一维纳米结构ZnO掺杂的研究进展

ZnO是目前已知纳米结构中形态最为多样的多功能材料之一,其一维纳米结构的掺杂改性日益成为研究和应用的热点.本文按照杂质原子引入一维纳米结构ZnO晶格的先后,将ZnO的掺杂分为原位掺杂和后期掺杂两类,对当前一维纳米结构ZnO的掺杂进展进行了回顾,提出掺杂工艺中尚待解决的问题,并对其发展趋势及前景进行了展望.     

一维ZnO纳米结构的场发射研究进展

一维纳米结构材料因其优异的电、光及场发射特性，在光电器件、场发射器件等方面具有重要的应用价值而备受关注。ZnO因具有优异的化学及热稳定性，并且其一维纳米结构具有极大的场增强因子，因而在场发射器件阴极中有良好的应用前景。首先简要介绍了ZnO的结构与性质，并重点介绍了ZnO一维纳米材料的常用制备技术及其在场发射领域的研究进展。     

掺杂氧化锌一维纳米结构的研究进展

氧化锌（ZnO）纳米结构的形态是已知纳米结构中最为多样的多功能材料之一，由于一维ZnO纳米结构在电子与光电子装置中如表面声波、光子晶体、光发射二极管、光电探测器、紫外激光器、生物／化学传感器、场效应晶体管等诸多领域均展现出其独特的物理化学性能，已经引起人们的极大研究热情．而选择不同元素掺杂为调节其电、光和磁性质提供了一种有效方法，对实际应用至关重要，因此一维纳米结构的掺杂日益成为研究和应用的焦点。按照掺杂方法和掺杂元素的不同，对目前ZnO一维纳米结构的掺杂进展进行了回顾，提出了掺杂工艺中存在的问题，并对其发展趋势及前景进行了展望。     

准一维纳米结构ZnO的制备研究进展

准一维纳米结构ZnO因其优良的光电性质,在制作纳米电子器件和纳米光电子器件等许多领域表现出巨大的应用潜力.对准一维纳米结构ZnO在衬底上的制备生长方法、性质及衬底的影响作了简要的叙述.     

一维纳米ZnO制备技术及应用研究进展

一维纳米ZnO由于具有良好的光学、电学和压电性能,在纳米光电子器件方面具有潜在的应用价值,已受到广泛的关注和重视.介绍了ZnO纤锌矿的晶体结构及性质,阐述了一维纳米ZnO的制备技术及其在光电子器件、传感器以及太阳能电池等方面的潜在应用,并进一步探讨了目前存在的问题及其今后的研究发展方向.     

一维纳米结构材料研究进展

一维纳米材料在纳米电子学、纳米光电子学、超高密度存储和扫描探针显微镜等领域具有潜在的应用前景,已成为21世纪材料领域研究的热点.本文介绍了一维纳米材料的特性和制备方法,并阐述了一维纳米材料的应用状况和前景,以及国内外在一维纳米材料方面的研究进展.     

ZnO准一维纳米结构生长形态的演化机理

利用气相生长系统,通过调控实验参数,制备了多种形貌的ZnO准一维结构,如纳米条带、[011-0]和[21-1-0]取向的单侧生齿的梳状纳米条带、微米尺度的梳状结构,由多节状六角棱柱和八角棱柱组装成的微米条带等.通过X射线衍射、扫描电子显微镜及其所加载的能谱分析和背散射电子衍射仪、高分辨透射电子显微镜等分析技术, 对其中具有代表性的介观结构进行了系统的形貌分析和细致的结构解析.分析出基本的结构单元及其复合体, 揭示了显微尺度下ZnO晶体的外形多样性以及其形态演化中的关联和规律,即ZnO纳米条带、梳状结构和多节状微米条带具有晶体结构上的同一性.     

一维纳米结构导电聚苯胺的研究进展

概述了一维纳米结构导电聚苯胺的研究进展,详细介绍了最新的合成方法,包括模板法、乳液聚合法、电化学合成法、静电纺丝法以及界面聚合法,并简要介绍了一维纳米结构导电聚苯胺的特性和潜在应用前景。     

Cu掺杂对ZnO纳米薄膜结构及物性的影响

利用溶胶-凝胶法制备了Cu掺杂Zn O纳米晶体薄膜,通过XRD、TEM、AFM、UV-VLS和VSM对其晶体结构、表面形貌、透光性、禁带宽度和磁性进行了表征和分析。结果表明,所有样品都具有c轴择优生长取向,Cu掺杂没有改变Zn O晶体的纤锌矿结构,即没有检测到任何非晶态产物以及各种第二相的存在,表明Cu2+已经取代Zn2+融入了晶体。但是,Cu的掺杂浓度以及煅烧温度的变化,改善了薄膜的粗糙度、晶粒度、透光率、禁带宽度及室温铁磁性。在所有样品中,掺杂浓度为2%、煅烧温度为500℃的薄膜粗糙度、晶粒度最小而透光性和室温铁磁性最强。样品的能隙则是随着Cu掺杂浓度和煅烧温度的提高而变小。     

一维ZnO纳米材料制备技术研究进展

氧化锌可用于透明导电膜、表面声波器件、真空荧光显示器、气体传感器、光激射激光器、紫外光探测器等,有广泛发展的产业化前景.近年来,一维ZnO纳米材料(纳米线、纳米带、纳米管等)的制备和应用已成为研究热点.综述了一维ZnO纳米材料制备方法的最新进展.     

