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研究了测试频率为0.3~1.5MHz时GaN基肖特基器件的电容特性.实验发现,在Au/i-GaN肖特基器件的电容-电压(C-V)特性曲线中,出现了峰和负值电容,而Au/i-Al0.45Ga0.55N肖特基器件的C-V特性曲线中则既没有峰也没有负值电容的出现.对肖特基器件的电流-电压(I-V)特性和C-V特性进行参数提取和分析后认为,负值电容和峰的出现源于界面态的俘获和损耗,但较大的串联电阻将减弱界面态的作用. 相似文献
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SiC肖特基势垒二极管 总被引:2,自引:0,他引:2
本文简要地介绍了半导体SiC材料的特性,并与Si、GaAs,GaP等材料作了比较,同时介绍了SiC9肖特基势垒及SiC肖特基势垒二极管的伏-安特性。 相似文献
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本文介绍了NiSi-Si中势垒的获得与特性.提出了NiSi-Si势垒肖特基二极管的基础制造工艺.解决了NiSi-Si势垒实用化中的两个具体问题——粘附层金属和表面保护层的选择.制造出了参数性能优良的NiSi-Si中肖特基势垒二极管. 相似文献
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金属保护层改善NiSi/Si肖特基势垒均匀性的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
用溅射-退火反应的方法制作NiSi/Si肖特基二极管,采用Ti和Co两种金属保护层结构,以提高硅化物的形成质量。对肖特基二极管反向I-V特性的测量结果表明:相对于没有保护层的样品,有保护层样品的反向电流明显减小,而且Ti保护层结构比Co保护层结构的作用更明显;没有保护层的管子和有保护层的管子具有不同的边缘特性。实验数据能够很好地用非均匀肖特基势垒输运模型拟合。提取出的参数表明,保护层结构在不同程度上有效地提高了肖特基势全的均匀性,从而减小了肖特基二极管的反向电流;边缘特性的差异性也是由于肖特基势垒均匀性的改变而导致的。金属保护层能提高肖特基势全的均匀性是因为保护层抑制了工艺过程中的氧污染。 相似文献
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SOI反偏肖特基势垒动态阈值MOS特性 总被引:1,自引:0,他引:1
将Ti硅化物-p型体区形成的反偏肖特基势垒结构引入绝缘体上硅动态阈值晶体管.传统栅体直接连接DTMOS,为了避免体源二极管的正向开启,工作电压应当低于0.7V.而采用反偏肖特基势垒结构,DTMOS的工作电压可以拓展到0.7V以上.实验结果显示,室温下采用反偏肖特基势垒SOI DTMOS结构,阈值电压可以动态减小200mV.反偏肖特基势垒SOI DTMOS结构相比于传统模式,显示出优秀的亚阈值特性和电流驱动能力.另外,对浮体SOI器件、传统模式SOI器件和反偏肖特基势垒SOI DTMOS的关态击穿特性进行了比较. 相似文献
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将Ti硅化物-p型体区形成的反偏肖特基势垒结构引入绝缘体上硅动态阈值晶体管.传统栅体直接连接DTMOS,为了避免体源二极管的正向开启,工作电压应当低于0.7V.而采用反偏肖特基势垒结构,DTMOS的工作电压可以拓展到0.7V以上.实验结果显示,室温下采用反偏肖特基势垒SOI DTMOS结构,阈值电压可以动态减小200mV.反偏肖特基势垒SOI DTMOS结构相比于传统模式,显示出优秀的亚阈值特性和电流驱动能力.另外,对浮体SOI器件、传统模式SOI器件和反偏肖特基势垒SOI DTMOS的关态击穿特性进行了比较. 相似文献
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本文采用衬底负偏压溅射方法对比研究了ZrN薄膜及其与GaAs的肖特基势垒特性,结果表明,该法不仅能降低ZrN薄膜电阻率,而且能增高GaAs肖特基势垒高度.文中还用不同剂量的氮离子对GaAs衬底进行注入实验,可以看出,氮注入明显地改善了Ti/n-GaAs肖特基势垒特性. 相似文献
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本文研究了经直流磁控溅射制备的TiN/GaAs肖特基结的电学特性.给出了不同退火温度下I-V,C-V测量结果及TiN/GaAs与Au/GaAs,Ti/GaAs,Al/GaAs接触特性的比较.应用AES与XPS进行肖特基结的表面和界面剖析,发现退火过程中TiN膜的氧化,N在TiN膜中的再分布及TiN-GaAs接触界面上的化学重组对肖特基结的接触特性有重要影响. 相似文献
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研究了AIGaN/GaN HEMT制备中相关工艺对器件肖特基特性的影响,并对工艺进行了优化.首先研究了表面处理对器件肖特基势垒特性的影响,对不同的表面处理方法进行了比较,发现采用氧等离子体处理,并用V(HF):V(H2O)=1:5溶液清洗刻蚀后的表面,可以有效减小表面态密度,未经处理的样品肖特基接触理想因子为2.6,处理后理想因子减小到1.8.对SiN钝化膜的折射率与肖特基特性的关系进行了研究,发现SiN钝化膜的折射率为2.3~2.4时,钝化对肖特基特性的影响较小,但反向泄漏电流较大. 相似文献
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本文对用分层电子束蒸发法形成的TiSi_x/GaAs的肖特基接触特性进行了研究,分析了不同组分下经快速退火和常规退火后TiSi_x的电阻率,与GaAs接触界面的热稳定性,化学稳定性及所形成肖特基结的电特性.结果表明:TiSi_21/GaAs界面在975℃、12秒快速退火下表现出好的热稳定性和化学稳定性,所形成的肖特基接触具有良好的电特性,在800℃、20分钟的常规退火下,界面处有Ti的堆积和某种界面化学反应.对于快速退火工艺,TiSi_2可满足作为自对准 GaAs MESFET栅极材料所要求的界面稳定性. 相似文献
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首先,介绍了肖特基二极管的基本原理和主要性能;然后,利用扩散势垒和多层金属化结构设计工艺对肖特基二极管进行了改进.结果表明,上述两种工艺能够使得肖特基势垒界面横向结构十分稳定,器件高温反向特性、低温正向特性得到提高,反向耐压与抗浪涌冲击能力大大增强,因而建议大力推广使用. 相似文献
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本文简述了肖特基二极管的原理,结构、性能特点,分析了生产中经常出现的异常击穿特性曲线,并提出了相应的改进措施. 相似文献
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超薄外延CoSi_2/n-Si的肖特基势垒接触特性 总被引:3,自引:1,他引:2
研究了超薄(~10nm)CoSi2/Si的肖特基势垒接触特性.Co(3—4nm)/Ti(1nm)双层金属通过快速热退火在Si(100)衬底上形成超薄CoSi2薄膜.X射线衍射测试表明该薄膜具有较好的外延特性.用I-V、C-V方法在82—332K温度范围内测试了CoSi2/Si的肖特基势垒特性.用弹道电子发射显微术直接测量了微区肖特基势垒高度.测试表明,用Co/Ti/Si方法形成的超薄CoSi2/Si接触在室温时具有优良的肖特基势垒特性,I-V方法测得的势垒高度为0.59eV,其理想因子为1.01;在低温时,I-V方法测得的势垒高度随温度降低而降低,理想因子则升高.采用肖特基势垒不均匀性理论,并假设势垒高度呈高斯 相似文献