道击穿是导致其疲劳损坏的主要原因。因此,了解、分析、提高超薄栅介质的稳定性与可靠性是十分必要的。     

材料加工用激光束质量初探

本文从激光材料加工的角度讨论了以M2参数作为光束质量评价标准的可能性。指出对穿透式的加工方式,M2参数可以表示光束的实用价值,但对表面加工方式,M2参数的大小并不能反映光束实际的实用价值。