稀土掺杂 ZnO 薄膜的研究进展

综述了近年来国内外稀土掺杂ZnO薄膜的研究现状,总结了稀土掺杂的方式及稀土掺杂对ZnO薄膜的结构、光、电、磁学性能以及抗腐蚀性能的影响,并介绍了稀土掺杂ZnO薄膜在气敏传感器方面的应用,最后探讨了稀土掺杂ZnO薄膜存在的问题及今后可能的研究方向.     

ZnO纳米材料及掺杂ZnO材料的最新研究进展

作为一种新型的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料，ZnO具有优良的光学和电学性能。目前国际上除纳米线外，ZnO纳米带、纳米棒、纳米阵列、纳米弹簧、纳米环已合成出来，并有广泛的应用前景。在ZnO中掺入Mg、Co等元素可以实现带隙调节，有望开发出紫外、绿光、特别是蓝光等多种发光器件。稀磁半导体材料更是当今研究的热点。结合国内外的研究现状，分别介绍了有关ZnO纳米新材料、掺杂非磁性元素和磁性元素的ZnO材料的最新研究进展。     

纳米ZnO掺杂及性能研究新进展

作为一种新的宽禁带半导体材料,氧化锌的能带间隙为3.37eV,在光学、电学、光催化、太阳能电池制造方面表现出了更优良的性能,是一种良好的可替代宽禁带半导体。当然氧化锌存在着许多固有缺陷而影响了它的性能,离子的掺杂是一种有效的改性方法。着重介绍离子的掺杂对氧化锌性能的作用的机理过程和研究现状,并对其未来的发展趋势进行可行性的预见。     

纳米ZnO抗菌材料的研究进展

总结了几种纳米ZnO的抗菌机理,同时分类探讨了影响纳米ZnO抗菌效果的诸多因素;介绍了目前国内外有关纳米ZnO抗菌材料的研究热点,并对纳米ZnO抗菌材料的潜在应用和发展方向提出展望。     

Ce掺杂ZnO纳米晶的光致发光特性

以 Zn(NOs)3·6H2O、Ce(NO3)3·6H2O为原料,明胶为模板分散剂,采用凝胶模板燃烧法制备纯ZnO和ZnO:Ce纳米晶,利用XRD、TEM和PL谱研究样品的结构和性能.结果表明:产物粒子形状基本为球形,结晶良好,属六方晶系结构;随着掺杂量的增加,粒子尺寸逐渐减小,说明Ce掺杂能够有效地抑制ZnO晶粒生长.在310nm光的激发下,观察到480～500nm强而宽的可见发射,在此背景上出现487nm和494nm的蓝绿光子发射峰,掺杂样品的发光强度显著增强.蓝光发射主要是由于氧空位与间隙氧之间的跃迁,绿光发射是由于材料表面离子化氧空位中的电子与价带中光激发的空穴之间的复合.     

掺杂ZnO透明导电薄膜研究进展

ZnO基透明导电薄膜是近年来研究的一个热点。总结了近年来掺杂ZnO薄膜,主要有Al掺杂、Ga掺杂、In掺杂和Zr掺杂的一些研究进展,并在此基础上对掺杂ZnO透明导电薄膜的发展进行了展望。     

新型ZnO纳米螺旋结构

本文讨论了热蒸发法合成的有纳米片修饰的氧化锌纳米螺旋结构。利用X射线衍射、扫描电镜、透射电镜、EDX谱等方法对样品进行测试。结果表明样品具有均匀的螺旋结构。螺旋平均内直径为250~600nm,组成螺旋的纳米线直径在100~250nm范围内。一个周期的纳米螺旋上对称分布了12个纳米片。此外还讨论了纳米片修饰的ZnO纳米螺旋结构的生长机制。     

ZnO纳米结构/聚合物杂化太阳能电池的研究进展

在介绍电池基本理论和共混结构、取向结构不同特点的基础上,综述了近年来这两种不同结构纳米ZnO/聚合物杂化太阳能电池的最新研究进展。分析表明目前电池效率较低与光吸收效率较低、光谱吸收范围较窄、载流子迁移率不均衡、界面相容性较差等问题有关。     

p型掺杂ZnO薄膜的研究进展

近年来,随着对ZnO的光电性质及其在光电领域应用的开发研究,制备可靠稳定的低阻p型ZnO薄膜成为研究热点之一。本文论述了p型ZnO薄膜制备的难点及其解决方法,综述了其最新研究进展,并对p型ZnO的研究进行了展望。     

ZnO薄膜p型掺杂的研究进展

ZnO薄膜作为一种多功能半导体材料，近年来一直受到广泛关注。然而，如何制备高质量的p型ZnO薄膜是实现其实用化的关键。概括了p型掺杂困难的原因，并指出Ⅲ-Ⅴ族元素共掺杂可能是p型掺杂的最好方法。简单回顾了ZnO薄膜p型掺杂的研究现状，并对今后的发展趋势进行了展望。